随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。中清航科深耕芯片封装，与上下游协同，构建从设计到制造的完整生态。江苏芯片的封装
中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。上海qfn封装焊接车载芯片振动环境严苛，中清航科加固封装，提升抗机械冲击能力。
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。
先进芯片封装技术-系统级封装（SiP）：SiP是将多个不同功能的芯片以并排或叠加的方式，封装在一个单一的封装体内，实现系统级的功能集成。与SoC（系统级芯片）相比，SiP无需复杂的IP授权，设计更灵活、成本更低。中清航科在SiP技术上积累了丰富经验，能够根据客户需求，将多种芯片高效整合在一个封装内，为客户提供具有成本优势的系统级封装解决方案，广泛应用于消费电子、汽车电子等领域。想要了解更多详细内容可以关注我司官网。中清航科芯片封装技术，支持混合信号集成，降低不同电路间的干扰。
芯片封装的基础概念：芯片封装，简单来说，是安装半导体集成电路芯片的外壳。它承担着安放、固定、密封芯片的重任，能有效保护芯片免受物理损伤以及空气中杂质的腐蚀。同时，芯片封装也是沟通芯片内部与外部电路的关键桥梁，芯片上的接点通过导线连接到封装外壳的引脚上，进而与印制板上的其他器件建立连接。中清航科深谙芯片封装的基础原理，凭借专业的技术团队，能为客户解读芯片封装在整个半导体产业链中的基础地位与关键作用，助力客户从源头理解相关业务。中清航科深耕芯片封装，从设计到量产全流程优化，缩短产品上市周期。mems传感器封装
芯片封装成本压力大，中清航科材料替代方案，在降本同时保性能。江苏芯片的封装
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。江苏芯片的封装
