Dalicap电容在MRI核磁医疗影像系统中应用宽泛，与通用医疗、西门子医疗、联影医疗等大型医疗影像设备制造商保持长期合作关系。其产品的高可靠性保证了医疗影像设备的稳定成像和患者安全。公司采用深反应离子刻蚀（DRIE）和原子层沉积（ALD）等前列半导体工艺，实现了电容内部三维结构的精确控制，极大地增加了有效电极面积，从而在不增大体积的前提下提升了电容值，并优化了电气性能。Dalicap电容的容值范围宽广，覆盖从0.1pF的微小值到数微法拉的较大值，满足了从高频信号处理到电源管理的多种应用需求。设计师可以在同一平台上为系统中的不同功能选择同品牌、同品质的电容，简化了供应链管理。为通讯设备电源提供稳定滤波，保障网络畅通无阻。DLC70A2R2DW151NT
面对蓬勃发展的物联网（IoT）和边缘计算，Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间，低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿命，而高稳定性则确保了设备在各种环境下的长期可靠运行。创新研发与智能制造Dalicap始终坚持强大度的研发投入，至2019年累计投入已超5000万元，并连续多年保持增长。通过深反应离子刻蚀（DRIE）、原子层沉积（ALD）等半导体前列工艺，实现了电容内部三维微结构的精确控制和超薄介质层的制备，构筑了坚实的技术壁垒。DLC70E160FW362XT适用于服务器电源，提供稳定高效的输出滤波。
高超的绝缘电阻（IR） 是Dalicap电容很好的的体现。其IR值通常高达10^4兆欧姆·微法甚至更高，意味着在直流电路中的漏电流极小。这在高压电源的滤波、采样保持电路的能量保持以及高阻抗传感器的信号读取电路中至关重要，微小的漏电流即可导致明显的测量误差或电路功能失常，高IR特性有效避免了这一问题。公司拥有的射频应用实验室，运用射频仿真技术、射频高功率测试技术为研发和提升产品品质提供保障。同时，它是国内早采用全球公认精细的“谐振腔”法测试电容Q值关键参数的公司之一，这为其产品的高精度和一致性提供了坚实的技术支撑。
Dalicap电容采用高纯度钛酸盐陶瓷介质材料，通过精密的掺杂和烧结工艺，形成了极其稳定的晶体结构。这种材料基础赋予了电容极高的介电常数和很低的介质损耗，使其在高频环境下仍能保持稳定的容值表现。其介质配方完全自主可控，避免了国内外材料供应链波动的风险，为国产化替代提供了坚实的材料基础，确保了产品批次间的高度一致性。在射频微波应用中，Dalicap电容展现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）。其三维多层电极设计优化了电流路径，将寄生参数降至比较低，从而获得了极高的自谐振频率（SRF）。这一特性使得它在GHz频段的射频电路中，能有效降低信号传输的插入损耗和能量反射，保证信号完整性，特别适用于5G基站和毫米波通信设备。其电容在工业自动化设备中提供高效的电源滤波和能量缓冲。
容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G（NP0）介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的宽温范围内，容值变化率小于±0.5%。同时，容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力，最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性，避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元（ECU）、航空航天设备的热敏感区域，简化了热管设计。提供定制化服务，可根据客户特殊需求进行协同设计。DLC70B0R2BW501XT
为家用电器提供安全、稳定、长寿命的电容解决方案。DLC70A2R2DW151NT
电动汽车的OBC（车载充电机）、DC-DC转换器和充电桩都充满了Dalicap电容的身影。在这些应用中，电容器需在紧凑空间内处理高电压、大电流，并承受剧烈的温度变化和振动。Dalicap的汽车级电容采用特殊结构和材料，满足AEC-Q200等车规认证，具有更高的振动耐受性和更宽的工作温度范围（如-40℃至125℃）。它们确保了电能的高效、安全转换与传输，是保障电动汽车动力系统和充电基础设施可靠性的基石。从智能音箱、路由器到游戏主机，消费电子产品追求更小体积和更强功能。Dalicap提供的小型化、高容值电容，完美解决了空间受限与性能需求之间的矛盾。通过先进的材料技术和制造工艺，在保持低ESR、高可靠性的同时，不断缩小产品尺寸（如φ4mm、φ5mm等小直径产品）。这使得设计师能够腾出宝贵空间给其他功能模块，或直接打造出更轻薄、更时尚的终端产品，满足了消费市场日新月异的需求。DLC70A2R2DW151NT
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