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锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。芯纳科技代理赛芯芯片，XBM3215JFG 现货充足，作为代理可保障快速供货。惠州XBM5773赛芯现货

 4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能汕头DS6036赛芯内置MOS 两节锂保太阳能充电管理方案芯片。

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。

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XR4981A，深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯  在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用1000次后，输出电压波动不超过±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用QFN封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。韶关XBM3204BCA赛芯原厂

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深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。惠州XBM5773赛芯现货