本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术:参照图1,可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力强的添加剂,由此可能发生氮化物膜没有被完全去除的工序不良(参照图2)。此外,想要将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力弱的添加剂,由此虽然氮化物膜被完全去除,但是可能发生对氧化物膜也造成损伤(damage)的工序不良(参照图3)。以往,为了在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中*将氮化物膜选择性完全去除而选择具有适当水平的防蚀能力的添加剂时,按照添加剂的种类和浓度通过实验进行确认。没有这样的实验确认就选择添加剂实际上是不可能的。选择博洋蚀刻液,提升蚀刻效率,降低成本。安徽哪家蚀刻液蚀刻液价格

提高反应体系的稳定性。当体系中加入过氧化氢后有助于提高过氧化氢的稳定性,避免由于过氧化氢分解而引发的,提高生产的安全性。具体实施方式下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;纯水罐中设有通过电路控制的电磁阀,当纯水温度高于10℃时,电磁阀无法打开。第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用;将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用。亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸需要稀释后使用,hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2无需调配可直接用于制备蚀刻液。第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h。第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。苏州ITO蚀刻液蚀刻液批量定制使用蚀刻液需要什么条件。

所述有机硫化合物具有作为还原剂及络合剂(chelate)的效果。作为所述硫酮系化合物,例如可举出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N,N-三烷基硫脲、N,N,N,N-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲及亚乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并无特别限制,推荐为碳数1至4的烷基。这些硫酮系化合物中,推荐使用选自由作为还原剂或络合剂的效果及水溶性优异的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。作为所述硫醚系化合物,例如可举出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯盐酸盐、乙硫氨酸、2-羟基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳数并无特别限制,推荐为碳数1至4。另外,这些化合物的一部分也可经取代为氢原子、羟基或氨基等其他基。这些硫醚系化合物中,推荐为使用选自由作为还原剂或络合剂的效果优异的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。有机硫化合物的浓度并无特别限制,推荐为%至10重量%,更推荐为%至5重量%。在有机硫化合物的浓度小于%的情况下,无法获得充分的还原性及络合效果,有钛的蚀刻速度变得不充分的倾向,若超过10重量%则有达到溶解极限的倾向。
银蚀刻液主要用于印刷线路板制造,银器及银合金的蚀刻、标牌制作。二、突出特点1.蚀刻速度快,效率高。使用方便。蚀刻最高速度可达2000纳米/秒。2.可循环使用,无废液排放。三、理化指标外观:液体;气味:微;比重:1.05±0.1;pH:偏碱性四、使用方法1.预处理:如银或铜合金表面不洁净,需对表面进行洁净处理,如除油、除杂等。2.蚀刻:(1).将图案模板纸粘附于银板或银器上,再将银蚀刻液用喷淋设备喷于图案处,时间1分钟到几十分钟不定(用户可根据蚀刻要求自行试验时间,因模板纸不同,时间也不同),揭去模板纸,用清水冲掉残物。(2).用100-200T的丝网,75度硬度的聚酯刮胶,将光固化抗蚀刻油墨印刷在基板上,然后将油墨在紫外灯下光照20—30秒钟,(紫外光能量为1000mj/cm2)。用喷淋的方式进行蚀刻,温度50±5℃,压力1-3kg/cm2时间1分钟到几分钟,(具体时间根据蚀刻深度而定)。然后,用1%--3%的氢氧化钠溶液将光固化抗蚀刻油墨溶解出去。哪家的蚀刻液的价格低?

负的值表示厚度减小。上述蚀刻液组合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征,上述氧化物膜推荐包含sio2,上述氮化物膜推荐包含sin。上述蚀刻液组合物用于3dnand闪存制造工序,能够使上述氮化物膜去除工序中发生的副反应氧化物的残留和氧化物膜损伤不良问题**少化。本发明的蚀刻液组合物包含如上选择的添加剂,在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜时,能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良(参照图2)以及氮化物膜虽被完全去除但也造成氧化物膜损伤(damage)的工序不良(参照图3)的发生**少化。因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良在添加剂的防蚀能力强于适宜水平时发生,氧化物膜不良在添加剂的防蚀能力弱于适宜水平时发生。以下,对于本发明的蚀刻液组合物中所包含的磷酸、作为添加剂的硅烷(silane)系偶联剂以及进行更详细的说明。(a)磷酸本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作为主氧化剂可以在使氮化物膜氧化时使用。相对于组合物总重量,上述磷酸的含量为50~95重量%,推荐为80~90重量%。在上述磷酸的含量处于上述含量范围内的情况下。蚀刻液蚀刻后如何判断好坏 ?成都BOE蚀刻液蚀刻液主要作用
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制备装置主体1的内部中间部位活动连接有高效搅拌装置2,制备装置主体1的一侧中间部位嵌入连接有翻折观察板4,制备装置主体1的底端固定连接有装置底座5,装置底座5的内部底部固定连接有成品罐6,装置底座5的顶端一侧固定连接有盐酸装罐7,装置底座5的顶端另一侧固定连接有硝酸装罐8,高效搅拌装置2的内部顶部中间部位活动连接有旋转摇匀转盘12,高效搅拌装置2的内部顶部两侧活动连接有震荡弹簧件14,震荡弹簧件14的顶端固定连接有运转电机组13,运转电机组13的顶端电性连接有控制面板15,高效搅拌装置2的内部中间部位固定连接有致密防腐杆16,致密防腐杆16的内部内侧贯穿连接有搅动孔17,盐酸装罐7的内部一侧嵌入连接有嵌入引流口22,嵌入引流口22的一端固定连接有负压引流器21,负压引流器21的一端固定连接有注入量控制容器18,注入量控制容器18的内部内侧固定连接有注入量观察刻度线19,注入量控制容器18的一侧嵌入连接有限流销20。推荐的,翻折观察板4的内部顶部活动连接有观察窗翻折滚轮401,观察窗翻折滚轮401的底端活动连接有内嵌观察窗402,该装置在进行制备时,具有一定的危险性,工作人员无法直接对其内部的运行状况进行很好的实时查看,通过设置内嵌观察窗402。安徽哪家蚀刻液蚀刻液价格