具备声表面波射频芯片 CSP 封装技术和 WLP 封装技术，CSP 封装的滤波器、双工器的产品尺寸能够达到 0.9mm×0.7mm、1.6mm×1.2mm，WLP 封装的滤波器、双工器的产品能够达到 0.8mm×0.6mm、1.5mm×1.1mm，符合行业小型化、模组化的发展需求。频率范围广：可以适用的频率为 3.6GHz，能够满足下游客户对多个频段的产品需求，其产品涵盖了从 30KHz 到 3.6GHz 的通信领域。功率耐受高：研制的高功率声表面波滤波器其耐受功率可达 35dBm，是目前常规声表面波滤波器的 3.75 倍，能够满足 5G 智能手机对高功率的技术要求。带宽大：具备大带宽滤波器技术，可以实现 7%-30% 的超大带宽，部分大带宽产品已成功应用于 5G 通信，能够满足下游客户提升无线传输速率的要求。性能优良：凭借自主研发的多项关键技术，能够保证滤波器在电极膜厚、介质膜厚、指条线宽、指条形状等相关参数方面的精确度，从而生产出在频率、损耗和驻波等方面表现良好的滤波器，在常用频段 SAW 滤波器、双工器的部分关键性能指标的表现上已达到国外厂商的产品参数水平，综合性能表现良好。好达HDF1575A-B2声表滤波器专为GPS系统设计，中心频率1.57542GHz±0.5ppm，支持L1频段信号处理。HDF847E5-S6
好达SAW滤波器通过260℃焊料耐热测试、10-55Hz振动试验及1米跌落冲击测试，确保在工业自动化、能源监测等恶劣环境下长期稳定运行。例如HDR433M-S8谐振器支持-40℃至+85℃宽温操作，频率漂移<±50ppm，适配智能电表、远程控制等高可靠性场景。好达提供全频段定制开发，支持中心频率10MHz至3GHz，带宽0.32MHz至35MHz灵活配置。例如HDF110N-F11针对110.592MHz GPS导航信号优化，带外抑制≥55dB；HDF495C-S6专为医疗设备设计，符合FCC/CE认证。依托自有实验室与快速打样能力，交付周期缩短至4周。深圳好达滤波器销售好达声表面滤波器采用非对称电极结构，带内群延时波动<5ns。
好达声表面滤波器通过选用高稳定性压电材料与精密制造工艺，实现了优异的性能稳定性与可靠性。声表面滤波器凭借压电材料的高频响应特性，工作频率可轻松达到GHz级别，远超传统LC滤波器；同时，通过设计多组叉指换能器结构，能实现较宽的通频带，满足现代通信中高速数据传输对宽频段信号的处理需求。在5G基站的信号收发模块、智能手机的射频前端、卫星通信的信号处理单元等设备中，声表面滤波器承担着分离不同信道信号、抑制带外干扰的关键作用，是现代通信设备实现高效信号处理不可或缺的关键器件。
滤波器作为通信、消费电子、汽车等领域的**器件，其技术路线呈现多元化发展。目前主流技术包括 SAW（声表面波）、BAW（体声波）、IPD（集成无源器件）和LTCC（低温共烧陶瓷）。SAW/BAW：在3G/4G时代占据主导地位，尤其SAW滤波器凭借低成本、低插入损耗（1.5-2.5dB）和***因数（Q值>1000）的优势，广泛应用于手机射频前端 9。但5G高频段（如毫米波）对带宽和温度稳定性要求更高，传统SAW技术面临挑战，需通过**TC-SAW（温度补偿型）和I.HP-SAW（高性能）技术升级。好达声表面滤波器支持MEMS协同封装，实现射频前端模块化集成。
HD滤波器在设计中通过优化叉指换能器的几何参数与基片材料特性，实现了极小的群延迟时间偏差，确保信号在滤波过程中时间延迟一致性，减少信号失真。其良好的频率选择性可精确区分相邻频段的信号，避免串扰；同时，10MHz-3GHz的宽频率选择范围，覆盖了从短波通信到微波通信的主流频段。无论是在要求严格时间同步的雷达系统，还是多频段共存的通信基站，HD滤波器都能稳定发挥作用，保障信号处理的准确性。声表面滤波器凭借压电材料的高频响应特性，工作频率可轻松达到 GHz 级别，远超传统 LC 滤波器；同时，通过设计多组叉指换能器结构，能实现较宽的通频带，满足现代通信中高速数据传输对宽频段信号的处理需求。好达声表面滤波器通过三次谐波抑制设计，有效消除2.4GHz WiFi信号串扰。HDF220A-S3
好达声表面滤波器内置TC-SAW技术，通过温度补偿层降低频率温漂，提升基站滤波器稳定性。HDF847E5-S6
好达电子的声表面波射频芯片采用先进的CSP（芯片级封装）与WLP（晶圆级封装）技术，通过缩减封装尺寸、优化内部互联结构，使产品体积较传统封装减小40%以上。CSP封装消除了传统引线键合的空间占用，WLP则直接在晶圆上完成封装工艺，提升了空间利用率。这种小型化设计不仅契合消费电子、可穿戴设备等领域对器件微型化的发展趋势，还降低了电路布局的空间压力，为设备集成更多功能提供了可能。更多信息，欢迎咨询深圳市鑫达利电子有限公司！HDF847E5-S6
