随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。微型芯片封装难度大，中清航科微缩技术，实现小体积承载强性能。浙江dil封装管壳
芯片封装在人工智能领域的应用：人工智能芯片对算力、能效比有极高要求，这对芯片封装技术提出了更高挑战。中清航科针对人工智能芯片的特点，采用先进的3D封装、SiP等技术，提高芯片的集成度和算力，同时优化散热设计，降低功耗。公司为人工智能领域客户提供的封装解决方案，已成功应用于深度学习服务器、智能安防设备等产品中，助力人工智能技术的快速发展和应用落地。想要了解更多内容可以关注我司官网，同时欢迎新老客户来电咨询。浙江dil封装管壳芯片封装自动化是趋势，中清航科智能产线，实现高效柔性化生产。
面向CPO共封装光学，中清航科开发硅光芯片耦合平台。通过亚微米级主动对准系统，光纤-光栅耦合效率＞85%，误码率＜1E-12。单引擎集成8通道112GPAM4，功耗降低45%。中清航科微流控生物芯片封装通过ISO13485认证。采用PDMS-玻璃键合技术，实现5μm微通道密封。在PCR检测芯片中，温控精度±0.1℃，扩增效率提升20%。针对GaN器件高频特性，中清航科开发低寄生参数QFN封装。通过金线键合优化将电感降至0.2nH，支持120V/100A器件在6GHz频段工作。电源模块开关损耗减少30%。
芯片封装的发展历程：自20世纪80年代起，芯片封装技术历经多代变革。从早期的引脚插入式封装，如DIP（双列直插式封装），发展到表面贴片封装，像QFP（塑料方形扁平封装）、PGA（针栅阵列封装）等。而后，BGA（球栅阵列封装）、MCP（多芯片模块）、SIP（系统级封装）等先进封装形式不断涌现。中清航科紧跟芯片封装技术发展潮流，不断升级自身技术工艺，在各个发展阶段都积累了丰富经验，能为客户提供符合不同时期技术标准和市场需求的封装服务。中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。中清航科芯片封装工艺，通过低温键合技术，保护芯片内部敏感元件。qfn32封装
芯片封装良率影响成本，中清航科工艺改进，将良率提升至行业前列。浙江dil封装管壳
中清航科可延展电子封装实现200%形变耐受。银纳米线导电网络电阻变化率＜5%，结合自愈合弹性体，使电子皮肤寿命超5万次弯折。医疗监测设备通过FDA认证。面向5G滤波器，中清航科开发SAW芯片气密封装。氮化铝压电薄膜搭配金凸点倒装，使2.6GHz滤波器插损＜1.5dB，带外抑制＞55dB。温度稳定性达-25ppm/℃。中清航科碲锌镉探测器封装突破能量分辨率。钨铜屏蔽结构使本底噪声降低90%，在122keV伽马射线探测中分辨率达5.1%。核医疗设备成像清晰度提升40%。浙江dil封装管壳
