国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡,每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域(如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG)的SoC,GT600可为每个域分配**SMU通道,实现各电源域**上电/断电、不同电压值(如1.8V、1.2V、0.9V)同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电(如先VDD_IO,后VDD_CORE)以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间,精确设置各域电压的上升延迟(精度达ms级),验证SoC在正确与错误时序下的行为,确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗,可用于识别某电源域的异常功耗(如漏电、短路)、分析不同工作模式(运行、睡眠、唤醒)下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压(如±5%波动),测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性,评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源(如高压模拟域),可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块,实现与GT600内部SMU的同步操作,构建完整的多电源域测试系统。GM8800是进行PCB板CAF(导电阳极丝)测试的理想选择!绍兴CAF测试系统研发

2025年云栖大会以“云智一体·碳硅共生”为主题,强调AI与实体产业的深度融合。在这一图景中,SoC测试机如国磊GT600正扮演着“碳基世界与硅基智能”之间的关键桥梁角色。AI大模型、Agent与具身智能的落地,**终都依赖于高性能SoC芯片的支撑——无论是云端服务器的AI加速器,还是终端设备的智能处理器。然而,再先进的芯片设计,若无法通过高精度、高效率的测试,便无法实现量产与应用。国磊GT600等SoC测试机正是确保这些“智能硅基大脑”功能完整、性能达标、功耗可控的“***质检官”。“碳硅共生”意味着虚拟智能(碳基信息)与物理芯片(硅基载体)的协同进化。国磊GT600可以通过400MHz高速测试、PPMU精密参数测量、混合信号验证等能力,保障AI芯片在真实场景中稳定运行,推动大模型从云端走向终端。同时,其高同测能力与低功耗设计,也契合绿色计算与智能制造的可持续发展目标。可以说,没有可靠的SoC测试,AI的产业落地就如同无源之水。在云栖大会展现的智能未来背后,国磊GT600这样的SoC测试设备,正是让“云智”真正“共生”的底层基石。 湖州CAF测试系统国磊GT600支持单一部署的NPU芯片如寒武纪、天玑NPU低功耗状态机、唤醒延迟、静态电流与混合信号接口验证。

AI眼镜的崛起标志着消费电子向“感知+计算+交互”一体化演进。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信号器件,测试难度远超传统MCU。国磊GT600测试机凭借nA级电流测量、高精度模拟测试、10ps时序分析、高并行架构与开放软件平台,成为AI眼镜SoC从研发验证到量产落地的关键支撑。它不**满足当前40/28nm节点的测试需求,更具备向更先进工艺延伸的能力。在AI终端加速渗透的浪潮中,GT600为国产可穿戴芯片提供可靠、高效、自主可控的测试解决方案,助力中国智造抢占下一代人机交互入口。
杭州国磊半导体设备有限公司自主研发的GM8800多通道绝缘电阻测试系统**了国内在电化学迁移与绝缘可靠性测试领域的比较高水平。该系统凭借其256通道的强大并行处理能力,可在8秒内完成全部测点的扫描与电阻运算,单通道测试时间低于15ms,支持10^4~10^14Ω的超宽阻值检测,并可根据用户设定进行1~600分钟可自由配置的测试间隔,**长持续测试时间高达9999小时,满足包括IPC-TM-650 2.6.25在内的多项国际标准对CAF试验的严苛要求。GM8800集成高精度电压输出与传感单元,提供0.01V@0-100V、0.1V@100-500V、1V@500-3000V的步进调节精度,配合±0.05V(≤100VDC)与±0.5V(>100VDC)的电压精度,确保测试条件的高度稳定与可重复。系统实时监测电流、温度、湿度等多维度参数,并通过完全屏蔽的低噪声线缆传输信号,有效保障了测量结果的准确性与抗干扰能力。面向新能源汽车、储能系统、**消费电子等快速增长的市场,GM8800在性能上可比肩甚至超越英国GEN3产品,同时凭借更低的采购成本、更便捷的本土服务与技术支持,正助力越来越多中国企业加速实现**测试仪器的自主可控与进口替代。专业的技术支持团队,为您提供周到的服务。

国磊GM8800导电阳极丝(CAF)测试系统是一款性能***、功能***的国产**绝缘可靠性测试平台。该系统最大支持256个测试通道,可同时对大量样品或测试点进行长期加电监测,电阻测量范围宽广(10^4~10^14Ω),精度可靠,能够有效评估在高温高湿环境下电场作用下绝缘材料的离子迁移(CAF)倾向及其绝缘电阻的退化过程。GM8800提供精确可编程的电压激励,内置电源范围0V~±100V,外接偏置电压高达3000V,步进调节精细,电压输出稳定且精度高,并具备快速的电压切换和建立能力。系统测试间隔(1~600分钟)、测试持续时间(1~9999小时)均可自由设定,并配备多重安全报警(如低阻、温湿度超标、电压异常、断电、软件故障)和UPS断电保护功能,确保无人值守长周期测试的万无一失。其软件系统集数据采集、实时显示、历史分析、远程控制于一体,操作便捷,洞察深入。与进口设备如英国GEN3相比,GM8800在关键性能参数上达到同等水平,同时拥有更优的通道性价比、更低的维护成本和更及时的本土化技术支持,非常适用于新能源汽车电子、航空航天电子、**消费电子、半导体封装等领域对绝缘材料及工艺进行苛刻的可靠性验证与筛选,是实现关键测试设备国产化替代的战略性产品。国磊GT600测试机模块化16插槽架构可同时集成数字、AWG、TMU、Digitizer板卡,实现HBM系统级混合信号测试。吉安PCB测试系统价格
国磊GT600提供测试向量转换工具,支持从传统模拟测试平台迁移测试程序,降低工程师学习成本与导入周期。绍兴CAF测试系统研发
当全球HBM市场由三星、SK海力士主导,当先进封装技术成为“卡脖子”关键,国产测试设备的自主可控显得尤为重要。国磊GT600测试机,正是在这一背景下崛起的国产**ATE**。它不**性能对标国际**设备,更以高性价比、本地化服务与持续创新能力,赢得国内头部AI芯片企业的信赖。GT600成功应用于多款集成了HBM接口的GPU与AI加速器测试,验证了其在**领域的实战能力。选择GT600,不**是选择一台测试机,更是选择一条自主可控的国产化路径。国磊GT600——智测HBM芯时代,赋能中国算力新未来!绍兴CAF测试系统研发
MEMS射频开关与滤波器(RFMEMS)用于5G通信前端模块,具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件,但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊(Guolei)支持点:测试驱动IC的开关时序(TMU精度达10ps);验证控制逻辑与使能信号的数字功能;测量驱动电压(可达7V)与静态/动态功耗;虽不直接测S参数,但可确保控制电路可靠性,间接保障RF性能。光学MEMS(如微镜、光开关)应用于激光雷达(LiDAR)、投影显示(DLP替代)、光通信。其驱动ASIC需提供高精度PWM或模拟电压控制微镜偏转角度。杭州国磊(Guolei)支持点:AWG输出多通道模拟控制波形,验证微镜响应...