从消费类无人机到工业机器人,电机驱动对MOSFET的可靠性、抗冲击电流能力和并联均流特性提出了极高要求。芯技MOSFET为电机驱动应用进行了专项优化,其宽广的SOA确保了在启动和堵转等瞬态大电流工况下的安全性。我们的产品通常具备低至纳伏级的导通电阻正温度系数,这为多管并联应用提供了天然的电流自动均衡能力,简化了驱动电路设计。此外,芯技MOSFET拥有强健的体二极管,其软恢复特性有效抑制了在H桥电路中因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰,保障了电机控制系统的平滑、安静运行。清晰的规格书,列出了MOS管的各项参数。广东大电流MOSFET新能源汽车

在开关电源的应用领域,MOS管的开关特性是需要被仔细考量的。开关过程中的上升时间、下降时间以及米勒平台效应,都会对电源的转换效率与电磁兼容性表现产生影响。我们针对这一应用场景,推出了一系列开关特性经过调整的MOS管产品。这些产品在典型的开关频率下,能够呈现出较为清晰的开关波形,有助于抑制电压过冲和振铃现象。这对于提升电源的稳定性,并降低其对系统中其他敏感电路的干扰,是具有实际意义的。我们的技术支持团队可以根据您的具体拓扑结构,提供相应的测试数据以供参考。安徽小信号MOSFET批发在逆变器电路中,这款MOS管是一种可行选择。

随着氮化镓技术的兴起,传统硅基MOSFET也在高频领域不断突破自我。芯技MOSFET通过大幅降低栅极电荷和输出电容的乘积,专为高频开关电源而优化。降低Qg意味着驱动损耗的直线下降,而降低Coss则减少了在软开关拓扑中的环流损耗。我们的部分高频系列产品特别适用于对功率密度有追求的CRM PFC或LLC谐振变换器,其开关频率可达数百KHz甚至MHz级别。采用高频芯技MOSFET,允许您使用更小的磁性和电容元件,从而实现电源产品在体积和重量上的突破性减小。
MOSFET结构中固有的体二极管在桥式电路、电感续流中扮演着重要角色。芯技MOSFET对其体二极管进行了优化,致力于改善其反向恢复特性。一个具有快速恢复特性的体二极管能够降低在同步整流或电机驱动换向过程中的反向恢复电流和由此产生的关断损耗,同时抑制电压尖峰。然而,需要明确的是,即使经过优化,其性能仍无法与专业的快恢复二极管相比。因此,在体二极管需要连续导通或承受高di/dt的苛刻应用中,我们建议您仔细评估其耐受能力,或考虑在外部分立一个高效的肖特基二极管,以保护芯技MOSFET的体二极管免受损伤。精选MOS管,极低内阻超快开关,为您的电源设计注入基因。

热管理是功率器件应用中的一个持续性课题。MOS管在导通和开关过程中产生的损耗,会以热量的形式表现出来。如果热量不能及时被散发,将导致结温升高,进而影响器件性能,甚至引发可靠性问题。我们提供的MOS管,其数据手册中包含了详细的热参数信息,如结到环境的热阻值。这些数据可以帮助您进行前期的热仿真分析,评估在预期功耗下MOS管的温升情况,从而指导散热设计。合理的散热方案,是保证MOS管在额定功率下长期工作的一个条件。低栅极电荷设计有效降低了驱动损耗,简化了电路布局。浙江高耐压MOSFET工业控制
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