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为移相全桥逆变部分的 Simulink 仿真电路。负载等效至原边用等值电阻代替，仿真主要调节谐振电容和谐振电感的参数，以满足所有开关管的零开通和软关断。依次为开关管驱动波形、桥臂上电压波形和桥臂上电流波形。其中驱动波形中从低到高分别为开关管1、2、3、4的驱动波形（四个驱动的幅值有差别只为了便于分辨，实际驱动效果是相同的）。同一桥臂上两开关管驱动有4μS的死区时间，滞后桥臂相对于超前桥臂的滞后时间为12.5μS。桥臂上是串联的3a电阻和100μH电感，如果不存在移相，则桥臂上的电压应该是*有死区时间是0。由于移相角的存在，电压占空比进一步减小，减小的程度对应是移相角的大小。而折射两光波之间的相位差与外施电压成正比。天津大量程电压传感器厂家直销

若设定比较器周期值为T1PR，当启动计数器计数时，计数寄存器T1CNT的值在每个周期由0增加至T1PR然后再减为0，如此循环。在每个周期中当出现T1CNT=T1CMPR和T1CNT=T2CMPR时，则相应的PWM波就会发生电平转换。每一个周期中，当T1CNT=0时会产生下溢中断，当T1CNT=T1PR时会产生周期中断。由此，当发生下溢中断和周期中断时我们分别进入中断重新设置比较寄存器T1CMPR和T2CMPR的值就可以改变PWM波发生电平转换的时间，通过改变T1CMPR和T2CMPR之间的差值大小就可以改变两对PWM波的相位差，如此便实现了移相。在试验中我们是固定比较寄存器T1CMPR的值，在每一次周期中断和下溢中断时改变T2CMPR的值来实现移相。广州大量程电压传感器定制在这两个板之间保留着一个非导体。

随着集成化和高频化的发展，开关器件本身的功耗和发热问题成为限制集成化和高频化进一步发展的瓶颈，减小开关器件自身开关损耗促使了软开关技术的推进。传统的谐振式、多谐振技术可以实现部分开关器件的ZVC或ZCS，但是这类谐振存在器件应力高、变频控制等缺点。脉冲宽度调制（PWM）效率高、动态性能好、线性度高，但是为了实现开关管的软开关，须在电路中引进辅助的器件，这增加了主电路和控制电路的复杂性。在这样的背景下，移相全桥技术应运而生。相较于其他的全桥电路，移相全桥充分的利用了电路自身的寄生参数，在合理的控制方案下实现开关管的软开关。相较于传统谐振软开关技术，移相全桥变换器又具有频率恒定、开关管应力小、无需辅助的谐振电路。基于以上对比分析，移相全桥变换器作为我们磁体电源系统中的补偿电源。

除了滤波电容的容量要选择适当，我们还需要考虑滤波电容的耐压值，电容耐压值不够会发生危险。为了降低成本，一般电容耐压值比输出电压高一些即可，比如可以选择1.2倍的裕度。并且考虑到一般的电解电容有等效电阻，因此选用电解电容时可以选择实际值比理论计算值大的电容，并且可以是多个并联使用。为了减小开关管的电流，减小输出端整流桥上的电压，从而降低损耗，高频变压的原副边变比应尽可能大一些。为了满足输出电压值的要求，则需要根据实际输入的电压值和输出电压值要求来考虑。以输入电压最小值为基准来进行计算，变压器变比：K=。其中vin(min)是输入电压最小值，vo是输出电压，vd是整流二极管导通压降，Dsec是副边占空比，在此取值0.8。将各个参数代入计算可得变比K为7.44，在这里可以取值为7.5。然而，比较好只放大由于传感器电阻变化引起的电压变化。

第二阶段的仿真是在***次仿真的基础上，加入了高频变压器以及负载部分。第二阶段仿真时针对整个电路的仿真，主要目的是对控制方案给以理论研究。闭环反馈控制中采用典型的PID控制模式，仿真过程通过对PID参数的调试加深对控制方案的理解，以便在后续主电路调试过程中能更有目的性的调试参数。主要针对输出滤波电路的参数、PID闭环参数的设置以及移相控制电路的设计进行研究。仿真电路中输出电压设定值为60V，采样值和设定值作差，偏差量经过PID环节反馈至移相控制电路。移相电路基于DQ触发器，同一桥臂上PWM驱动脉波设置了死区时间，两个DQ触发器输出四路PWM波分别驱动桥臂上四个开关管。其原理与变压器类似，实现了对原边电压的隔离测量。杭州磁调制电压传感器厂家

那种非导体材料被称为介电材料。天津大量程电压传感器厂家直销

谐振电感是为谐振电容提供足够的充放电能量，实现滞后桥臂的零电压开通。谐振电感的参数选择对整个电路的软开关都很重要。为了满足能量的要求是希望谐振电感值越大越好，并且大电感可以有效抑制电流的急剧变化，防止振荡，消除尖刺峰值。但是电感值过大会导致更大的占空比丢失，降低了整个装置的效率，并且电感过大，对应阻抗值很大，会导致系统反应慢[19]。相反的，如果电感值偏小，则可能不能为谐振电容提供足够的能量，无法满足软开关，并且桥臂上的上涌和下冲的尖峰电流的影响会变得明显，可能引起正负周期工作状态不对称，增大了开关损耗，使功率开关管温升明显容易引起开关管炸毁。天津大量程电压传感器厂家直销