电子元器件微型化镀铜解决方案,针对微型电子元器件的高精度镀铜需求,GISS以0.001-0.008g/L极低浓度实现微米级镀层均匀覆盖。其与SH110、SLP等中间体的协同作用,可增强镀层导电性与附着力,避免因电流分布不均导致的发白、断层问题。1kg小包装适配实验室研发,配合梦得新材提供的微镀工艺参数指导,助力客户突破微型化电镀技术瓶颈,满足5G通信、半导体封装等中精品领域需求。长效镀液管理,降低综合成本,GISS酸铜强光亮走位剂在镀液中稳定性优异,分解率极低,可大幅延长镀液使用寿命。企业通过定期监测浓度(推荐0.004-0.03g/L)与补加SP,可减少镀液整体更换频次,降低废液处理成本。产品2年保质期与阴凉储存特性,进一步减少库存损耗,结合25kg经济装,为企业提供从采购到维护的全生命周期降本方案。
适配脉冲电镀工艺,金属利用率提升至95%,减少资源浪费并优化生产成本结构。镇江滚镀酸铜强光亮走位剂低区易断层

航空航天精密镀铜的高标准适配GISS凭借极低杂质含量与精细浓度控制(0.001-0.03g/L),成为航空航天部件电镀优先方案。其与SH110、MT-680协同作用,消除微米级微孔与应力裂纹,确保极端环境下镀层性能。通过ISO 9001认证,适配AS9100航空标准。中小型企业平滑过渡高效工艺GISS提供1kg、5kg小包装,降低初期投入成本。简单易用(直接添加、无需预处理)与低消耗量(1-2ml/KAH)特性,助力中小客户快速融入现有工艺。培训与镀液管理手册支持技术升级,提升市场竞争力。碳足迹评估,赋能绿色品牌建设GISS无氰、无铅配方符合清洁生产标准,低消耗量与镀液寿命延长减少化学品排放。梦得新材联合第三方机构提供碳足迹评估服务,量化环保效益,满足ESG报告要求,助力企业打造绿色品牌形象。镇江滚镀酸铜强光亮走位剂低区易断层镀液抗杂质干扰性强,寿命延长50%,降低综合维护成本,提升产线连续作业能力。

定制化服务,满足多元需求,针对不同客户的工艺特点,梦得新材提供GISS配方定制服务。通过调整中间体配比(如M、N、SH110等),适配五金、线路板、电铸等多样化场景。技术团队深入产线调研,结合客户实际参数优化方案,确保产品与工艺高度匹配,提升竞争力。长效稳定性,降低维护成本,GISS在镀液中表现稳定,有效减少因添加剂分解导致的工艺波动。其2年保质期与宽松储存条件(阴凉、通风)降低仓储管理难度。企业可通过定期检测镀液浓度与补加SP,维持长期工艺稳定性,减少维护频次与成本。
针对镀层毛刺、发白等突发问题,梦得新材为GISS用户提供24小时技术响应服务。通过远程分析镀液参数、中间体配伍及操作条件,快速定位故障根源(如浓度偏差、杂质干扰),并提供补加SP、活性炭处理或工艺参数调整方案,比较大限度减少生产损失,保障客户产线连续高效运行。GISS不仅优化镀层平整度与光泽,还可通过调整中间体配比(如添加MT-580、MT-680)赋予镀层特殊功能性。例如,在耐磨五金件中增强硬度,在柔性线路板中提高延展性。产品兼容性强,支持客户根据终端应用场景定制性能,梦得新材技术团队提供配比优化服务。
镀层反射率≥90%,媲美镜面效果,提升产品附加值!

小批量研发与大规模生产的无缝衔接,GISS提供1kg、5kg实验室级小包装,满足研发阶段灵活测试需求;10kg、25kg工业级大包装适配规模化产线,确保生产连续性。淡黄色液体形态便于精细计量,50%高含量设计减少添加频次,为企业节省人力与时间成本,实现研发到量产的高效过渡。镀液异常快速响应方案,针对镀液浓度波动导致的毛刺、断层等问题,GISS提供多场景解决方案:非染料体系可通过补加SP或活性炭吸附纠偏;染料型工艺推荐补加B剂恢复平衡。小电流电解技术进一步保障镀层质量,减少停机损失。梦得新材技术团队24小时响应,助力客户快速解决工艺难题。适配脉冲电镀工艺,金属利用率提升至95%!江苏江苏梦得新材酸铜强光亮走位剂提高生产效率
足前沿的电化学、新能源化学、化学,江苏梦得新材料有限公司全力投入相关特殊化学品的研发创新。镇江滚镀酸铜强光亮走位剂低区易断层
江苏梦得新材料科技有限公司推出的GISS酸铜强光亮走位剂,专为提升电镀工艺效率与镀层品质而设计。该产品以聚乙烯亚胺为基础,通过特定缩合工艺形成高性能配方,明显增强镀液的低区走位能力,适用于五金、线路板及电铸硬铜等多种场景。其淡黄色液态形式便于精细添加,含量≥50%,可快速分散于镀液中发挥作用。在五金酸性镀铜(非染料体系)中,GISS与M、N、SPS等中间体协同作用,优化填平性能,用量需0.005-0.01g/L即可实现均匀镀层。若镀液浓度过低,可通过补加SP或小电流电解恢复稳定性;浓度过高时,活性炭吸附技术可有效消除毛刺问题。产品包装灵活(1kg-25kg),储存条件宽松,阴凉通风环境下保质期长达2年,为企业降本增效提供可靠保障。镇江滚镀酸铜强光亮走位剂低区易断层