半导体晶圆传输注塑加工件采用静电耗散型 POM(聚甲醛)与碳纳米管复合注塑。添加 5% 碳纳米管(直径 10nm)通过双螺杆挤出(温度 200℃,转速 300rpm)实现均匀分散,使表面电阻稳定在 10⁶-10⁹Ω,摩擦起电量≤0.1μC。加工时运用微注塑技术,在 1mm 厚载具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽,槽面经等离子体刻蚀(功率 150W,时间 60s)后粗糙度 Ra≤0.05μm,避免晶圆划伤。成品在 Class 10 洁净室环境中,粒子脱落量≤0.05 个 / 小时,且通过 1000 次晶圆传输循环测试,接触电阻波动≤3mΩ,满足 12 英寸晶圆的高精度、低静电传输要求。这款注塑件的螺纹嵌件采用模内注塑工艺,结合强度高于后装配方式。杭州医疗级FDA认证加工件表面喷涂工艺

绝缘加工件的模压成型工艺对温度与压力控制要求严苛,以酚醛层压布板为例,在 160 - 180℃的热压条件下,需维持 15 - 20MPa 压力持续 90 分钟,使树脂充分固化并渗透纤维间隙,成型后的工件密度可达 1.4 - 1.5g/cm³,抗弯强度超过 150MPa。为满足航空航天领域的轻量化需求,部分加工件采用真空压力浸漆(VPI)工艺,将玻璃纤维与硅树脂复合,使材料在 200℃高温下的失重率低于 1%,同时介电损耗角正切值≤0.005,即便在高海拔强紫外线环境中,也能保持长期稳定的绝缘性能。低成本注塑加工件加工绝缘加工件的槽道设计合理,便于导线穿插,提高设备组装效率。

5G 基站用低损耗绝缘加工件,采用微波介质陶瓷(MgTiO₃)经流延成型工艺制备。将陶瓷粉体(粒径≤1μm)与有机载体混合流延成 0.1mm 厚生瓷片,经 900℃烧结后介电常数稳定在 20±0.5,介质损耗 tanδ≤0.0003(10GHz)。加工时通过精密冲孔技术(孔径精度 ±5μm)制作三维多层电路基板,层间对位误差≤10μm,再经低温共烧(LTCC)工艺实现金属化通孔互联,通孔电阻≤5mΩ。成品在 5G 毫米波频段(28GHz)下,信号传输损耗≤0.5dB/cm,且热膨胀系数与铜箔匹配(6×10⁻⁶/℃),满足基站天线阵列的高密度集成与低损耗需求。
以绝缘加工件在特高压输变电设备中的应用,需突破传统材料极限。采用纳米改性环氧树脂制备的绝缘子,通过溶胶 - 凝胶工艺将二氧化硅纳米粒子均匀分散至树脂基体,使介电强度提升至35kV/mm,局部放电起始电压≥100kV。加工时需在真空环境下进行压力浇注,控制气泡含量≤0.1%,固化后经超精密研磨使表面平面度≤5μm,确保与铜母线的接触间隙≤0.02mm。成品在±1100kV直流电压下运行时,体积电阻率维持在10¹⁴Ω·cm以上,且通过1000次热循环(-40℃~120℃)测试无开裂,满足特高压线路跨区域输电的严苛绝缘需求。透明注塑件选用 PMMA 材料,透光率达 92%,杂质含量低于 0.01%。

量子计算低温恒温器注塑加工件采用聚四氟乙烯(PTFE)与碳纤维微球复合注塑,添加 15% 中空碳纤维微球(直径 50μm)通过冷压烧结(压力 150MPa,温度 380℃)成型,使材料密度降至 2.1g/cm³,热导率≤0.1W/(m・K)。加工时运用数控车削(转速 10000rpm,进给量 0.1mm/rev),在 10mm 厚隔热板上加工精度 ±0.02mm 的阶梯槽,槽面经等离子体氟化处理后表面能≤10mN/m,减少低温下的气体吸附。成品在 4.2K 液氦环境中,热漏率≤0.5mW/cm²,且体积电阻率≥10¹⁴Ω・cm,同时通过 100 次冷热循环(4.2K~300K)测试无开裂,为量子比特提供低损耗的极低温绝缘环境。注塑加工件可根据客户需求添加玻纤增强,抗拉强度提升 40% 以上。注塑加工件表面喷涂工艺
这款注塑件通过模温控制技术,内部应力分布均匀,减少开裂风险。杭州医疗级FDA认证加工件表面喷涂工艺
航空航天轻量化注塑加工件,采用碳纤维增强聚酰亚胺(CFRPI)经高压 RTM 工艺成型。将 T700 碳纤维(体积分数 55%)预成型体放入模具,注入热固性聚酰亚胺树脂(粘度 500cP),在 200℃、10MPa 压力下固化 4 小时,制得密度 1.6g/cm³、弯曲强度 1200MPa 的结构件。加工时运用五轴数控铣削(转速 40000rpm,进给量 500mm/min),在 0.5mm 薄壁上加工出精度 ±0.01mm 的定位孔,边缘经等离子体去毛刺处理。成品在 - 196℃~260℃温度范围内,热膨胀系数≤1×10⁻⁶/℃,且通过 1000 次高低温循环后,层间剪切强度保留率≥90%,满足航天器结构部件的轻量化与耐极端环境需求。杭州医疗级FDA认证加工件表面喷涂工艺