常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。中清航科聚焦芯片封装，用环保材料替代，响应绿色制造发展趋势。上海芯片快速封装
在光学性能优化方面，LED封装厂家通过创新荧光粉涂覆工艺，实现更均匀的光色分布。采用纳米级荧光粉喷涂技术，结合准确的点胶控制，可减少光斑色差，使COB光源的显色指数达到95以上，满足照明与显示场景需求。例如，在商业照明领域，COB光源以其无暗区、光线柔和的特性，广泛应用于商场、展览馆等场所，提升照明品质。在应用实践中，COB技术在显示屏领域优势明显。LED封装厂家通过缩小芯片间距，实现更高的像素密度，助力小间距LED显示屏的发展。从散热到光学，从材料到工艺，LED封装厂家在COB技术上的持续突破，不仅推动了LED产品性能升级，更为照明与显示行业带来了新的发展机遇。上海芯片快速封装航空芯片环境严苛，中清航科封装方案，耐受高低温与强辐射考验。
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。
芯片封装的人才培养：芯片封装行业的发展离不开专业人才的支撑。中清航科注重人才培养，建立了完善的人才培养体系，通过内部培训、外部合作、项目实践等方式，培养了一批既懂技术又懂管理的复合型人才。公司还与高校、科研机构合作，设立奖学金、共建实验室，吸引优秀人才加入，为行业源源不断地输送新鲜血液，也为公司的持续发展提供人才保障。芯片封装的未来技术展望：未来，芯片封装技术将朝着更高度的集成化、更先进的异构集成、更智能的散热管理等方向发展。Chiplet技术有望成为主流，通过将不同功能的芯粒集成封装，实现芯片性能的跨越式提升。中清航科已提前布局这些前沿技术的研发，加大对Chiplet互连技术、先进散热材料等的研究投入，力争在未来技术竞争中占据带头地位，为客户提供更具前瞻性的封装解决方案。中清航科芯片封装技术，支持三维堆叠，突破平面集成的性能天花板。
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112GPAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。中清航科芯片封装技术，平衡电气性能与机械保护，延长芯片使用寿命。浙江微电子封装
中清航科芯片封装方案，适配航天级标准，耐受极端温差与气压考验。上海芯片快速封装
中清航科可延展电子封装实现200%形变耐受。银纳米线导电网络电阻变化率＜5%，结合自愈合弹性体，使电子皮肤寿命超5万次弯折。医疗监测设备通过FDA认证。面向5G滤波器，中清航科开发SAW芯片气密封装。氮化铝压电薄膜搭配金凸点倒装，使2.6GHz滤波器插损＜1.5dB，带外抑制＞55dB。温度稳定性达-25ppm/℃。中清航科碲锌镉探测器封装突破能量分辨率。钨铜屏蔽结构使本底噪声降低90%，在122keV伽马射线探测中分辨率达5.1%。核医疗设备成像清晰度提升40%。上海芯片快速封装
