Dalicap电容的微型化能力突出，其0402、0201等超小尺寸封装满足了现代消费电子、可穿戴设备及高级SiP（系统级封装）对PCB空间的追求，为高密度集成电路设计提供了前所未有的灵活性。产品具有很好的抗老化特性，其介质材料的微观结构在经过初始老化后趋于极度稳定，容值随时间的变化遵循一个非常缓慢的对数衰减规律，确保了设备在十年甚至二十年的使用寿命内关键电路参数的稳定。完全无压电效应的特性使其区别于许多II类陶瓷电容。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，从而彻底避免了因振动或电压变化而产生的可听噪声（啸叫）和微观机械噪声，适合高保真音频应用。提供定制化服务，可根据客户特殊需求进行协同设计。DLC75D7R5BW251NT
高超的绝缘电阻（IR） 是Dalicap电容很好的的体现。其IR值通常高达10^4兆欧姆·微法甚至更高，意味着在直流电路中的漏电流极小。这在高压电源的滤波、采样保持电路的能量保持以及高阻抗传感器的信号读取电路中至关重要，微小的漏电流即可导致明显的测量误差或电路功能失常，高IR特性有效避免了这一问题。公司拥有的射频应用实验室，运用射频仿真技术、射频高功率测试技术为研发和提升产品品质提供保障。同时，它是国内早采用全球公认精细的“谐振腔”法测试电容Q值关键参数的公司之一，这为其产品的高精度和一致性提供了坚实的技术支撑。DLC75B0R9CW501XT为家用电器提供安全、稳定、长寿命的电容解决方案。
公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关，在材料端实现了自主可控，确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性，从而保证了终产品性能的优异和稳定，摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目，新工厂总投资超过3.3亿元，设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备，大幅提升产能和品质，以满足5G等重点领域国产替代的急迫需求。
容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G（NP0）介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的宽温范围内，容值变化率小于±0.5%。同时，容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力，最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性，避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元（ECU）、航空航天设备的热敏感区域，简化了热管理设计。采用低阻抗电极箔，进一步降低了电容的损耗。
Dalicap电容表现出的高温性能。其特种陶瓷介质和电极系统能够承受高达+200°C甚至+250°C的持续工作温度，而容值漂移和绝缘电阻仍保持在优异水平。这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（ECU）、涡轮增压器附近等高温区域，无需复杂的冷却系统，简化了设计并提高了系统的整体可靠性。极低的电介质吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模拟电路中表现出色。DA效应犹如电容的“记忆效应”，会在快速充放电后产生残余电压。Dalicap电容的DA典型值可低至0.1%，远低于普通陶瓷电容，这使其成为构建高精度采样保持电路（SHA）、积分器和精密ADC/DAC的理想选择，有效避免了测量误差。在功率因数校正（PFC）电路中是至关重要的组件。DLC70E4R7BW362XT
其电容在工业自动化设备中提供高效的电源滤波和能量缓冲。DLC75D7R5BW251NT
公司产品远销美国、日本、英国、法国、德国等40余个国家，服务千余家客户，成为西门子医疗、通用电气、安捷伦、飞利浦医疗、三星等全球有名企业的很好供应商。这体现了其产品品质得到了国际市场的宽泛认可。Dalicap电容在高频谐振电路和滤波器中展现出高Q值（品质因数）特性，通常在数千量级。这使得由其构建的滤波器具有极低的插入损耗和极高的带外抑制能力，振荡器则具有更低的相位噪声和更高的频率稳定性，提升了系统整体性能。公司投入大量资源进行研发创新，其高Q值、射频微波多层瓷介电容器项目获第七届中国创新创业大赛全国总决赛电子信息行业成长组一等奖，高Q/高功率型多层片式瓷介电容器关键技术开发与产业化项目获辽宁省科学技术进步奖二等奖，彰显了其技术实力。DLC75D7R5BW251NT
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