解决靶中毒主要有以下几种方法;1.使用射频电源进行溅射；2.采用闭环控制反应气体通入流量；3.使用孪生靶交替溅射；4.控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。常用的薄膜制备方式主要有两种，其中一种是物理的气相沉积（PVD），PVD的方法有磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、热阻蒸发等。另一种是化学气相沉积法（CVD），主要有常压CVD、LPCVD（低压气相沉积法）、PECVD（等离子体增强气相沉积法）等方法。真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。中山反射溅射真空镀膜实验室
为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了电子束蒸发与磁控溅射两种方法制备Al膜的特点。考虑Al膜的致密性就相当于考虑Al膜的晶粒的大小，密度以及能达到均匀化的程度，因为它也直接影响Al膜的其它性能，进而影响半导体哗啦的性能。气相沉积的多晶Al膜的晶粒尺寸随着沉积过程中吸附原子或原子团在基片表面迁移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小将取决环于基片温度、沉积速度、气相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光洁度和化学活性等因素。电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束直接加热使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜，是蒸度高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要加热方法。安徽电子束蒸发真空镀膜加工通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。
机械泵是从大气开始工作的，它的主要参数有极限真空，抽气速率，此为设计与选用机械泵的重要依据。单级泵可以将容器从大气抽到1.0*10-1PA的极限真空，双级机械泵可以将容器从大气抽到6.7*10-2帕，甚至更高。抽气速率，是指旋片泵按额定转数运转时，单位时间内所能排出气体的体积，可以用下公式计算：Sth=2nVs=2nfsLfs表示吸气结束时空腔截面积，L表示空腔长度，系数表示转子每旋转一周有两次排气过程，Vs表示当转子处于水平位置的时候，吸气结束，此时空腔内的体积较大，转速为n。机械泵排气的效果还与电机的转速及皮带的松紧度有关系，当电机的皮带比较松，电机转速比较慢的时候，机械泵的排气效果也会变差，所以要经常保养，点检，机械泵油的密封效果也需要常常点检，油过少，达不到密封效果，泵内会漏气，油过多，把吸气孔堵塞，无法吸气和排气，一般，在油位在线下0.5厘米即可。真空镀膜机机械泵常常被用来抽除干燥的空气，但不能抽除含氧量过高、有爆裂性和腐蚀性的气体，机械泵一般被用来抽除长久性的气体，但是对水气没有好的效果，所以它不能抽除水气。
真空镀膜机技术应用哪些领域：在建筑和汽车玻璃上使用真空电镀设备技术，镀涂一层TiO2就能使其变成防雾、防露和自清洁玻璃。这种工艺在汽车玻璃上有比较好的应用。在太阳能上，为了能有效的利用太阳热能，这需要利用真空电镀设备技术镀上一层特殊的表面。在光学仪器中的应用：人们熟悉的光学仪器显微镜、照相机、测距仪，以及日常生活用品中的镜子、眼镜、放大镜等，它们都离不开真空电镀设备技术，镀制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等几种。在信息存储领域中的应用：薄膜材料作为信息记录于存储介质，有其得天独厚的优势，磁化反转极为迅速，与膜面平行的双稳态状态容易保持等。真空镀膜机在集成电路制造中的应用：晶体管路中的保护层、电极管线等多是采用CVD技术、PVCD技术、真空蒸发金属技术、磁控溅射技术和射频溅射技术。热氧化氧化过程主要分两个步骤：氧气或者水蒸气等吸附到氧化硅表面：氧气或者水蒸气等扩散到硅表面。
磁控溅射的优势在于可根据靶材的性质来选择使用不同的靶qiang进行溅射，靶qiang分为射频靶(RF)、直流靶(DC)、直流脉冲靶(DC Pluse)。其中射频靶主要用于导电性较差的氧化物、陶瓷等介质膜的溅射，也可以进行常规金属材料溅射。直流靶只能用于导电性较好的金属材料，而直流脉冲靶介于二者之间，可溅射硅、锗等半导体材料。利用PECVD生长的氮化硅薄膜具有以下优点：1.均匀性和重复性好，可大面积成膜2.可在低温下成膜3.台阶覆盖性比较好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.应用范围广，设备简单，易于产业化。使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜。江西功率器件真空镀膜加工平台
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。中山反射溅射真空镀膜实验室
磁控溅射的工作原理是指电子在外加电场的作用下，在飞向衬底过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向衬底，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场的作用下较终沉积在衬底上。由于该电子的能量很低，传递给衬底的能量很小，致使衬底温升较低。中山反射溅射真空镀膜实验室
广东省科学院半导体研究所主要经营范围是电子元器件，拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。公司业务分为微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等，目前不断进行创新和服务改进，为客户提供良好的产品和服务。公司秉持诚信为本的经营理念，在电子元器件深耕多年，以技术为先导，以自主产品为重点，发挥人才优势，打造电子元器件良好品牌。广东省半导体所立足于全国市场，依托强大的研发实力，融合前沿的技术理念，飞快响应客户的变化需求。
