天津6096J9j赛芯代理

物联网传感器作为物联网系统的 “感知”，广泛应用于智慧农业、工业监测、智能家居等领域，其对供电稳定性和低功耗的要求极高，而深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在该场景中表现出色。赛芯 XR4981A 具备低待机功耗特性，能有效降低物联网传感器的能耗，延长电池使用寿命，减少传感器更换电池的频率，尤其适用于安装在偏远地区、不易维护的物联网传感器设备。同时，该 IC 支持宽电压输入，可适配不同类型的供电电源，满足物联网传感器在复杂环境下的供电需求。作为赛芯 XR4981A 的代理商，深圳市芯纳科技的优势为物联网传感器厂商提供了支持。首先，在货源保障方面，芯纳科技与赛芯原厂建立了长期稳定的合作关系，拥有专属的货源渠道，可确保赛芯 XR4981A 持续稳定供应，避免因市场供需波动导致的缺货问题，保障物联网传感器厂商的批量生产需求。芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3360 型号现货供应，可快速完成订单交付。天津6096J9j赛芯代理

深圳市芯纳科技，为音频设备厂商配备赛芯 XR4981A，在便携式音箱解决方案中积累了丰富经验。便携式音箱对供电系统的稳定性和效率要求较高，赛芯 XR4981A 的高输入输出电压特性，能适配不同规格的电池和功放模块。测试数据显示，搭载该控制器的便携式音箱，续航时间比使用普通控制器的产品延长 10%，在中等音量下可连续播放 12 小时以上。其带载能力确保了音箱在大功率输出时不会出现声音失真，音质表现稳定。由于采用小型化封装，赛芯 XR4981A 为音箱内部节省了更多空间，便于设计出更轻薄的产品，提升了携带便利性。合作的音箱品牌表示，使用该控制器后，产品的售后故障率降低 8%，主要得益于其高效的散热设计，在长时间工作时温度控制在合理范围内，避免了因过热导致的性能下降。赛芯 XR4981A 在便携式音箱中的应用，既满足了音质需求，又兼顾了续航和便携性，成为音频设备厂商的理想选择。江门XBM4451赛芯厂家芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3204JFG 型号现货在售，保障供应链稳定。

   多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。

赛芯 XR4981A，在航模动力系统解决方案中表现突出。航空模型对动力系统的重量和效率要求严苛，赛芯 XR4981A 的 QFN3*3-16 封装重量为 2g，比传统控制器轻 30%，降低了航模的整体重量。其高输出功率能为航模电机提供稳定动力，测试显示，搭载该控制器的航模，续航时间延长 8%，飞行姿态更加稳定。在高速飞行时，该控制器的带载能力确保了电机不会出现动力衰减，操控响应灵敏。其宽输入电压范围适配不同规格的锂电池组，在电池电量变化时仍能维持稳定输出，避免了航模空中失控。合作的航模厂商表示，使用该控制器后，航模的故障率降低 15%，飞行安全性提升，为航空模型的性能提升提供了有力支持。芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3212JFG 当前现货，可及时完成订单交付。

XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片  、4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能DS2730数据手册—降压型PD3.0 C+CA多口快充SOC。苏州XBM3214BCA赛芯厂家

芯纳科技代理赛芯芯片，XBM5774 现货供应，助力客户优化采购流程。天津6096J9j赛芯代理

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。天津6096J9j赛芯代理