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基板加热系统是控制薄膜结晶质量的主要部件之一。我们的系统采用耐高温氧化的铂金电阻加热片,可以直接对2英寸大小的基板进行辐射加热。其精密温控系统能够实现从室温到1200摄氏度的宽范围精确控制,并且在整个基板表面,温度均匀性误差小于3%。在沉积过程中,基板还可以通过电机驱动进行连续旋转,这一功能确保了从靶材飞来的等离子体羽辉能够均匀地覆盖在整个基板表面,从而获得厚度高度均匀的薄膜,这对于后续的器件制备和性能表征至关重要。日常维护需定期清洁超高真空成膜室内表面,保持电解抛光效果。氧化物外延系统案例

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PLD-MBE与传统热蒸发MBE的对比。传统MBE依赖于将固体源材料在克努森池中加热至蒸发,其蒸发速率相对较低且稳定,非常适合III-V族(如GaAs)和II-VI族(如ZnSe)半导体材料的生长。然而,对于高熔点金属氧化物(如钌酸盐、铱酸盐),热蒸发非常困难。PLD-MBE则利用高能激光轻松烧蚀任何高熔点靶材,突破了源材料的限制,将MBE技术的应用范围极大地扩展至复杂的氧化物家族,实现了“全氧化物分子束外延”。

与金属有机化学气相沉积(MOCVD)的对比。MOCVD是大规模生产III-V族半导体光电器件(如LED、激光器)的主流技术,具有出色的均匀性和大规模生产能力。然而,MOCVD通常涉及高毒性和高反应活性的金属有机前驱体,设备与运营成本高昂,且存在碳污染风险。对于实验室阶段的新材料探索和机理研究,PLD和MBE系统提供了更洁净、更灵活、成本更低的平台,能够实现更高的真空度和更精确的原位监测,非常适合进行基础科学探索和原型验证。 氧化物外延系统案例排气系统运行前,确认分子泵和干式机械泵连接无误。

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杂氧化物材料是当今凝聚态物理和材料科学的前沿阵地,而这正是PLD技术大显身手的舞台。高温超导铜氧化物、庞磁阻锰氧化物、多铁性铋铁氧体以及铁电钛酸锶钡等材料,都具有复杂的晶格结构和氧化学计量比要求。PLD技术由于其非平衡的沉积特性,能够将靶材的化学计量比高度忠实地转移到生长的薄膜中,这是其他沉积技术难以比拟的。通过在沉积过程中精确引入氧气氛围,并配合高温加热,可以成功制备出具有特定氧空位浓度和晶体结构的功能性氧化物薄膜,用于探索其奇特的物理现象和开发下一代电子器件。

在启动设备前,需要进行一系列严谨细致的检查工作,以确保设备能够正常运行并保证实验的顺利进行。首先是真空系统的检查,要确认真空泵油位是否在正常刻度范围内,这直接关系到真空泵的抽吸能力,若油位过低可能导致真空泵无法正常工作,影响真空环境的建立。查看真空管道是否连接紧密,有无松动或破损迹象,防止空气泄漏影响真空度。检查真空计是否正常显示,它是监测真空度的关键仪表,若显示异常将无法准确判断真空环境状态。

接着检查气源,确保气体钢瓶的阀门关闭严密,防止气体泄漏造成安全隐患。查看气体管道是否有弯折、堵塞情况,保证气体输送顺畅。还要确认气体流量计的准确性,以便精确控制气体流量。电源检查也不容忽视,检查设备的电源线连接是否牢固,有无破损或短路现象。查看电源开关是否正常,各电气部件的指示灯是否亮起,判断设备的供电是否正常。

可编程温控系统支持复杂升降温工艺曲线。

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与其他技术相比,传统MBE技术在半导体材料、氧化物薄膜等材料生长领域应用已久,有着成熟的技术体系。然而,公司产品与之相比,在多个方面展现出独特优势。从生长机理来看,传统MBE主要依靠热蒸发使原子或分子束蒸发到衬底表面进行生长。而本产品不仅包含热蒸发,还集成了脉冲激光沉积等多种技术,能通过激光能量精确控制原子的蒸发和溅射,使原子更有序地在衬底表面沉积,从而在生长一些复杂结构的薄膜时,能更好地控制原子排列,提高薄膜的结晶质量。但是设备复杂度方面,传统 MBE 设备通常结构较为复杂,多个部件的协同工作对操作人员的技能要求较高,维护成本也相对较高。本产品在设计上进行了优化,采用模块化设计,各部件之间的连接和操作更加简便,降低了设备的整体复杂度,方便操作人员进行日常操作和维护。基板加热过程中,需监控温度,避免超出设定范围影响实验。氧化物外延系统案例

双冷却罩设计有效控制工艺过程中热负载。氧化物外延系统案例

压力也是重要参数之一,设备可在不同的压力环境下工作。低压环境有助于薄膜的结晶,但会增加薄膜的表面粗糙度和缺陷;高压环境则有助于保持沉积粒子的高速度,从而形成平整、致密的薄膜,但可能会降低薄膜的结晶度。在沉积超导薄膜时,通常需要在较低的压力下进行,以获得高结晶度的薄膜,满足超导性能的要求;而在沉积一些对表面平整度要求较高的薄膜时,可能需要适当提高压力。激光能量同样需要精确控制,它决定了靶材被蒸发和溅射的程度。较高的激光能量会使靶材蒸发速率加快,但也可能导致等离子体羽状物的能量过高,对薄膜的质量产生不利影响。在实际操作中,要根据靶材的性质和薄膜的要求,通过调节激光器的参数来控制激光能量。氧化物外延系统案例

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