扬州XBM3214JFG赛芯现货

赛芯 XR4981A 具备精细的充电电压和电流控制功能，误差可控制在极小范围，能确保医疗设备电池稳定充电，避免因充电异常影响设备正常工作。同时，该 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。首先，芯纳科技拥有完善的品质管控体系，所有赛芯 XR4981A 均直接从原厂采购，每一批次产品都经过严格的质量检测，确保产品 100% 质量且性能达标，为医疗设备的安全运行筑牢道防线。其次，考虑到医疗设备研发周期长、技术需求复杂的特点，芯纳科技提供 7×24 小时技术支持服务，无论客户在产品研发、测试还是量产阶段遇到技术问题，专业工程师都能在 1 小时内响应，及时提供解决方案，比如协助客户进行 IC 与医疗设备的兼容性测试、优化充电电路设计以满足医疗设备的电磁兼容要求等。此外，针对医疗设备厂商小批量试产、大批量量产的不同需求，芯纳科技可灵活调整供货方案，支持多批次、不同数量的采购订单，同时提供具有竞争力的代理价格，帮助医疗设备厂商在控制成本的同时，获得的赛芯 XR4981A 产品。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3204DBA 型号现货充足，满足客户采购计划。扬州XBM3214JFG赛芯现货

3或4串电池组的二级保护芯片主要描述XBM4X30系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。南京XBM7101赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM5244 现货供应，助力客户缩短交货期。

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锂电池作为一种**、轻便的能源存储装置，被广泛应用于手机、笔记本电脑、电动汽车等众多领域。而在锂电池的安全运行中，锂电池保护IC起着至关重要的作用。锂电池保护IC，即锂电池保护集成电路，是专门为保护锂电池而设计的一种芯片。它的主要作用是监测锂电池的工作状态，并在出现异常情况时及时采取措施，以防止锂电池发生过充、过放、过流和短路等危险情况。首先，锂电池保护IC可以防止过充电。当锂电池在充电过程中，电压会逐渐升高。如果充电电压过高，可能会导致锂电池内部发生化学反应，甚至引发损坏等危险情况。锂电池保护IC会实时监测锂电池的充电电压，一旦发现电压超过设定的安全值，就会立即切断充电电路，从而避免过充电的发生。其次，保护IC能够防止过放电。当锂电池在放电过程中，电压会逐渐降低。如果放电电压过低，可能会导致锂电池内部的电极材料受损，影响锂电池的使用寿命。锂电池保护IC会监测锂电池的放电电压，当电压低于设定的安全值时，就会切断放电电路，防止过放电的发生。此外，锂电池保护IC还可以防止过流和短路。在使用锂电池的过程中，如果出现短路或过大的电流，可能会导致锂电池发热、起火甚至损坏。芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3214BCA 现货供应，满足客户多样化采购需求。

锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。韶关DS6066赛芯内置MOS 两节锂保

高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台；扬州XBM3214JFG赛芯现货

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。扬州XBM3214JFG赛芯现货