SPS POLOS µ以桌面化设计降低设备投入成本,无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描,单次写入区域达400 µm,支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示,该设备成功制备了间距3 µm的微图案阵列和叉指电容器,助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。6英寸晶圆兼容:Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工,工业级重复精度0.1 µm。重庆桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

某能源研究团队采用 Polos 光刻机制造了压电式微型能量收集器。其激光直写技术在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指电极,器件的能量转换效率达 35%,在 10Hz 振动下可输出 50μW/cm² 的功率。通过自定义电极间距和厚度,该收集器可适配不同频率的环境振动,在智能穿戴设备中实现了运动能量的实时采集与存储。其轻量化设计(体积 < 1mm³)还被用于物联网传感器节点,使传感器续航时间从 3 个月延长至 2 年。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。重庆POLOSBEAM光刻机让你随意进行纳米图案化快速自动对焦:闭环对焦系统1秒完成,多层半自动对准提升实验效率。

在微流控芯片集成领域,某微机电系统实验室利用 Polos 光刻机的多材料同步曝光技术,在同一块 PDMS 芯片上直接制备出金属电极驱动的气动泵阀结构。其微泵通道宽度可控制在 20μm,流量调节精度达 ±1%,响应时间小于 50ms。通过软件输入不同图案,可在 10 分钟内完成从连续流到脉冲流的模式切换。该芯片被用于单细胞代谢分析,实现了单个tumor细胞葡萄糖摄取率的实时监测,检测灵敏度较传统方法提升 3 倍,相关设备已进入临床前验证阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。
SPS POLOS µ以紧凑的桌面设计降低实验室设备投入,光束引擎通过压电驱动实现高速扫描(单次写入400 µm区域)。支持AZ5214E等光刻胶的高效曝光,成功制备3 µm间距微图案阵列和叉指电容器,助力纳米材料与柔性电子器件的快速验证。其无掩模特性进一步减少材料浪费,为中小型实验室提供经济解决方案62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。光刻胶broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,优化参数降低侧壁粗糙度。

上海有机化学研究所通过光刻技术制备多组分纳米纤维,实现了功能材料的精确组装。类似地,Polos系列设备可支持此类结构的可控加工,为新能源器件(如柔性电池)和智能材料提供技术基础3。设备的高重复性(0.1 µm)确保了科研成果的可转化性。掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。Polos-BESM XL:大尺寸加工空间,保留紧凑设计,科研级精度实现复杂结构一次性成型。重庆POLOSBEAM光刻机让你随意进行纳米图案化
双光子聚合扩展:结合Nanoscribe技术实现3D微纳打印,拓展微型机器人制造。重庆桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
Polos-BESM在电子器件原型开发中展现高效性。例如,其软件支持GDS文件直接导入,多层曝光叠加功能简化了射频器件(如IDC电容器)的制造流程。研究团队利用同类设备成功制备了高频电路元件,验证了其在5G通信和物联网硬件中的潜力。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。重庆桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
Polos-BESMXLMk2专为6英寸晶圆设计,写入区域达155×155mm,平台双向重复性精度0.1µm,满足工业级需求。其搭载20x/0.75NA尼康物镜和120FPS高清摄像头,支持实时观测与多层对准。配套的BEAMXplorer软件简化了复杂图案设计流程,内置高性能笔记本电脑实现快速数据处理,成为微机电系统(MEMS)和光子晶体研究的理想工具。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@BeamXL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。成本效益:单次曝光成本低于传统光刻 1/...