在钙钛矿的应用中，如太阳能电池，其表面性质对于光吸收和载流子传输具有重要影响。较大的接触角可能意味着液体在钙钛矿表面上的润湿性较差，这可能会影响到光吸收层的稳定性和效率。具体来说，如果钙钛矿的接触角较大，那么水分或其他液体在钙钛矿表面上的浸润能力就会较弱，这有助于保护钙钛矿层，增强器件的稳定性。在某些应用中，较大的接触角可能是有利的，例如在制备钙钛矿薄膜的过程中，较大的接触角可能意味着液体在固体表面上的扩散速度较慢，这有助于形成更加均匀的薄膜。精确测量接触角对开发防水防油材料至关重要。福建倾斜型接触角测量仪厂家供应
在燃料电池质子交换膜研发中，膜表面的亲水性（水接触角＜40°）是确保质子传输的关键，通过接触角测量仪测量水在膜表面的动态接触角，可评估膜的吸水与保水性能 —— 动态接触角稳定在 30° 左右，说明膜具备良好的吸水保水能力，质子传导率优。晟鼎精密的接触角测量仪针对电极材料，支持对柔性电极（如卷状电极）与刚性电极（如块状电极）的测量，且样品台可适配惰性气体氛围（可选配手套箱），避免电极材料在空气中氧化影响测量结果。某新能源企业通过该设备研发的正极材料，电解液浸润时间从 30 分钟缩短至 10 分钟，电池充放电效率提升 8%，为新能源电池的高性能研发提供数据支撑。浙江倾斜型接触角测量仪常用知识接触角测量仪可以用于评估生物材料表面的润湿性和亲水性等性质，和生物材质的表面特性。
在半导体晶圆制造流程中，表面清洁度直接影响后续光刻、镀膜、离子注入等工艺的质量，晟鼎精密接触角测量仪是晶圆清洗工艺质量控制的关键设备，通过测量水在晶圆表面的接触角判断清洁效果。晶圆在切割、研磨、光刻等工序后，表面易残留光刻胶、金属离子、有机污染物，这些污染物会破坏晶圆表面的羟基结构（-OH），导致接触角明显变化。清洁后的晶圆表面（如硅晶圆）因富含羟基，水接触角通常＜10°（强亲水性）；若表面存在污染物，接触角会明显增大（如残留光刻胶会使接触角升至 30° 以上），据此可快速判断清洗是否达标。在实际检测中，需将晶圆裁剪为合适尺寸（如 20mm×20mm），固定在样品台并确保水平，采用 sessile drop 法滴加 1-2μL 蒸馏水，采集图像并计算接触角，同时需在晶圆不同位置（中心 + 四角）进行多点测量，确保表面清洁均匀性。该应用可实现清洗工艺的快速检测（单次测量时间＜1 分钟），避免因清洗不彻底导致器件缺陷，保障半导体晶圆的生产质量稳定性。
卫生领域的陶瓷通常有疏水涂层，使得水滚落表面，并带走水垢或污垢。表面疏水性与较大的水接触角相关。我们的光学接触角测量仪可在实验室或现场使用无损技术测量这个变量。同时，疏水涂层的稳定性也可在长期检查中测量。也可以用我们的倾斜型接触角测量滚动角，滚动角是液滴滚落或滑落表面时的表面倾斜度。陶瓷表面的粘合能力的润湿性是粘接陶瓷的必需条件，测量陶瓷表面和粘合剂的表面能和极性和分散组分可以计算粘合剂和陶瓷之间的粘合力。此测量的另一结论是待粘合两种材料之间的界面张力，它是粘合固有的不稳定性的量度，并且应当尽可能地小。接触角测量仪测量金属表面接触角，评估防锈涂层效果。
晟鼎精密接触角测量仪的动态接触角测量功能，主要用于分析液体在固体表面铺展或收缩过程中的接触角变化，捕捉表面润湿性能的动态特征，区别于静态接触角反映稳定状态的局限性。其原理是：在液滴滴落至样品表面的瞬间启动图像采集（帧率≥30fps），持续记录液滴从初始形态到稳定形态的全过程（时间范围 0-300 秒可设），软件通过实时跟踪液滴轮廓变化，每间隔 0.1-1 秒自动计算一次接触角，终生成 “接触角 - 时间” 动态曲线。通过分析曲线特征，可获取液滴铺展速率（接触角下降速率）、平衡时间（接触角稳定所需时间）等关键参数，反映样品表面的润湿性变化规律。例如液体在亲水表面铺展时，接触角会快速下降至稳定值；在疏水表面铺展时，接触角下降缓慢且稳定值较高；若样品表面存在不均匀性（如涂层缺陷），动态曲线会出现波动，反映表面性能的局部差异。该功能为研究表面润湿动力学过程提供了直观工具，拓展了接触角测量仪的应用深度。接触角测量仪通过细胞培养液接触角，评估支架黏附能力。高温接触角测量仪厂家供应
在涂料、制药、化学工业等领域中，深入了解粉末的润湿性对于粉末的加工、成型和应用具有重要的指导作用。福建倾斜型接触角测量仪厂家供应
接触角测量仪，主要用于测量液体对固体的接触角，即液体对固体的浸润性，该仪器能测量各种液体对各种材料的接触角。该仪器对石油、印染、医药、喷涂、选矿等行业的科研生产有非常重要的作用。当液滴自由地处于不受力场影响的空间时，由于界面张力的存在而呈圆球状。但是，当液滴与固体平面接触时，其形状取决于液滴内部的内聚力和液滴与固体间的粘附力的相对大小。当一液滴放置在固体平面上时，液滴能自动地在固体表面铺展开来，或以与固体表面成一定接触角的液滴存在。福建倾斜型接触角测量仪厂家供应
