芯片封装的散热设计：随着芯片集成度不断提高，功耗随之增加，散热问题愈发突出。良好的散热设计能确保芯片在正常温度范围内运行，避免因过热导致性能下降甚至损坏。中清航科在芯片封装过程中，高度重视散热设计，通过优化封装结构、选用高导热材料、增加散热鳍片等方式，有效提升封装产品的散热性能。针对高功耗芯片，公司还会采用先进的液冷散热封装技术，为客户解决散热难题，保障芯片长期稳定运行，尤其在数据中心、高性能计算等领域发挥重要作用。中清航科聚焦芯片封装，用环保材料替代，响应绿色制造发展趋势。红外传感器的封装
芯片封装的环保要求：在环保意识日益增强的现在，芯片封装生产也需符合环保标准。中清航科高度重视环境保护，在生产过程中采用环保材料、清洁能源和先进的废气、废水处理技术，减少对环境的污染。公司严格遵守国家环保法规，通过了多项环保认证，实现了封装生产与环境保护的协调发展，为客户提供绿色、环保的封装产品，助力客户实现可持续发展目标。国际芯片封装技术的发展趋势：当前，国际芯片封装技术呈现出集成化、小型化、高频化、低功耗的发展趋势。先进封装技术如3DIC、Chiplet（芯粒）等成为研究热点，这些技术能进一步提高芯片性能，降低成本。中清航科密切关注国际技术动态，与国际企业和研究机构保持合作交流，积极引进和吸收先进技术，不断提升自身在国际市场的竞争力，为客户提供与国际同步的先进封装解决方案。上海qfn封装芯片封装可靠性需长期验证，中清航科加速老化测试，提前暴露潜在问题。
中清航科深紫外LED封装攻克出光效率瓶颈。采用氮化铝陶瓷基板搭配高反射镜面腔体，使280nmUVC光电转换效率达12%。在杀菌模组应用中，光功率密度提升至80mW/cm²，寿命突破10,000小时。基于MEMS压电薄膜异质集成技术，中清航科实现声学传感器免ASIC封装。直接输出数字信号的压电微桥结构，使麦克风信噪比达74dB。尺寸缩小至1.2×0.8mm²，助力TWS耳机减重30%。中清航科太赫兹频段封装突破300GHz屏障。采用石英波导过渡结构，在0.34THz频点插损＜3dB。其天线封装（AiP）方案使安检成像分辨率达2mm，已用于人体安检仪量产。
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。中清航科芯片封装创新，支持多芯片异构集成，突破单一芯片性能局限。
针对MicroLED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。中清航科芯片封装工艺，通过低温键合技术，保护芯片内部敏感元件。上海半导体封装基板
功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。红外传感器的封装
先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。红外传感器的封装
