装饰领域的真空镀膜机，一部分采用的是真空蒸发镀膜法，真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基材表面沉积的过程。是在真空室中加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流入射到固体（称为衬底或基片）表面凝结形成固态薄膜。关于蒸发源的形状可根据蒸发材料的性质，结合考虑与蒸发材料的湿润性，制作成不同的形式和选用不同的蒸发源物质。真空蒸镀有三层：底漆层（6~12um）+镀膜层（1~2um）+面漆层（10um）装配前处理。将基材表面杂质、灰尘等用布擦拭干净，提高喷射良率。将基材装配在专属挂具上，用以固定于流水线上，并按设计要求实现外观和功能的遮镀。真空镀膜的操作规程：在用电子头镀膜时，应在钟罩周围上铝板。北京金属真空镀膜加工平台
真空镀膜机镀铝膜是当前蒸镀复合膜较具代表性的产品，其在高真空条件下通过高温将铝线熔化蒸发,铝蒸气沉淀集聚在塑料薄膜表面形成一层厚约35～40nm的阻隔层,作为基材的塑料薄膜可以是PE、PP、PET、PA、PVC等。真空镀膜机镀铝膜具有优良的阻隔性能,在不要求透明包装的情况下,真空镀膜机真空镀铝膜是较佳的选择,而且镀铝膜的保香性好,具有金属光泽,装饰美观,但因为受到铝金属的延展性与镀铝技术的限制，镀铝层极易在受到曲揉、揉搓之后产生小孔或裂痕，从而影响到真空镀铝包装的阻氧性能与阻湿性能。云南磁控溅射真空镀膜加工真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。
在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被活动的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。
PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD的主要性能指标，PECVD设备的主要特点，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5%之内，同一批硅片间的误差在6%之内，不同批次硅片间误差在7%之内。温度要求比较低，成膜温度为150℃～500℃，恒温区温度均匀，误差范围在2℃之内，并且在整个成膜过程中随时间变化小，误差范围为2℃/24h之内。升温时间较短，工作压力范围广，恢复真空时间短，设备封闭性强并且具有温度控制和计算机自动监控等安全措施功能。除此之外，PECVD与一般CVD相比有更多的优点。真空溅镀通常指的是磁控溅镀，属于高速低温溅镀法。
真空镀膜机放气阀形式介绍：(1)手动真空放气阀：我国研制生产的真空镀膜机手动真空放气阀结构形式多种多样，通径有φ3mm、φ30mm、φ60mm等，以满足不同真空系统工作的需要。QF-5型充气阀主要是用来对真空容器充入大气或其他特殊气体的，此阀结构简单，操作方便，密封可靠，适合各种真空镀膜机真空应用设备配套之用。(2)手动超高真空安全放气阀：该阀采用金属密封，适用f超高真空系统，主阀板关闭．起截止气流作用，主阀板启开，可向真空系统充气，当充入气压达到105～1.5×105Pa时，旁路通导板起跳排气，避免因充气压力过高而破坏真空容器，直到保护真空系统的作用。本阀适用的介质为洁净空气或非腐蚀性干燥气体。真空镀膜机的优点:具有优良的耐折性和良好的韧性，比较少出现小孔和裂口。云南真空镀膜平台
利用PECVD生长的氮化硅薄膜薄膜成分和厚度容易控制。北京金属真空镀膜加工平台
真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得普遍的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面(通常是非金属材料)，属于物理的气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。在所有被镀材料中，以塑料较为常见，其次，为纸张镀膜。相对于金属、陶瓷、木材等材料，塑料具有来源充足、性能易于调控、加工方便等优势，因此种类繁多的塑料或其他高分子材料作为工程装饰性结构材料，大量应用于汽车、家电、日用包装、工艺装饰等工业领域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外观不够华丽、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸镀一层极薄的金属薄膜，即可赋予塑料程亮的金属外观，合适的金属源还可较大增加材料表面耐磨性能，较大拓宽了塑料的装饰性和应用范围。北京金属真空镀膜加工平台
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