多层片式陶瓷电容器基本参数
  • 品牌
  • 成都三福
  • 型号
  • S系列多层片式陶瓷电容器;软瑞子系列多层片式陶瓷电容器
多层片式陶瓷电容器企业商机

电容量是 MLCC 的性能参数之一,其取值范围跨度极大,从几十皮法(pF)到几十微法(μF)不等,可满足不同电路对电荷存储能力的需求。在实际应用中,电容量的选择需结合电路功能来确定,例如在射频电路中,通常需要几十到几百皮法的小容量 MLCC 来实现信号耦合或滤波;而在电源管理电路中,为了稳定电压、抑制纹波,往往需要几微法到几十微法的大容量 MLCC。同时,MLCC 的电容量还会受到工作温度、直流偏置电压的影响,在高温或高偏置电压条件下,部分类型 MLCC 的电容量可能会出现一定程度的衰减,因此在选型时需要充分考虑实际工作环境因素。高介电常数陶瓷介质助力多层片式陶瓷电容器在小尺寸下实现大容量。广东高容量多层片式陶瓷电容器工业控制电路代理

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高频 MLCC 是适应高频电路发展的重要产品类型,主要应用于射频通信、卫星通信、雷达等高频电子设备中,需要在高频工作条件下保持稳定的电容量、低损耗和良好的阻抗特性。为实现高频性能,高频 MLCC 通常采用 I 类陶瓷介质材料,这类材料具有优异的高频介电性能,在高频段的损耗角正切值小,电容量稳定性高;同时,高频 MLCC 的结构设计也会进行优化,如减小电极尺寸、优化电极形状,以降低寄生电感和寄生电阻,提高其在高频段的匹配性能。此外,高频 MLCC 的封装尺寸也会根据高频电路的需求进行调整,小尺寸封装的高频 MLCC 能更好地适应高频电路的布局要求,减少信号传输路径上的损耗和干扰。随着 5G、6G 通信技术的发展,高频 MLCC 的需求将不断增加,对其工作频率上限、损耗特性和可靠性的要求也将进一步提高。天津高绝缘电阻多层片式陶瓷电容器电力电子电路多层片式陶瓷电容器的烧结工艺直接影响陶瓷介质的致密化程度和性能。

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MLCC的全球市场格局呈现 “ 集中、中低端竞争” 的态势, 市场由日本村田、TDK,韩国三星电机主导,村田的车规级 MLCC 全球市占率超过 35%,其开发的 - 55℃~+175℃高温 MLCC,可适配新能源汽车发动机舱的极端环境;三星电机则在高频 MLCC 领域,其 5G 基站用 MLCC 的 ESR 可低至 5mΩ 以下,支持 26GHz 毫米波频段。中国台湾地区的国巨、华新科在消费电子 MLCC 市场占据优势,国巨通过收购基美、普思等企业,实现了从 01005 到 2220 封装的全系列覆盖。中国大陆企业如风华高科、三环集团近年来加速追赶,在中低端 MLCC 市场(如消费电子充电器、小家电)的市占率已超过 20%,同时加大车规级 MLCC 研发投入,部分产品已通过 AEC-Q200 认证,逐步打破国际企业的垄断。

多层片式陶瓷电容器在智能穿戴设备中的应用面临 “微型化” 与 “高容量” 的双重挑战,这类设备体积通常在几立方厘米以内,却需集成电源管理、传感器、无线通信等多模块,对 MLCC 的空间占用与性能提出严苛要求。为适配需求,行业推出 01005(0.4mm×0.2mm)、0201(0.5mm×0.25mm)超微型 MLCC,同时通过减薄陶瓷介质层厚度(可达 1μm)、增加叠层数量(可突破 2000 层),在 0201 封装内实现 1μF 的电容量。此外,智能穿戴设备需长期接触人体汗液,MLCC 还需具备抗腐蚀能力,通常采用镍 - 金双层外电极镀层,金层能有效隔绝汗液中的盐分、水分,避免电极腐蚀,确保设备在 1-2 年使用寿命内稳定工作。水性陶瓷浆料的应用推动多层片式陶瓷电容器生产向绿色环保方向发展。

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MLCC 的生产工艺复杂且精密,主要包括陶瓷浆料制备、内电极印刷、叠层、压制、烧结、倒角、外电极制备、电镀、测试分选等多个环节,每个环节的工艺参数控制都会直接影响 终产品的性能和质量。在陶瓷浆料制备环节,需要将陶瓷粉末、粘结剂、溶剂等原料按照精确的比例混合,经过球磨等工艺制成均匀细腻的浆料,确保陶瓷介质的一致性和稳定性;内电极印刷环节则采用丝网印刷技术,将金属浆料(如银钯合金、镍等)印刷在陶瓷生坯薄片上,形成多层交替的内电极结构;叠层环节需将印刷好内电极的陶瓷生坯薄片按照设计顺序精确叠合,保证内电极的对准度;烧结环节是将叠合后的生坯在高温炉中烧结,使陶瓷介质充分致密化,同时实现内电极与陶瓷介质的良好结合,烧结温度和保温时间的控制对 MLCC 的介电性能和机械强度至关重要。多层片式陶瓷电容器采用水性陶瓷浆料后,生产中无挥发性有害气体排放,更环保。云南贴片式多层片式陶瓷电容器安防监控设备供应商推荐

航空航天用多层片式陶瓷电容器需通过-65℃~+200℃极端温度循环测试。广东高容量多层片式陶瓷电容器工业控制电路代理

多层片式陶瓷电容器的等效串联电感(ESL)优化是提升其高频性能的主要方向,在 5G 通信、射频识别(RFID)等高频场景中,ESL 过大会导致信号相位偏移、传输损耗增加。为降低 ESL,MLCC 的结构设计不断创新:一是采用 “叠层交错” 内电极布局,将相邻层的内电极引出方向交替设置,使电流路径相互抵消,减少磁场叠加;二是缩小外电极间距,将传统 1206 封装的外电极间距从 2.5mm 缩短至 1.8mm,进一步缩短电流回路长度;三是开发 “低 ESL 封装”,如方形扁平无引脚(QFN)结构的 MLCC,通过将电极布置在封装底部,大幅降低寄生电感。目前,高频 MLCC 的 ESL 可低至 0.3nH 以下,在 2.4GHz 频段的插入损耗比普通 MLCC 低 2-3dB,满足 5G 基站天线、毫米波雷达等高频设备的需求。广东高容量多层片式陶瓷电容器工业控制电路代理

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