光刻对准技术是曝光前一个重要步骤作为光刻的三大主要技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高，对准精度要求也越来越高，例如针对45am线宽尺寸，对准精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推动，对准技术也经历迅速而多样的发展。从对准原理上及标记结构分类，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式、干涉强度对准、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式。3D光刻技术为半导体封装开辟了新路径。云南材料刻蚀厂商
对于透明基片的双面光刻加工，其准标记可灵活设计，沿目镜的光轴上方的图案区域如果是不透光的，该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框作为对准标记。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的，该区域设计的对准标记可以设计成十字型或方框。不管是十字型还是方框型，都是参照内部的边和角进行精确对准。综合考虑到物距不一成像大小不同的因素，两块掩模板的对准标记也可以设计成大小不一的，以掩模板和基片标记成像方便观测对准为原则。双面光刻调制盘作为光路一部分用于约束光束，加工完成后，要用不透明的涂料涂覆标记图案及搜索线即可，即便没有搜索线，由于小方框对准标记是透光的，也不免要用涂料涂覆，涂料对于测量狭缝和机械装配公差配合没有影响。中山氮化硅材料刻蚀通过优化刻蚀气体比例、刻蚀功率等参数，可实现高垂直度氮化硅刻蚀。
光刻胶旋涂是特别是厚胶的旋涂和方形衬底匀胶时，会在衬底的边缘形成胶厚的光刻胶边即是所谓的边胶，即光刻胶的边缘突起，在使用接触式光刻的情况下会导致光刻胶曝光的图案分辨率低、尺寸误差大或显影后图案的侧壁不陡直等。如果无法通过自动化设备完成去边角工艺（EBR）的话，以通过以下措施帮助减少/消除边胶:尽可能使用圆形基底；使用高加速度，高转速；在前烘前等待一段时间；调整良好旋涂腔室保证衬底与衬底托盘之间紧密接触；非圆形衬底:如有可能的话，可将衬底边缘有边珠的位置一起裁切掉，或用洁净间的刷子将边胶刷洗掉。
通过光刻技术制作出的微纳结构需进一步通过刻蚀或者镀膜，才可获得所需的结构或元件。刻蚀技术，是按照掩模图形对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀较普遍、也是成本较低的刻蚀方法，大部份的湿刻蚀液均是各向同性的，换言之，对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。而干刻蚀采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成刻蚀的目的。其较重要的优点是能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高刻蚀率两种优点。干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。精确控制光刻环境是确保产品一致性的关键。
光源的选择不但影响光刻胶的曝光效果和稳定性，还直接决定了光刻图形的精度和生产效率。选择合适的光源可以提高光刻图形的分辨率和清晰度，使得在更小的芯片上集成更多的电路成为可能。同时，优化光源的功率和曝光时间可以缩短光刻周期，提高生产效率。然而，光源的选择也需要考虑成本和环境影响。高亮度、高稳定性的光源往往伴随着更高的制造成本和维护成本。因此，在选择光源时，需要在保证图形精度和生产效率的同时，兼顾成本和环境可持续性！对于透明基片的双面光刻加工，其准标记可灵活设计。中山氮化硅材料刻蚀
湿法刻蚀具有非常好的选择性和高刻蚀速率。云南材料刻蚀厂商
曝光后烘烤是化学放大胶工艺中很关键，也是反应机理很复杂的一道工序。后烘过程中，化学放大胶内存在多种反应机制，情况复杂并相互影响。例如各反应基团的扩散，蒸发将导致抗蚀刑的组成分布梯度变化：基质树脂中的去保护基团会引起胶膜体积增加但当烘烤温度达到光刻胶的玻璃化温度时基质树脂又并始变得稠密两者同时又都会影响胶膜中酸的扩散，且影响作用相反。这众多的反应机制都将影响到曝光图形，因此烘烤的温度、时间和曝光与烘烤之间停留的时间间隔都是影响曝光图形线宽的重要因素。云南材料刻蚀厂商
