但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！红外热像仪的测量精度如何？炉膛扫描用红外热像仪性能
通常情况下表面散热的测定依据是GB/T26282—2021和GB/T26281—2021，即测量表面温度后查GB/T26282—2021中附录D，对于转动设备如回转窑筒体，需查表D.1（不同温差与不同风速的散热系数），得到系数后进行计算；对于不转动的设备，则查表D.2，找到对应系数后还需要用空气冲击角的校正系数加以校正。笔者在计算窑筒体表面温度的过程中遇到一个难题：由于表D.1中所给的风速范围太窄，没有给出对应环境风速大于2m/s时的系数，而实际测量时会遇到一些风速较大的情况，例如正在使用筒体冷却风机进行吹风冷却的部位，其风速会大于10m/s，此时就找不到对应的系数。在这种情况下，红外热像仪，此图来自Holderbank水泥集团（Holcim水泥集团的前身）。在图1中可以查到一些风速v较高时的系数值。同时该图在低风速段所查系数与GB/T26282—2021附录所列值基本一致。根据相关技术人员的经验，测试工作应尽可能避免在风速超过10m/s的环境中或者雨雪天气进行。高温红外热像仪使用方法热成像仪检测的是热量，所以常常可以发现隐藏在茂密丛林中或被大雾遮蔽的目标人物。
红外热像仪可以用于医学诊断和疾病筛查。以下是一些常见的应用场景：体温检测：红外热像仪可以非接触地测量人体表面的温度，用于快速筛查体温异常。特别是在公共场所、机场、车站等需要大规模人员筛查的地方，红外热像仪可以快速检测出体温异常者，有助于防止传染病的扩散。血液循环检测：红外热像仪可以观察人体皮肤表面的血液循环情况，通过检测血管的热量分布来评估血液循环的状况。这对于一些心血管疾病的早期筛查和监测具有一定的帮助。乳腺病筛查：红外热像仪可以检测乳房表面的温度分布，通过观察温度异常区域来筛查乳腺病。乳腺病通常会导致局部温度升高，红外热像仪可以帮助医生会发现潜在的异常区域，进一步进行进一步的检查和诊断。皮肤病诊断：红外热像仪可以观察皮肤表面的温度分布，帮助医生诊断一些皮肤病，如炎症等。通过观察温度异常区域，可以提供额外的信息来辅助医生的诊断。
大家都知道分辨率的高低会直接影响屏幕显示的图片或图标的细致度，图像的分辨率越高，屏幕越细腻，图像也就越清晰，观看效果也就越好。所以分辨率的高低是选择热像仪的一个重要的参数。红外热像仪的分辨率有很多种，产品像素为640x480，中端红外热像仪的像素为320x240，低端红外热像仪的像素为160x120。相同距离拍摄同一物体，红外热像仪像素越高，所获得的红外热图像越清晰。像素越高，红外热像仪的价格也越高。MC640拥有高达640x480的超高分辨率，也是市面上为数不多的一款**的单筒红外夜视热成像仪。红外热像仪的工作距离有限制吗？
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡红外热像仪有哪些应用领域？红外热像仪质量保证
红外热像仪能在苛刻的条件下指出材料特性并进行非接触式的温度测量。炉膛扫描用红外热像仪性能
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。炉膛扫描用红外热像仪性能
