RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源在柔性电子制造中的适应性柔性电子使用塑料或薄膜基板,对热和机械应力敏感。RPS远程等离子源通过低温操作,避免了基板变形或降解。其非接触式清洗去除了污染物,提升了导电迹线的附着力。在OLED照明或可穿戴设备制造中,RPS远程等离子源确保了工艺的可重复性。随着柔性市场增长,该技术提供了必要的精度和灵活性。RPS远程等离子源的未来发展趋势随着制造业向更小节点和更复杂材料发展,RPS远程等离子源正不断进化。未来版本可能集成AI实时优化,或支持更高频率的等离子体生成。在可持续发展方面,RPS远程等离子源将聚焦于更节能的设计和可回收气体。其应用也可能扩展到新能源或生物医学领域。东莞市晟鼎精密仪器有限公司致力于创新,推动RPS远程等离子源成为智能制造的基石。远程等离子体(RPS)对真空腔体进行微处理,达到去除腔体内部水残留气体,减少残余气体量目的。河南半导体设备RPS等离子体电源

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RPS远程等离子源在纳米压印工艺中的关键作用在纳米压印模板清洗中,RPS远程等离子源通过H2/N2远程等离子体去除残留抗蚀剂,将模板使用寿命延长至1000次以上。在压印胶处理中,采用O2/Ar远程等离子体改善表面能,将图案转移保真度提升至99.9%。实测数据显示,采用RPS远程等离子源辅助的纳米压印工艺,宽达10nm,套刻精度±2nm。RPS远程等离子源在柔性电子制造中的低温工艺针对PI/PET柔性基板,RPS远程等离子源开发了80℃以下低温处理工艺。通过He/O2远程等离子体活化表面,将水接触角从85°降至25°,使金属布线附着力达到5B等级。在柔性OLED制造中,RPS远程等离子源将电极刻蚀均匀性提升至98%,使器件弯折寿命超过20万次。山东pecvd腔室远程等离子源RPS腔体清洗RPS技术广泛应用于半导体制造、光伏产业表面处理等领域。

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远程等离子体源(RPS)是一种用于产生等离子体的装置,它通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。如在CVD等薄膜设备中,RPS与设备腔体连接,进行分子级的清洗。在晶圆制造过程中,即使微米级的灰尘也会造成晶体管污染,导致晶圆废片,因此RPS的清洁性能尤为重要。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤,还因其高度的集成性和灵活性,成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。

RPS远程等离子源应用领域在生物医疗器件,特别是微流控芯片、体外诊断(IVD)设备和植入式器械的制造中,扮演着表面功能化改性的重要角色。许多高分子聚合物(如PDMS、PC、COC)因其优异的生物相容性和易加工性被广 使用,但其表面通常呈疏水性,不利于细胞粘附或液体流动。RPS远程等离子源通过氧气或空气产生的氧自由基,能够高效地在这些聚合物表面引入大量的极性含氧基团(如羟基、羧基),从而将其从疏水性长久性地改变为亲水性。这种处理均匀、彻底,且不会像直接等离子体那样因过热和离子轰击对精细的微流道结构造成损伤。经过RPS处理的微流控芯片,其亲水通道可以实现无需泵驱动的毛细管液流,极大地简化了设备结构,提升了检测的可靠性和灵敏度。在存储芯片制造中提升介质层可靠性。

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RPS远程等离子源在功率器件制造中的可靠性提升:功率器件(如GaN或SiC半导体)对界面质量极为敏感。污染会导致漏电流或击穿电压下降。RPS远程等离子源提供了一种温和的清洁方法,去除表面氧化物和金属杂质,而不引入缺陷。其均匀的处理确保了整个晶圆上的电性能一致性。在高温工艺中,RPS远程等离子源还能用于钝化层沉积前的表面准备。随着电动汽车和可再生能源的普及,RPS远程等离子源帮助提高功率器件的可靠性和寿命。纳米材料(如石墨烯或量子点)对表面污染极为敏感。RPS远程等离子源可用于制备超洁净基板,或对纳米结构进行精确修饰。其可控的化学特性允许选择性去除特定材料,而不损坏底层结构。在催化研究中,RPS远程等离子源还能活化纳米颗粒表面,增强其反应性。通过提供原子级清洁环境,RPS远程等离子源推动了纳米科技的前沿研究。在声学器件制造中提升谐振性能。湖北国产RPS客服电话

远程等离子体源RPS腔体结构,包括进气口,点火口。河南半导体设备RPS等离子体电源

三维NAND闪存堆叠层数的不断增加,对刻蚀后高深宽比结构的清洗带来了巨大挑战。其深孔或深沟槽底部的刻蚀残留物(如聚合物)若不能彻底清理 ,将严重影响后续多晶硅或钨填充的质量,导致电荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS远程等离子源应用领域展现出其独特优势。由于等离子体在远程生成,其主要产物是电中性的自由基,这些自由基具有较好的扩散能力,能够无阻碍地深入深宽比超过60:1的结构底部,与残留物发生化学反应并将其转化为挥发性气体排出。相较于直接等离子体,RPS技术避免了因离子鞘层效应导致的清洗不均匀问题,确保了从结构顶部到底部的均匀清洁,且不会因离子轰击造成结构侧壁的物理损伤。这使得RPS远程等离子源应用领域成为3D NAND制造中实现高良率、高可靠性的主要 技术之一。河南半导体设备RPS等离子体电源

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