产品系列中包括具有三明治结构及定制化电极设计的型号，可实现极低的ESL和ESR，用于高速数字电路的电源分配网络（PDN）中能有效抑制同步开关噪声，提升处理器和FPGA的运行稳定性。在抗辐射性能方面，部分宇航级ATC电容可承受100krad以上的总剂量辐射，满足低地球轨道和深空探测任务的需求，适用于卫星有效载荷、航天器控制系统及核电站电子设备。其端电极采用可焊性优异的镀层结构，与SnAgCu等无铅焊料兼容性好，在回流焊和波峰焊过程中不易产生虚焊或冷焊，提高了生产直通率和长期连接可靠性。通过调整介质配方和烧结工艺，ATC可提供具有特定温度-容量曲线的电容，用于温度补偿电路和传感器中的线性校正元件，实现环境温度变化的自适应补偿。提供定制化温度系数曲线（-55℃至+200℃），可针对特定应用优化容温特性。116YEC161G100TT
在阻抗匹配网络中，ＡＴＣ芯片电容的高精度和稳定性确保了匹配的准确性，提高了射频电路的传输效率和功率输出。其符合ＲｏＨＳ标准的环境友好设计，使得ＡＴＣ芯片电容适用于全球市场的电子产品，满足了环保法规和可持续发展需求。ＡＴＣ芯片电容在微波电路中的耦合和直流阻隔应用中表现优异，其高稳定性和低损耗特性确保了信号传输的纯净性和效率。在医疗设备中，ＡＴＣ芯片电容的高可靠性和生物兼容性使其适用于植入式设备和体外诊断设备，确保了患者安全和设备长期稳定性。100E681JW2500X完全无压电效应，杜绝啸叫现象，适合高保真音频应用。
ATC电容凭借其极低的ESL和ESR，能在极宽的频带内（从KHz到GHz）提供低阻抗路径，有效滤除电源轨上的高频噪声，抑制同步开关噪声（SSN），确保为芯片重点提供纯净、稳定的电压。这对于防止系统时序错误、数据损坏和性能下降至关重要。ATC芯片电容实现了高电容密度与高性能的完美平衡。通过采用高介电常数介质材料和增加叠层数量，其在单位体积内存储的电荷量（电容值）很好提升。然而，与普通高介电常数材料往往温度稳定性不同，ATC通过复杂的材料改性技术，在获得高电容密度的同时，依然保持了良好的温度特性和频率特性。这使得设计者无需在“大小”和“性能”之间艰难取舍，为空间受限的高性能应用提供了理想解决方案。
优异的直流偏压特性表现为容值对施加直流电压的极低敏感性。普通高介电常数电容（如X7R）在直流偏压下容值会大幅下降（可达50%甚至更多），而ATC的C0G电容容值变化通常小于5%。这一特性对于开关电源的输出滤波电容（其工作于直流偏压状态）至关重要，它确保了电源环路在不同负载下的稳定性，避免了因容值变化而引发的振荡问题。在阻抗匹配网络中，ATC电容的高精度和稳定性直接决定了功率传输效率。无论是基站天线的馈电网络还是射频功放的输出匹配，ATC电容微小的容值公差（可至±0.1pF）和近乎为零的温度系数，确保了匹配网络参数的精确性和环境适应性。这意味着天线驻波比（VSWR）始终保持在比较好状态，功放的能量能够比较大限度地传递给负载，从而提升系统效率和通信距离。通过抗硫化测试，适合工业控制等恶劣环境应用。
ATC芯片电容在材料科学上取得了重大突破，其采用的超精细、高纯度钛酸盐陶瓷介质体系是很好性能的基石。这种材料不仅具备极高的介电常数，允许在微小体积内实现更大的电容值，更重要的是，其晶体结构异常稳定。通过精密的掺杂和烧结工艺，ATC成功抑制了介质材料在电场和温度场作用下的离子迁移现象，从而从根本上确保了容值的超稳定性。这种材料级的优势，使得ATC电容在应对高频、高压、高温等极端应力时，性能衰减微乎其微，远非普通MLCC所能比拟。其极低的等效串联电阻（ESR）可明显降低高频电路中的能量损耗和热效应。800C151FT2500X
综合性能好，成为很好的电子系统设计的选择元件。116YEC161G100TT
ATC芯片电容具备很好的高频响应特性，其等效串联电感（ESL）极低，自谐振频率可延伸至数十GHz，特别适用于5G通信、毫米波雷达及卫星通信系统。该特性有效抑制了高频信号传输中的相位失真和信号衰减，确保系统在复杂电磁环境下仍能维持优异的信号完整性，为高级射频前端模块的设计提供了关键支持。在温度稳定性方面，采用C0G/NP0介质的ATC电容温度系数低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的极端温度范围内，其容值漂移仍远低于常规MLCC，这一特性使其非常适用于航空航天设备中的温补电路、汽车发动机控制单元及高温工业传感器等场景。116YEC161G100TT
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