MOSFET基本参数
  • 品牌
  • 芯技
  • 型号
  • MOSFET
  • 产地
  • 广东
  • 耐压
  • 12-150V
  • 内阻(mini)
  • 10毫欧
  • 封装类型
  • DFN1006、SOT-23、SOT523、SOT-323
MOSFET企业商机
车载充电机(OBC)中,MOSFET参与功率因数校正与直流转换全过程,是提升充电效率的关键器件。在功率因数校正环节,MOSFET作为升压开关管,优化电网输入电流波形,减少谐波污染;在DC-DC转换环节,MOSFET作为主开关管,实现交流到直流的隔离转换,为动力电池充电。不同电压等级的MOSFET适配充电机的不同拓扑结构,在兼顾效率的同时,满足整车充电速度与安全性要求。

光伏逆变器中,MOSFET通过高频开关实现直流电到交流电的转换,是提升光伏电站收益的重要器件。光伏组件产生的直流电需经逆变器转换后才能并入电网,MOSFET的开关速度与损耗直接决定逆变器转换效率。相较于传统器件,采用优化设计的MOSFET可使逆变器转换效率大幅提升,减少能量损耗。在大型光伏电站中,成千上万只MOSFET协同工作,支撑大规模电能转换,助力光伏能源的高效利用。 良好的散热特性,让MOS管在工作时保持稳定温度。高耐压MOSFET

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热设计是MOSFET应用中的关键环节,器件工作时产生的热量主要来自导通损耗和开关损耗,若热量无法及时散发,会导致结温升高,影响性能甚至烧毁器件。工程设计中需通过热阻分析评估结温,结合环境温度和功耗计算,确保结温控制在安全范围。常用的散热方式包括PCB铜箔散热、导热填料填充、金属散热器安装及风冷散热等,多层板设计中可通过导热过孔将MOSFET区域与内层、底层散热铜面连接,形成高效散热路径。部分场景还可通过调整开关频率降低损耗,平衡开关速度与散热压力,提升系统稳定性。广东双栅极MOSFETTrench您对MOS管的雪崩耐受能力有要求吗?

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MOSFET在电源管理模块中的负载开关应用较广,通过控制电路通断实现对用电设备的电源分配。在域控制器、ECU等电子控制单元中,低压MOSFET作为负载开关,接入多路DC-DC转换器,控制不同模块的电源供给,具备小封装、低功耗、高集成度的特点。当设备处于待机状态时,MOSFET可快速切断非中心模块的电源,降低待机功耗;工作时则快速导通,保障模块稳定供电。这类应用对MOSFET的开关响应速度和可靠性要求较高,需避免导通时的电压跌落和关断时的漏电流问题。

新能源汽车产业的高速发展,对车规级MOSFET提出了严苛的可靠性与性能要求,尤其是在800V高压平台逐步普及的趋势下,SiC MOSFET正成为行业主流选择。深圳市芯技科技针对性研发的车规级SiC MOSFET,严格遵循AEC-Q101认证标准,工作温度范围覆盖-40℃~175℃,具备极强的环境适应性。该器件比较大漏源电压(VDS)可达1200V,比较大漏极电流(ID)支持300A以上,开关损耗较传统硅基MOSFET降低50%以上,可有效提升新能源汽车电驱系统效率。在岚图纯电SUV等车型的电控模块测试中,搭载芯技科技SiC MOSFET的系统效率达到92%,助力车辆低温续航提升超40公里。同时,器件集成了完善的短路保护功能,短路耐受时间超过5μs,能有效应对车辆行驶过程中的极端工况,为新能源汽车的安全稳定运行提供关键保障。高性价比的MOS管系列,助您在控制成本时不影响性能。

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在消费电子快充领域,GaN MOSFET凭借其超高频特性与高功率密度优势,正逐步替代传统硅基器件,成为快充电源的关键部件。深圳市芯技科技推出的GaN MOSFET采用先进的氮化镓材料与工艺,开关频率可达MHz级别,是传统硅基MOSFET的5-10倍,可大幅减小快充电源中变压器、电感等无源器件的体积。以65W快充适配器为例,搭载该GaN MOSFET后,适配器体积可缩小30%以上,同时转换效率提升至96%以上,满足消费者对便携、高效快充产品的需求。该器件还具备极低的导通电阻与栅极电荷,在持续工作状态下功耗更低,散热压力更小,配合优化的封装设计,可实现快充设备的长时间稳定运行。目前,这款GaN MOSFET已广泛应用于智能手机、笔记本电脑等消费电子的快充产品中,助力终端厂商打造差异化竞争优势。与国际标准接轨的高性能MOS管,是您的理想之选。江苏大功率MOSFET深圳

我们致力于提供高性能的MOS管,满足您的各种应用需求。高耐压MOSFET

光伏逆变器作为太阳能发电系统的关键设备,其转换效率直接影响光伏发电的经济性,而MOSFET的性能则是决定逆变器效率的关键因素之一。深圳市芯技科技推出的高压MOSFET(600V-1700V),专为光伏逆变器设计,采用超结技术与优化的芯片布局,实现了低导通电阻与低开关损耗的完美平衡。在光伏逆变器的Boost电路中,该MOSFET可高效完成电感储能与电压升压过程,将系统功率因数提升至0.99以上,转换效率达到98.5%。器件具备优良的抗浪涌能力与高温稳定性,可在光伏电站的恶劣环境下(高温、高湿度、强辐射)长期稳定工作,使用寿命超过20年。此外,该MOSFET支持大电流输出,单器件可满足10kW以上逆变器的功率需求,减少了器件并联数量,降低了系统复杂度与成本,为光伏产业的规模化发展提供了可靠的器件保障。高耐压MOSFET

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