在芯片这一高科技产品的复杂生产流程里，众多环节对温湿度的波动展现出了近乎苛刻的精密度要求。光刻过程中，利用高精度的光刻设备，将预先设计好的复杂电路图案转移至硅片表面。温度的稳定性起着决定性作用，哪怕有零点几摄氏度的微小波动，都会使光刻胶内部的化学反应速率产生偏差。光刻胶作为一种对光敏感的高分子材料，其反应速率的改变将直接作用于光刻成像效果，致使图案边缘模糊、线条粗细不均，进而让芯片上的线路出现偏差，甚至引发短路故障，让前期投入的大量人力、物力和时间付诸东流。与此同时，湿度因素同样不可小觑。光刻车间若湿度偏高，水汽极易渗透至光刻胶内部，使其含水量上升，感光度随之降低，如同给精密的 “光刻镜头” 蒙上一层雾霭，严重影响光刻精度，导致芯片良品率大打折扣，大幅增加生产成本。精密环境控制设备内部温度规格设定为 22.0 °C 且可灵活调节，以满足不同控温需求。0.5℃环境厂房
在半导体芯片制造这一复杂且精细的领域，从芯片光刻、蚀刻到沉积、封装等每一步，都对环境条件有着近乎严苛的要求，而精密环控柜凭借其性能成为保障生产的关键要素。芯片光刻环节，光刻机对环境稳定性要求极高。哪怕 0.002℃的温度波动，都可能使光刻机内部的精密光学元件因热胀冷缩产生细微形变，导致光路偏差，使光刻图案精度受损。精密环控柜凭借超高精度温度控制，将温度波动控制在极小范围，确保光刻机高精度运行，让芯片光刻图案正常呈现。光刻机高精度环境车间拥有超高水准洁净度控制能力，可达百级以上洁净标准。
激光干涉仪用于测量微小位移，精度可达纳米级别。温度波动哪怕只有 1℃，由于仪器主体与测量目标所处环境温度不一致，二者热胀冷缩程度不同，会造成测量基线的微妙变化，导致测量位移结果出现偏差，在高精度机械加工零件的尺寸检测中，这种偏差可能使零件被误判为不合格品，增加生产成本。高湿度环境下，水汽会干扰激光的传播路径，使激光发生散射，降低干涉条纹的对比度，影响测量人员对条纹移动的精确判断，进而无法准确获取位移数据，给精密制造、航空航天等领域的科研与生产带来极大困扰。
在计量校准实验室中，高精度的电子天平用于精确称量微小质量差异，对环境温湿度要求极高。若温度突然升高 2℃，天平内部的金属部件受热膨胀，传感器的灵敏度随之改变，原本能测量到微克级别的质量变化，此时却出现读数偏差，导致测量结果失准。湿度方面，当湿度上升至 70% 以上，空气中的水汽容易吸附在天平的称量盘及内部精密机械结构上，增加了额外的重量，使得测量数据偏大，无法反映被测量物体的真实质量，进而影响科研实验数据的可靠性以及工业生产中原材料配比度。设备运行稳定性高，可连续稳定工作时间大于 144h。
如在航空航天领域的制造工艺对精度要求极高，任何微小的误差都可能在飞行器高速飞行、复杂环境运行时引发严重后果。精密环控柜在航空航天精密制造过程中扮演着保驾护航的角色。在航空发动机零部件的制造中，如涡轮叶片的加工，叶片的尺寸精度和表面质量直接影响发动机的性能和效率。精密环控柜通过控制生产车间的温湿度，避免加工设备因温度变化产生热变形，确保刀具切削路径的准确性，从而保证涡轮叶片的加工精度符合严格标准。同时，稳定的湿度环境可防止金属材料生锈腐蚀，延长刀具使用寿命，减少因设备故障和材料损耗带来的生产成本增加。设备的气流循环系统经过特殊设计，确保每个角落都能均匀享受稳定环境。0.5℃环境厂房
其控制系统精细处理循环气流各环节，确保柜内温湿度的超高精度控制。0.5℃环境厂房
在电极制备环节，温湿度的不稳定会对电极材料的涂布均匀性造成极大干扰。温度过高，涂布用的浆料黏度降低，流动性增强，容易出现厚度不均的情况，这会使得电池在充放电过程中局部电流密度不一致，降低电池性能。湿度若偏高，浆料中的水分含量难以精细控制，水分过多不仅会改变浆料的化学性质，影响电极材料与集流体的附着力，还可能在后续干燥过程中引发气泡，导致电极表面出现孔洞，增加电池内阻，降低电池的能量密度和充放电效率。0.5℃环境厂房
