该系统在拓扑量子材料研究领域具有前瞻性应用。拓扑绝缘体、狄拉克半金属等新型量子材料因其奇特的物理性质而备受关注,如碲化铋、碲化钼等。利用MBE技术,可以在绝缘衬底上实现原子级平整的拓扑绝缘体薄膜的外延生长。通过与其他材料(如磁性掺杂的超晶格)结合,可以研究其表面态的拓扑输运性质,并为未来低功耗电子器件和拓扑量子计算提供材料基础。除此之外,在新能源材料探索方面,该系统是制备高效催化剂薄膜的理想平台。例如,用于电解水制氢的析氧反应催化剂,其活性与表面原子结构密切相关。利用PLD技术,可以精确制备出具有特定晶面取向的钙钛矿氧化物、尖晶石氧化物薄膜模型催化剂。通过在这种清洁、结构明确的模型体系上进行电化学测试和原位表征,能够建立催化剂结构与性能之间的构效关系,为指导设计下一代高效、稳定的实用化催化剂提供理论基础。与普通 MBE 系统比,该 PLD 系统性价比更高,适合研究级应用。脉冲激光外延系统售价

对于第三代半导体主要材料氮化镓(GaN)及其相关合金,系统同样展现出强大的制备能力。虽然传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)是GaN基光电器件的主流生产技术,但PLD-MBE系统在探索新型GaN基材料、纳米结构以及高温、高频电子器件应用方面具有独特优势。它可以在相对较低的温度下生长GaN,减少了对热敏感衬底的热损伤风险,并且能够灵活地掺入各种元素以调控其电学和光学性质,为实验室级别的材料探索和原型器件制作提供了强大的工具。超高真空外延系统端口系统支持高分子材料辅助脉冲激光沉积工艺。

气体流量控制异常的处理方法。如果质量流量计(MFC)读数不稳定或无法控制,首先检查气源压力是否在MFC要求的正常工作范围内,压力过高或过低都会影响其精度。其次,检查气路是否有堵塞或泄漏。可以尝试在不开启真空泵的情况下,向气路中充入少量气体,并用检漏仪检查所有接头。MFC本身也可能因内部传感器污染而失灵,尤其是在使用高纯氧气时,微量的烃类污染物可能在传感器上积聚。这种情况下,可能需要联系厂家进行专业的清洗和校准。
设备的自动化控制功能为科研工作带来了极大的便利和高效性。以自动生长程序编写为例,科研人员可通过PLC单元和软件,根据实验需求精确设定各项参数,如分子束的流量、基板的加热温度、沉积时间等,将这些参数按照特定的顺序和逻辑编写成自动生长程序。在运行程序时,设备能严格按照预设步骤自动执行,无需人工实时干预,较大节省了人力和时间成本。
石英晶体微天平(QCM)也是重要的原位监测工具,它基于石英晶体的压电效应,通过测量晶体振荡频率的变化来实时监测薄膜的沉积速率和厚度。在薄膜沉积过程中,随着薄膜厚度的增加,石英晶体的振荡频率会发生相应变化,通过预先建立的频率与厚度的关系模型,就可以精确地监测薄膜的生长情况。 扫描型差分 RHEED 实时监控,助力科研人员及时调整工艺参数。

在完成检查且确认无误后,按照以下步骤启动设备。先打开总电源开关,为设备提供电力。然后启动真空泵,开始抽真空,观察真空计的读数,当真空度达到设备要求的基本压力范围,即从 5×10⁻¹⁰至 5×10⁻¹¹mbar 时,可进行后续操作。在启动过程中,要密切关注设备各部件的运行状态,如发现异常声音、振动或异味等情况,应立即停止启动,排查故障。
实验结束后,要按照正确的步骤关闭设备。首先停止沉积过程,关闭激光器和相关的加热装置,停止向设备输入能量。然后逐渐降低真空度,先关闭分子泵,再关闭机械泵,然后打开放空阀门,使设备内的压力恢复到大气压。在关闭真空泵时,要注意先关闭与真空系统相连的阀门,防止泵油倒吸进入真空系统。 激光照射靶材时,开启靶自动旋转功能,提升成膜均匀性。小型分子束外延系统欧美
超高真空挡板阀若出现卡顿,需及时检查并清洁阀芯。脉冲激光外延系统售价
本产品与CVD技术对比,CVD(化学气相沉积)技术通过化学反应在气相中生成固态薄膜,与本产品在多个方面存在明显差异。在反应条件上,CVD通常需要在较高温度下进行,一般在800-1100°C,这对一些对温度敏感的材料和衬底来说,可能会导致材料性能改变或衬底变形。本产品的沉积过程温度可在很宽的范围内控制,从液氮温度到1400°C,能满足不同材料的生长需求,对于一些不能承受高温的材料,可在低温环境下进行沉积,避免材料性能受损。脉冲激光外延系统售价
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