企业商机
有源晶振基本参数
  • 品牌
  • YUEBO,,EPSON,,KDS,,SEIKO,NDK
  • 型号
  • DSB321SDN 26MHZ
  • 频率特性
  • 高频
  • 封装材料
  • 金属
  • 外形
  • 贴片式
  • 标称频率
  • 26.000
有源晶振企业商机

有源晶振还集成了电源稳压单元与滤波电路。稳压单元可稳定供电电压,避免电压波动对内部电路工作的干扰;滤波电路则能滤除供电链路中的纹波噪声及外部电磁辐射带来的杂波。这种一体化设计减少了外部元件引入的寄生参数(如寄生电容、电感),避免了外部电路与晶振之间的信号干扰,无需额外搭配驱动电路即可直接输出频率范围 1MHz-1GHz 的纯净时钟信号。正因如此,有源晶振在 5G 通信基站、工业 PLC、高精度医疗设备等对时钟稳定性要求严苛的场景中广泛应用,为系统时序控制提供可靠保障。有源晶振的晶体管保障信号稳定,减少信号波动情况。郑州KDS有源晶振作用

郑州KDS有源晶振作用,有源晶振

有源晶振的内置驱动设计还能保障信号完整性:其输出端集成阻抗匹配电阻与信号整形电路,可减少信号传输中的反射与串扰,避免外部缓冲电路因阻抗不匹配导致的信号过冲、振铃等问题。例如工业 PLC 需为 4 个 IO 控制模块提供时钟,有源晶振无需外接缓冲即可直接输出稳定信号,省去缓冲芯片的 PCB 布局空间(约 3mm×2mm)与供电链路,同时避免外部缓冲引入的额外噪声(相位噪声可能增加 5-10dBc/Hz)。这种设计不仅简化电路,更确保时钟信号在多负载场景下的稳定性,适配消费电子、工业控制等多器件协同工作的需求。天津TXC有源晶振购买全温度范围内,有源晶振频率稳定度多在 15ppm 至 50ppm 间。

郑州KDS有源晶振作用,有源晶振

在信号放大与稳幅环节,内置晶体管通过负反馈电路实现控制:晶体谐振器初始产生的振荡信号幅度为毫伏级,晶体管会对其进行线性放大,同时反馈电路实时监测输出幅度,若幅度超出标准范围(如 CMOS 电平的 3.3V±0.2V),则自动调整晶体管的放大倍数,将幅度波动控制在 ±5% 以内,避免信号因幅度不稳导致的时序误判。此外,内置晶体管还能保障振荡的持续稳定。传统无源晶振依赖外部晶体管搭建振荡电路,若外部元件参数漂移(如温度导致的放大倍数下降),易出现 “停振” 故障;而有源晶振的晶体管与振荡电路集成于同一封装,温度、电压变化时,晶体管的电学参数(如电流放大系数 β)与振荡电路的匹配度始终保持稳定,可在 - 40℃~85℃宽温范围内持续维持振荡,确保输出信号无中断、无失真。这种稳定性在工业 PLC、5G 基站等关键设备中尤为重要,能直接避免因时钟信号异常导致的系统停机或数据传输错误。

有源晶振能从电路设计全流程减少工程师的操作步骤,在于其集成化特性替代了传统方案的多环节设计,直接压缩开发周期,尤其适配消费电子、物联网模块等快迭代领域的需求。在原理图设计阶段,传统无源晶振需工程师单独设计振荡电路(如 CMOS 反相器振荡架构)、匹配负载电容(12pF-22pF)、反馈电阻(1MΩ-10MΩ),若驱动能力不足还需增加驱动芯片(如 74HC04),只时钟部分就需绘制 10 余个元件的连接逻辑,步骤繁琐且易因引脚错连导致设计失效。而有源晶振内置振荡、放大、稳压功能,原理图只需设计 2-3 个引脚(电源正、地、信号输出)的简单回路,绘制步骤减少 70% 以上,且无需担心振荡电路拓扑错误,降低设计返工率。高精度时钟需求场景中,有源晶振的优势难以替代。

郑州KDS有源晶振作用,有源晶振

航空航天电子设备需在 - 55℃~125℃宽温、强辐射环境下维持时钟稳定,有源晶振的 TCXO 型号内置抗辐射加固电路与高精度补偿模块,可将温漂控制在 ±0.1ppm 内,且能抵御 100krad 剂量的辐射干扰;反观其他方案,无源晶振在极端温变下频率漂移超 100ppm,易引发导航系统时序紊乱,而 MEMS 振荡器抗辐射能力弱,无法适配太空或高辐射场景。6G 高速通信(如 1Tbps 光传输)对时钟的相位噪声要求严苛,1kHz 偏移时相位噪声需 <-140dBc/Hz,否则会导致高阶调制(如 1024QAM)信号解调失败。有源晶振采用低噪声石英晶体与多级滤波架构,可轻松达成该指标,而无源晶振搭配外部电路后相位噪声仍 <-110dBc/Hz,会使误码率从 10⁻¹² 升至 10⁻⁶,无法满足高速传输需求。有源晶振内置振荡器,无需额外驱动部件即可工作。广州KDS有源晶振作用

通信设备对频率精度要求高,适合搭配有源晶振使用。郑州KDS有源晶振作用

有源晶振通过内置设计完全替代上述调理功能:其一,内置低噪声放大电路,直接将晶体谐振的毫伏级信号放大至 1.8V-5V 标准电平(支持 CMOS/LVDS/TTL 多电平输出),无需外接放大器与电平转换芯片,适配不同芯片的电平需求;其二,集成 LDO 稳压单元与多级 RC 滤波网络,可将外部供电纹波(如 100mV)抑制至 1mV 以下,滤除 100MHz 以上高频杂波,替代外部滤波与 EMI 抑制电路;其三,内置阻抗匹配单元(可适配 50Ω/75Ω/100Ω 负载),无需外接匹配电阻,避免信号反射损耗。郑州KDS有源晶振作用

有源晶振产品展示
  • 郑州KDS有源晶振作用,有源晶振
  • 郑州KDS有源晶振作用,有源晶振
  • 郑州KDS有源晶振作用,有源晶振
与有源晶振相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责