聚峰烧结银膏能够同时适配铜基板与AMB陶瓷基板的异质界面互连需求。铜基板具有较好的导电和导热性能,但表面易氧化生成疏松的氧化铜层。AMB陶瓷基板表面通常覆有铜箔,通过活性金属钎焊工艺与氮化硅或氮化铝陶瓷结合。两种基板的热膨胀系数差异较大,铜约为17ppm/K,而氮化铝陶瓷约为4.5ppm/K。聚峰烧结银膏的烧结层具备一定的塑性变形能力,可以吸收热循环产生的剪切应变。在互连工艺中,银膏首先通过丝网印刷或点胶方式涂覆在两种基板表面,然后进行预干燥去除低沸点溶剂。贴装芯片后进行分段升温烧结,银膏在两种材料界面形成均匀过渡层。聚峰烧结银膏对不同表面处理状态的基板表现出良好的润湿性,无论是裸铜还是化学镀镍钯金表面均可直接使用。这为混合封装结构提供了简洁的材料体系。聚峰 JF-PMAg02 可直接烧结于裸铜表面,省去镀银工序,降低封装成本。南京纳米银烧结纳米银膏

聚峰烧结纳米银膏,是专为第三代半导体封装场景研发的高性能互连材料,聚焦 SiC、GaN 等高功率器件的封装需求。其采用纳米级银粉配方,经 220-280℃低温烧结后,形成致密纯银互连层,导电、导热性能远超传统锡基焊料。该银膏烧结后热导率可达 300W/(m・K) 以上,能较快导出器件工作时产生的高热量,避免局部过热导致的性能衰减。同时,材料具备优异的高温稳定性,在 175℃以上长期工作环境中,无蠕变、无开裂、无失效,完美匹配新能源汽车电控、光伏逆变器、工业电源等高功率、高可靠应用场景,从根本上解决传统封装材料无法适配第三代半导体高温工况的行业痛点。深圳基片封装烧结银膏烧结银膏由纳米银颗粒、有机溶剂及微量添加剂组成,粘度可调节。

聚峰烧结纳米银膏采用无铅、无卤、无重金属的配方,完全符合 RoHS、REACH 等标准,从材料源头规避传统含铅焊料的问题。针对 SiC、GaN 宽禁带半导体的封装特性,产品优化了银粉粒径与烧结活性,适配宽禁带芯片的高温工作需求,解决了传统锡膏、锡膏在 200℃以上易软化、蠕变、失效的痛点。相比传统焊料,该银膏烧结后形成的纯银互连层,化学稳定性更强,耐氧化、耐腐蚀,在高温、高湿、强振动的复杂工况下,仍能保持稳定的互连性能,为宽禁带半导体器件的长期可靠运行提供关键材料,推动第三代半导体封装向绿色、高可靠方向发展。
该体系通常由多种高分子化合物、溶剂以及流变助剂复合而成,旨在为纳米银颗粒提供一个稳定且均匀的悬浮环境。良好的有机载体不仅能够有效防止颗粒沉降与团聚,还能赋予膏体适宜的黏度与触变性,使其适用于丝网印刷、点胶或喷涂等多种涂覆工艺。在加热过程中,有机成分会随着温度的升高逐步挥发或分解,这一过程需要与银颗粒的烧结动力学相匹配,以避免因气体残留或碳化导致的孔洞与缺陷。因此,载体的设计需兼顾工艺适应性与热分解特性,确保在烧结完成后无有害残留,同时不干扰银颗粒之间的致密化过程。此外,有机体系还需具备一定的储存稳定性,能够在常温下长期保存而不发生性能劣化。通过对不同组分的筛选与配比优化,可以实现膏体在施工性、干燥行为与终连接质量之间的良好平衡,从而满足不同应用场景下的技术要求。除了纳米银颗粒与有机载体外,烧结纳米银膏中还可能包含微量的添加剂,以进一步提升其综合性能。这些添加剂虽然在整体配方中所占比例较小,但对材料的烧结行为、界面结合以及长期可靠性具有不可忽视的影响。例如,某些表面活性剂可用于调节颗粒与载体之间的界面相容性,增强分散稳定性,防止在储存过程中出现分层或凝胶化现象。此外。在集成电路封装领域,烧结纳米银膏作为连接介质,实现芯片与封装外壳的牢固结合。

聚峰烧结银膏完成烧结后的连接层具有超过200W/m·K的热导率,这一数值远超越锡基或金基传统焊料。传统焊料如SAC305的热导率约为60W/m·K,在高功率密度封装中容易形成热瓶颈。聚峰烧结银膏的高热导率来源于烧结后银相的连续性与致密度,银本身体积热导率高达429W/m·K,而烧结层接近该理论值的50%。这意味着单位温差下通过连接层的热量流量更大,芯片结温能够更快传导至散热器。对于电动汽车逆变器或轨道牵引变流器,热管理直接决定模块的使用寿命。聚峰烧结银膏形成的连接层还可以进一步减薄至30微米以下,减小热阻路径长度。相比添加金刚石或石墨烯的复合焊料,纯银烧结方案避免了异质界面引入的额外热阻。模块制造商采用聚峰烧结银膏后,往往可以降低散热器体积或减少冷却液流量。该材料以纳米银为基础,配合先进配方,烧结纳米银膏在电子连接中展现出独特优势。广东IGBT烧结银膏
烧结银膏热导率超 200W/m・K,可大幅降低高功率芯片结温,提升散热效率。南京纳米银烧结纳米银膏
烧结银膏拥有 “低温烧结、高温服役” 的独特性能悖论,其烧结温度需 150-300℃,但成型后的连接层理论服役温度可逼近纯银的熔点 961℃。这一特性彻底突破了传统焊料(如 Sn-Ag-Cu,熔点约 220℃)的高温服役瓶颈。在电动汽车、航空航天等极端工况下,器件可能面临 200℃以上的持续工作温度,传统焊料在此环境下会逐渐软化、失效,而烧结银膏连接层仍能保持稳定的冶金结构与性能。这使得烧结银膏成为解决高温功率器件封装难题的方案,为器件在更严苛环境下的可靠工作提供了坚实后盾。南京纳米银烧结纳米银膏