上海3m1FAB赛芯原厂

多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM325 型号当前现货，满足客户多样化需求。上海3m1FAB赛芯原厂

赛芯 XR4981A，在便携式监控设备场景中表现稳定。便携式监控设备如随身摄像头、移动监控终端等，需要可靠的供电系统支持，赛芯 XR4981A 的高输入输出电压特性，能适配内置电池和外接电源。测试表明，该控制器在监控设备待机时功耗降低 30%，在录制 4K 视频时输出功率稳定，画面不会出现卡顿或中断。其小型化封装设计使监控设备体积缩小，便于隐蔽安装。在户外监控场景中，该控制器的防水防潮性能经过验证，在雨天仍能正常工作，确保监控设备的连续运行。合作企业表示，使用该控制器后，监控设备的故障率降低 9%，维护成本减少，为安防监控系统的灵活部署提供了保障。上海XBM3214DBA赛芯厂家芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM5244 现货供应，助力客户缩短交货期。

3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、

6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。

在便携式医疗设备领域，深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 成为众多医疗设备厂商的优先。便携式医疗设备如心电监测仪、血糖仪等，直接关系到患者的健康安全，对充电 IC 的可靠性、精度和安全性要求严苛。赛芯 XR4981A 具备精细的充电电压和电流控制功能，误差可控制在极小范围，能确保医疗设备电池稳定充电，避免因充电异常影响设备正常工作。同时，该 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM4551 现货在售，为客户提供可靠供货保障。江门6096J9m赛芯厂家

太阳能板供电的锂电池、磷酸铁锂电池充电管理芯片。上海3m1FAB赛芯原厂

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。上海3m1FAB赛芯原厂