惠州XBM3212JFG赛芯方案公司

深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。芯纳科技代理赛芯芯片，XBM3214DCA 现货在售，可快速响应客户采购需求。惠州XBM3212JFG赛芯方案公司

2 串升降压20W~65W 充电器+移动电源单片SOC  1.概述DS3730是一颗集成了协议和升降压的移动电源和充电器二合一单SOC芯片.集成了同步升降压变换器、支持2节电池串联，支持FB控制AC前端电压。有两种工作模式：一种是AC模式，在给电芯充电的同时，也可实现30~65W的快充输出，实现边充边放;另一种就是移动电源模式：支持20W-35W双向充放，支持CC,CA,CCA接口，支持CC-CV切换，支持PD3.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2DC***PLE2.4A等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。2.应用领域充电宝+充电器二合一产品南京XBM4551赛芯原厂芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3214DBA 型号现货在售，货源稳定可靠。

赛芯 XR4981A，在智能玩具供电解决方案中积累经验。智能玩具如遥控汽车、机器人等，对供电系统的稳定性和安全性要求较高，赛芯 XR4981A 的输出电压稳定，能确保电机、传感器等部件的正常工作。实际应用中，该控制器的过流保护功能可防止孩子误操作导致的电路短路，提升了玩具的安全性。其宽输入电压范围适配普通电池和充电电池组，在电池电量下降时仍能维持稳定输出，避免了玩具突然停机。由于采用小型化封装，该控制器为玩具内部节省了空间，便于设计出更复杂的机械结构和功能模块。测试数据显示，搭载该控制器的智能玩具，续航时间比同类产品延长 15%，孩子的玩耍体验更加连贯，为智能玩具的研发提供了可靠的电源支持。

二级保护电路应用场景二级保护电路通常指的是在电子设备中用于防止电压过高或其他异常情况导致设备损坏的电路。以下是二级保护电路的一些常见应用场景：1.电力系统在电力系统中，过压保护电路是至关重要的。当电网中的电压突然增加时，过压保护电路可以保护发电机、变压器和其他关键设备免受过高电压的损害1。2.各种电子设备过压保护电路可以用于保护各种电子设备，如计算机、电话、电视和音频设备等，免受由于电压波动引起的损坏1。3.交通系统在交通系统中，过压保护电路可以保护号灯、电动汽车充电设备和其他交通设施免受供电电压突然升高的损害1。4.工业系统在工业系统中，过压保护电路可以在设备中使用，以保护关键部件和设备免受电压波动和过高电压的损害1。5.通信系统在通信系统中。7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。

 4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。汕头XBM7102赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3212JFG 当前现货，可及时完成订单交付。惠州XBM3212JFG赛芯方案公司

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。惠州XBM3212JFG赛芯方案公司