具备声表面波射频芯片 CSP 封装技术和 WLP 封装技术，CSP 封装的滤波器、双工器的产品尺寸能够达到 0.9mm×0.7mm、1.6mm×1.2mm，WLP 封装的滤波器、双工器的产品能够达到 0.8mm×0.6mm、1.5mm×1.1mm，符合行业小型化、模组化的发展需求。频率范围广：可以适用的频率为 3.6GHz，能够满足下游客户对多个频段的产品需求，其产品涵盖了从 30KHz 到 3.6GHz 的通信领域。功率耐受高：研制的高功率声表面波滤波器其耐受功率可达 35dBm，是目前常规声表面波滤波器的 3.75 倍，能够满足 5G 智能手机对高功率的技术要求。带宽大：具备大带宽滤波器技术，可以实现 7%-30% 的超大带宽，部分大带宽产品已成功应用于 5G 通信，能够满足下游客户提升无线传输速率的要求。性能优良：凭借自主研发的多项关键技术，能够保证滤波器在电极膜厚、介质膜厚、指条线宽、指条形状等相关参数方面的精确度，从而生产出在频率、损耗和驻波等方面表现良好的滤波器，在常用频段 SAW 滤波器、双工器的部分关键性能指标的表现上已达到国外厂商的产品参数水平，综合性能表现良好。好达声表面滤波器通过激光诱导等离子体刻蚀，电极边缘粗糙度<5nm。HDFB41RSB-B5
好达SAW滤波器助力5G通信自主可控在5G高频段（Sub-6GHz）应用中，好达声表面滤波器通过优化设计实现高频宽带化，如HDF482S-S4支持480-515MHz频段，带宽达35MHz，适配基站及终端设备需求。公司采用IDM模式，整合芯片设计、晶圆制造到封装测试全流程，突破海外技术垄断，已进入华为、小米等供应链，支撑国产5G产业链安全 2 10。2023年全球市场份额提升至1.2%，成为国内SAW领域**供应商之一。好达声表面滤波器覆盖手机全频段需求，例如HDF217A-F11专攻2.1GHz LTE频段，带宽2MHz，带内波动±0.3dB。HDF947E2-S6好达声表面滤波器支持SAW+BAW混合架构设计，实现2.6GHz频段30MHz超窄带滤波。
好达电子的声表面波射频芯片采用先进的CSP（芯片级封装）与WLP（晶圆级封装）技术，通过缩减封装尺寸、优化内部互联结构，使产品体积较传统封装减小40%以上。CSP封装消除了传统引线键合的空间占用，WLP则直接在晶圆上完成封装工艺，提升了空间利用率。这种小型化设计不仅契合消费电子、可穿戴设备等领域对器件微型化的发展趋势，还降低了电路布局的空间压力，为设备集成更多功能提供了可能。更多信息，欢迎咨询深圳市鑫达利电子有限公司！
声表面滤波器的关键工作原理源于压电材料的独特特性，当电信号输入时，压电材料会因逆压电效应产生机械振动，形成沿材料表面传播的声波（即声表面波）；随后，声波在传播过程中经正压电效应重新转化为电信号，完成 “电 - 声 - 电” 的能量转换循环。这一过程中，通过设计叉指换能器的间距、数量等参数，可精细控制声波的频率响应，实现对特定频率信号的筛选与过滤，有效分离出所需频段信号并抑制杂波，为通信设备的信号处理提供高精度的频率选择功能。好达声表面滤波器支持卫星通信S频段（2.2-2.3GHz）信号处理。
HD 滤波器采用微型化设计，其封装尺寸较小可达到 1.0mm×0.8mm，重量为传统滤波器的 1/5。这种体小量轻的特性，极大地降低了对电路空间的占用，便于集成到智能手机、智能手表、无人机等小型化设备中。在设备设计过程中，工程师无需为适配滤波器而放弃其他功能模块的布局空间，为设备向轻薄化、便携化发展提供了有力支持，助力产品在外观设计与用户体验上实现突破。深圳市鑫达利电子有限公司主要经营的产品包括石英晶体振荡器，石英晶体谐振器，宇航级钽电解电容，国军标级钽电解电容，七专级钽电解电容，普军级钽电解电容，工业级钽电解电容声表面谐振器，直插铝电解电容，贴片铝电解电容集成电路、传感器、电容器、电阻器、晶体管、二极管、LED灯等。公司的客户主要涵盖电子制造、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。好达声表面滤波器采用GaAs压电基片材料，表面声波传播速度达2700m/s，提升高频响应特性。HDF947E2-S6
好达声表面滤波器内置声波反射栅阵列，阻带抑制斜率达100dB/MHz。HDFB41RSB-B5
声表面滤波器凭借陡峭的带外抑制特性，能有效衰减电子设备中产生的高次谐波与杂波干扰。在功率放大电路中，晶体管的非线性特性易产生高次谐波，这些谐波若不加以抑制，会干扰其他电路或设备的正常工作；而设备内部的时钟信号、开关电源噪声等杂波也会影响信号质量。声表面滤波器通过精细的频率选择，可将这些干扰信号的强度降低40dB以上，保障电子设备在复杂电磁环境中仍能稳定运行，减少电磁兼容问题。欢迎咨询深圳市鑫达利电子有限公司。HDFB41RSB-B5
