中山3m1FAB赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。中山3m1FAB赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。南京2V1EAE赛芯现货锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超。

赛芯：内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积）内置MOS，集成均衡功能  XBM2138

3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、芯纳科技推广赛芯微 ic，0V 可充功能保护芯片，满足特殊场景充电需求。

手持扫码枪、工业手持平板等，在零售、物流、工业等领域应用，这些设备对充电IC的可靠性、充电速度和抗干扰能力要求较高，深圳市芯纳科技代理的赛芯XR4981A完美契合这些需求，同时芯纳科技的代理优势为客户提供了有力支撑。赛芯XR4981A支持大电流充电，能缩短手持终端的充电时间，满足用户对设备快速补电的需求，同时其具备的抗电磁干扰特性，可确保手持终端在复杂的电磁环境下仍能稳定充电，避免因干扰导致充电中断。作为代理商，深圳市芯纳科技的核心竞争力不容小觑。首先，芯纳科技是赛芯官方认证的代理商，拥有正规的代理资质，所有赛芯XR4981A均为原厂质量，可提供完整的产品溯源信息，让客户采购无后顾之忧。手持终端设备如POS机、芯纳科技提供赛芯微 ic 全系列产品，电源管理 IC 高效稳定，赋能电子设备升级。深圳6096J9c赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

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赛芯： XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出中山3m1FAB赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保