集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景:AI芯片能效比(Performance per Watt)成为核心竞争力,尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU,支持nA级静态电流与A级动态电流测量; 可捕获微秒级浪涌电流(Inrush Current)与电压塌陷(Voltage Droop); 支持FVMI/FIMV等模式,绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性(PI)与低功耗策略(如电源门控),打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本,抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级,测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力,使单颗芯片测试成本降低70%以上,测试效率呈指数级提升。为国产AI芯片大规模量产提供“超级测试流水线”,实现“测得快、卖得起、用得稳”。开放软件生态(GTFY + C++ + Visual Studio)——加速AI芯片创新迭代 背景:AI架构快速演进(如存算一体、类脑计算),需高度灵活的测试平台。开放编程环境支持自定义测试逻辑,高校与企业可快速开发新型测试方案。不仅是量产工具,更是科研创新的“开放实验台”,推动中国AI芯片从“跟随”走向“**”。GT600可验证谷歌TPU、华为昇腾等定制化AI芯片复杂电源门控网络、多电压域上电时序与高密度I/O功能。杭州国磊GEN测试系统价位

在“双碳”目标与数据中心PUE限制日益严格的背景下,AI芯片的能效比(TOPS/W)已成为核心竞争力。GT600集成高精度PPMU(每引脚参数测量单元),支持从nA级静态漏电到数安培动态电流的全范围测量,并具备微秒级瞬态响应能力,可精细捕捉电压塌陷、浪涌电流等关键电源事件。这一能力使芯片设计团队能在测试阶段绘制详细的功耗-性能曲线,优化电源门控策略、时钟门控逻辑及低功耗模式切换机制。对追求***能效的国产AI加速器而言,GT600不仅是验证工具,更是“每瓦特算力”的精算师,助力中国AI芯片在全球绿色计算浪潮中占据先机。深圳GEN测试系统行价国磊GT600可选配高精度SMU板卡,实现nA级电流测量分辨率,适用低功耗LDO、DC-DC电源管理芯片静态电流测试。

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下,数据中心能耗成为焦点,芯片能效比(Performance per Watt)成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗,结合FVMI(强制电压测电流)模式,绘制完整的功耗-性能曲线,帮助设计团队优化电压频率调节(DVFS)策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落,防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试,模拟数据中心7x24小时运行场景,筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本,适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者,更是能效的“精算师”,助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。
工业物联网的“量产引擎” 工业物联网(IIoT)设备对芯片的可靠性与成本极为敏感,且需求量大。杭州国磊GT600的512站点并行测试能力,可一次测试512颗MCU或传感器芯片,极大提升测试吞吐量,***降低单颗测试成本。据行业测算,同测数每翻一倍,测试成本可下降30%以上。杭州国磊GT600支持长时间老化测试,筛选出能在高温、高湿、强电磁干扰环境下稳定运行的“工业级”芯片。其GTFY系统支持STDF数据导出,可无缝对接工厂MES系统,实现良率分析与智能制造。杭州国磊GT600以“高效率、高可靠、低成本”的优势,为国产IIoT芯片的大规模量产提供强大引擎,助力中国智造走向全球。电阻测量范围10⁶–10¹⁴Ω,满足高阻值测试需求,数据准确可靠。

支持复杂测试向量导入,加速算法验证闭环 智能驾驶芯片的**价值在于其内置的AI推理引擎能否准确执行感知与决策算法。杭州国磊GT600支持从其他测试平台导入测试程序与向量,并兼容STDF、CSV、Excel等多种数据格式,便于将仿真环境中的算法测试用例直接转化为ATE(自动测试设备)可执行的测试向量。例如,可在GT600上加载真实道路场景下的图像识别或目标检测激励序列,验证NPU在极限负载下的响应正确性与时延表现,从而构建“算法—芯片—测试”一体化验证闭环。国磊GT600SoC测试机支持多种面向复杂SoC的具体测试流程,涵盖从基本功能验证到高精度参数测量的完整链条。赣州PCB测试系统研发
国磊GT600测试机可有效支持90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、12nm、7nm等主流CMOS工艺节点的电源门控测试。杭州国磊GEN测试系统价位
杭州国磊(Guolei)SoC测试系统(以GT600为**)虽主要面向高性能系统级芯片(SoC)的数字与混合信号测试,但凭借其高精度模拟测量、灵活电源管理、高速数字接口验证及并行测试能力,能够有效支持多种MEMS(微机电系统)。以下是其具体支持的典型MEMS应用场景:1.惯性测量单元(IMU)IMU广泛应用于智能手机、无人机、AR/VR设备及智能驾驶系统,通常集成3轴加速度计+3轴陀螺仪(6DoF)甚至磁力计(9DoF)。其配套ASIC需完成微弱电容信号调理、Σ-ΔADC转换、温度补偿和SPI/I²C通信。杭州国磊(Guolei)支持点:利用24位高精度Digitizer板卡捕获nV~μV级模拟输出;通过TMU(时间测量单元)验证陀螺仪响应延迟与带宽;使用400MHz数字通道测试高速SPI接口时序(眼图、抖动);PPMU每引脚**供电,精确测量各工作模式功耗。 杭州国磊GEN测试系统价位
MEMS射频开关与滤波器(RFMEMS)用于5G通信前端模块,具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件,但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊(Guolei)支持点:测试驱动IC的开关时序(TMU精度达10ps);验证控制逻辑与使能信号的数字功能;测量驱动电压(可达7V)与静态/动态功耗;虽不直接测S参数,但可确保控制电路可靠性,间接保障RF性能。光学MEMS(如微镜、光开关)应用于激光雷达(LiDAR)、投影显示(DLP替代)、光通信。其驱动ASIC需提供高精度PWM或模拟电压控制微镜偏转角度。杭州国磊(Guolei)支持点:AWG输出多通道模拟控制波形,验证微镜响应...