容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G（NP0）介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的宽温范围内，容值变化率小于±0.5%。同时，容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力，最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性，避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元（ECU）、航空航天设备的热敏感区域，简化了热管设计。样品提供迅速，助力客户加速研发和试产进程。DLC70P1R5AW251NT
全球射频微波MLCC市场规模持续增长，预计到2027年将达到77.7亿元，年均复合增长率达8.56%，高于普通MLCC市场。下游5G、物联网、新能源汽车等产业的快速发展，为Dalicap的未来增长提供了广阔的市场空间。公司于2023年12月成功在创业板上市，获得了宝贵的资本平台。募集资金将用于产能扩张、信息化升级和营销网络建设，这将极大地助力其提升技术实力、扩大生产规模、增强市场影响力，为未来的快速发展注入新动能。Dalicap吸引并凝聚了一支高素质的人才团队，其中不少重心技术人员来自三星、村田、ATC等国际有名企业。公司以其发展前景、民族情怀和实现个人价值的平台，成功吸引了众多人才“北上”加盟，形成了强大的人才优势。DLC70A471FW151NT长寿命设计降低了终端产品的全生命周期维护成本。
工业环境往往伴随着高温、高湿及强烈的电磁干扰，这对电子元件的可靠性提出了很好要求。Dalicap电容凭借其优异的温度稳定性和长寿命特性，成为PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器、工业电源等设备中不可或缺的组件。它们主要用于电源滤波、能量缓冲和信号耦合，能有效平滑电压波动，抑制噪声，确保控制信号的精确传输和执行机构的稳定运行。其 robust 的设计保证了即使在7x24小时不间断运行的恶劣条件下，也能比较大限度地减少故障率，保障生产线的连续与安全。
公司拥有完善的产品研发生产资质，如《装备承制单位资格证书》、《武器装备科研生产备案凭证》和《二级保密资格单位证书》等。其产品在设备领域具有高可靠、定制化能力和生产全流程自主可控等优势，满足了应用的特定需求。Dalicap电容的电介质吸收（DA）特性极低，典型值可低至0.02%。这种近乎无记忆效应的特性使其成为精密积分电路、采样保持电路和ADC参考电压源的理想选择，避免了残余电压导致的测量误差。通过高级电子元器件产业化一期项目的建设，Dalic普扩大了产能，提高了产品品质和市场响应速度。新工厂设计年产能为30亿只瓷介电容器，更好地满足了国内5G通信等重点领域国产替代的急迫需求。所有产品符合环保标准，满足欧盟RoHS等法规要求。
Dalicap电容采用高纯度钛酸盐陶瓷介质材料，通过精密的掺杂和烧结工艺，形成了极其稳定的晶体结构。这种材料基础赋予了电容极高的介电常数和很低的介质损耗，使其在高频环境下仍能保持稳定的容值表现。其介质配方完全自主可控，避免了国内外材料供应链波动的风险，为国产化替代提供了坚实的材料基础，确保了产品批次间的高度一致性。在射频微波应用中，Dalicap电容展现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）。其三维多层电极设计优化了电流路径，将寄生参数降至比较低，从而获得了极高的自谐振频率（SRF）。这一特性使得它在GHz频段的射频电路中，能有效降低信号传输的插入损耗和能量反射，保证信号完整性，特别适用于5G基站和毫米波通信设备。在高频环境下仍能保持优良的电性能表现。DLC75A1R2BW151NT
持续的技术创新确保其产品性能处于行业头部水平。DLC70P1R5AW251NT
Dalicap电容采用高纯度钛酸盐陶瓷介质材料，通过独特的配方和烧结工艺，实现了极高的介电常数和稳定性。其电容值范围覆盖0.1pF至470μF，工作电压可达200V，温度范围横跨-55℃至+125℃，部分产品甚至能在+250℃高温下稳定运行。这种宽泛的参数范围使其能够适应从消费电子到航空航天等极端环境的电路需求，为设计师提供了极大的灵活性。极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL） 是Dalicap电容的重点优势之一。通过三维多层电极设计和优化的内部结构，其ESR值可低至毫欧姆级别，ESL降至pH级别，从而将自谐振频率（SRF）推升至GHz频段。这一特性在高频开关电源和射频功率放大器中至关重要，能明显降低能量损耗和热效应，提高系统效率和稳定性。 DLC70P1R5AW251NT
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