nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。红外热像仪是如何工作的？无人机专用红外热像仪产品介绍
1、设备或部件的输出参数设备的输出与输入的关系以及输出变量之间的关系都可以反映设备的运行状态。2、设备零部件的损伤量变形量、磨损量、裂纹以及腐蚀情况等都是判断设备技术状态的特征参量。3、红外热像仪运转中的二次效应参数主要是设备在运行过程中产生的振动、噪声、温度、电量等。设备或部件的输出参数和零部件的损伤量都是故障的直接特征参量。而二次效应参数是间接特征参量。使用间接特征参量进行故障诊断的优点是，可以在设备运行中并且无需拆卸的条件下进行。不足之处是间接特征参量与故障之间的关系不是完全确定的。PYROLINE HS640N protection红外热像仪性能红外热像仪的价格范围是多少？
温度曲线了解温度在一个过程中如何变化很重要，这种测量可以通过移动式温度计来实现，移动式红外热像仪是为热烘和冷却过程设计的。带有连接温度传感器的记录器在整个过程中与食品相连，通过与食品相连的一端进行测量，可以在过程中长时间杀菌。温度测试仪对于连续加热炉路径中的离散或连接产品的表面温度测量，红外高温计是一种***的温度传感器，可以在不与产品发生物理接触的情况下测量温度。如果条件保持不变，红外高温计的输出信号可用于调节烘箱温度。近红外光谱法测定水分、脂肪和蛋白质含量利用近红外技术实现对水分、脂肪、蛋白质含量的无接触测量。仪表可用于工艺安装或用于工艺流程附近的取样。
对于该类探测器,基底由Si变为Ge时,其探测波段可从IR延伸到THz,在这里姑且将Si基与Ge基两类放在一起加以阐述｡传统的非本征探测器是基于被掺杂的Ge或Si作为吸收材料制作而成的结构简单的PC探测器,主要有Ge:X[X=Hg､Ga､铍(Be)､锌(Zn)]､Si:Y[Y=Ga､砷(As)､铟(In)]等类型｡这类探测器的响应范围取决于杂质元素在基底里的离化能量,一般可覆盖LWIR､VLWIR乃至THz波段,但需要在低温(<10K)下工作｡由于响应波段很宽,非本征探测器被应用到了航天领域,然而困境也随之出现:在太空中核辐射对探测器响应的影响较大,需要减薄探测器吸收层来降低影响,但这样也会使量子效率降低考古学家使用红外热像仪探测地下遗迹，无需挖掘即可获取重要信息。
通常情况下表面散热的测定依据是GB/T26282—2021和GB/T26281—2021，即测量表面温度后查GB/T26282—2021中附录D，对于转动设备如回转窑筒体，需查表D.1（不同温差与不同风速的散热系数），得到系数后进行计算；对于不转动的设备，则查表D.2，找到对应系数后还需要用空气冲击角的校正系数加以校正。笔者在计算窑筒体表面温度的过程中遇到一个难题：由于表D.1中所给的风速范围太窄，没有给出对应环境风速大于2m/s时的系数，而实际测量时会遇到一些风速较大的情况，例如正在使用筒体冷却风机进行吹风冷却的部位，其风速会大于10m/s，此时就找不到对应的系数。在这种情况下，红外热像仪，此图来自Holderbank水泥集团（Holcim水泥集团的前身）。在图1中可以查到一些风速v较高时的系数值。同时该图在低风速段所查系数与GB/T26282—2021附录所列值基本一致。根据相关技术人员的经验，测试工作应尽可能避免在风速超过10m/s的环境中或者雨雪天气进行。红外热像仪的维护和保养有哪些要点？固定式红外热像仪批发价格
红外热像仪主要用于测试DEW 仪器和分析目标影响。无人机专用红外热像仪产品介绍
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