RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

东莞市晟鼎精密仪器有限公司的 RPS 远程等离子体源,突破半导体领域的应用局限,向多个行业拓展,展现出宽泛的适用性。在电子制造行业,RPS 用于电路板的精密清洗,去除表面残留污染物,提升电路性能;在新能源行业,RPS 用于光伏电池的表面处理,增强光吸收能力,提高转换效率;在医疗器械行业,RPS 用于植入体的表面改性,提升生物相容性。RPS 设备可根据不同行业的加工需求,调整工艺参数与气体配比,实现定制化加工。晟鼎精密针对不同行业推出了特用 RPS 解决方案,配备相应的工艺参数数据库与操作规范,帮助客户快速上手使用。该 RPS 多行业应用方案已获得多个行业客户的认可,成为跨领域高精度加工的中心 RPS 设备。晟鼎RPS拥有高可靠点火方式。晟鼎RPS服务电话

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RPS远程等离子源在医疗设备制造中的卫生标准:医疗设备(如植入物或手术工具)需要极高的清洁度和生物相容性。RPS远程等离子源能够彻底去除有机残留物和微生物污染物,满足严格的卫生标准。其非接触式过程避免了二次污染,确保了设备的安全性。例如,在钛合金植入物制造中,RPS远程等离子源可用于表面活化,促进细胞附着。同时,其在低温下操作的能力使其适用于热敏感材料。通过采用RPS远程等离子源,制造商能够符合FDA和ISO认证要求。江苏国产RPS原理适用于特种材料科研开发的超真空表面处理。

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随着3D NAND堆叠层数突破500层,深孔刻蚀后的残留物清洗成为技术瓶颈。RPS远程等离子源利用其优异的自由基扩散能力,可有效清理 深宽比超过60:1结构底部的聚合物残留。通过优化远程等离子体参数,在保持刻蚀选择比大于100:1的同时,将晶圆损伤深度控制在2nm以内。某存储芯片制造商在引入RPS远程等离子源后,将深孔清洗工序的良品率从87%提升至96%,单 wafer 处理成本降低30%。RPS远程等离子源在化合物半导体工艺中的优势在GaN、SiC等宽禁带半导体制造中,RPS远程等离子源展现出独特价值。其低温处理特性(<150℃)有效避免了化合物材料的热分解风险。通过采用Cl2/BCl3混合气体的远程等离子体刻蚀,实现了GaN材料的各向异性刻蚀,侧壁垂直度达89±1°。在HEMT器件制造中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在1010/cm²·eV量级,明显 提升了器件跨导和截止频率。

东莞市晟鼎精密仪器有限公司的 RPS 定位系统,为物流仓储行业提供了高效的资产管理与流程优化方案。在大型仓库中,RPS 通过超宽带、蓝牙信标等定位技术,实现对货物、托盘、叉车等资产的实时位置追踪,管理人员可通过终端设备快速查询资产位置,大幅减少寻找时间。RPS 定位系统支持资产出入库自动记录,实现库存数据的实时更新,避免人工统计导致的误差;通过与仓储管理系统联动,RPS 可优化货物存储位置,提高仓库空间利用率。在货物分拣环节,RPS 可引导分拣人员快速定位目标货物,提升分拣效率;在货物运输过程中,RPS 实时监控运输状态,确保货物安全。该 RPS 物流仓储解决方案已应用于多家大型物流企业,帮助企业降低运营成本,提升管理效率,成为物流智能化升级的中心 RPS 技术。为纳米压印模板提供深度清洁。

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在薄膜沉积工艺(如PVD、CVD)中,腔室内壁会逐渐积累残留膜层,这些沉积物可能由聚合物、金属或氧化物组成。随着工艺次数的增加,膜层厚度不断增长,容易剥落形成颗粒污染物,导致器件缺陷和良品率下降。RPS远程等离子源通过非接触式清洗方式,将高活性自由基(如氧自由基或氟基自由基)引入腔室,与残留物发生化学反应,将其转化为挥发性气体并排出。这种方法不仅避免了机械清洗可能带来的物理损伤,还能覆盖复杂几何结构,确保清洗均匀性。对于高级 CVD设备,定期使用RPS远程等离子源进行维护,可以明显 减少工艺中断和缺陷风险,延长设备寿命。在汽车电子中确保恶劣环境下可靠性。上海国内RPS生产厂家

远程等离子体源以其高效、无损伤的处理效果,在半导体制造中发挥着越来越重要的作用。晟鼎RPS服务电话

东莞市晟鼎精密仪器有限公司推出的 RPS 远程等离子源,是半导体先进制程中的关键中心设备。RPS 采用电感耦合等离子体技术,通过单独腔室生成高密度等离子体,经远程传输区筛选后,只让中性自由基进入主工艺腔,从根源避免离子轰击对晶圆的物理损伤。在 5nm 以下节点芯片制造中,RPS 展现出优越的工艺适配性,无论是 FinFET 还是 GAA 晶体管加工,都能精细控制侧壁粗糙度与晶格缺陷。RPS 支持 Ar、O₂、NF₃等多种工艺气体配比调节,可实现 SiO₂与 SiN 的刻蚀选择比超过 100:1,满足高深宽比通孔的均匀加工需求。晟鼎精密的 RPS 设备在 300mm 晶圆处理中,能将刻蚀均匀性控制在 ±2% 以内,长时间运行稳定性强,为半导体量产提供可靠保障,成为逻辑芯片、存储器件制造中的推荐 RPS 解决方案。晟鼎RPS服务电话

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