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随着现代实验研究不断的深入和科学的不断发展，科学家对强磁场环境的要求也越来越高，从而对脉冲强磁场的建设也提出了更高的要求。在欧美以及日本等发达国家已经较早建立了强磁场实验室，主要有美国国家强磁场国家实验室、法国国家强磁场实验室、德国德累斯顿强磁场实验室、荷兰莱米根强磁场实验室以及日本东京大学强磁场实验室。我国强磁场领域起步较晚，近年来，华中科技大学脉冲强磁场中心开展了大量  关于脉冲强磁场的研究工作。本实验目的是得到稳恒高精度电流源，实验预期的也 是有电压和电流两个闭环。珠海大量程电压传感器价钱

在科学实验中， 产生强磁场的磁体实际是一个大电感线圈，由大容量的电源系 统瞬时放电， 通过给磁体提供瞬间的大电流，在磁体中产生响应的强磁场。实验中磁体可以等效为电阻Rm和大电感Lm串联，产生的磁场强度和通过电感的电流时呈线性关系的，要想得到高稳定度的脉冲平顶磁场，我们相应的给磁体提供脉冲平顶的大电流。然而上述只是建立在理想的物理模型上得到的理想结果。在工程实践中， 提供 给磁体的大电流实际是给磁体提供一个脉冲式高稳定度的直流电压。天津霍尔电压传感器哪家便宜目前只有电压闭环反馈，接下来须引入电流闭环实现 对电路输出电流的控制。

本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。

在实际的系统中，考虑到变压器有原边漏感的存在，实际选用的谐振电感值比计算的谐振电感值要小，工程调试中可以以计算得到的谐振电感值为基准，将谐振电感设计为可调电感，根据电路的实际情况调动谐振电感值来配合谐振电容完成零开通。本电路的仿真分为两个阶段，第一阶段仿真不纳入全桥变换器变压器的副边，末端的负载用一个等效至原边的电阻代替。此阶段仿真主要是为了实现超前桥臂和滞后桥臂的所有开关管的软开关，并且通过仿真的手段观察开关管实现软开关与电路中哪些参数关系**紧密，以及探讨实现软开关的临界条件。通过观测各个开关管承受电压、流通电流和驱动信号之间的关系，加强对移相全桥电路的理解，为后续的参数设置和电路调试提供理论基础。那种非导体材料被称为介电材料。

除了滤波电容的容量要选择适当，我们还需要考虑滤波电容的耐压值，电容耐压值不够会发生危险。为了降低成本，一般电容耐压值比输出电压高一些即可，比如可以选择1.2倍的裕度。并且考虑到一般的电解电容有等效电阻，因此选用电解电容时可以选择实际值比理论计算值大的电容，并且可以是多个并联使用。为了减小开关管的电流，减小输出端整流桥上的电压，从而降低损耗，高频变压的原副边变比应尽可能大一些。为了满足输出电压值的要求，则需要根据实际输入的电压值和输出电压值要求来考虑。以输入电压最小值为基准来进行计算，变压器变比：K=。其中vin(min)是输入电压最小值，vo是输出电压，vd是整流二极管导通压降，Dsec是副边占空比，在此取值0.8。将各个参数代入计算可得变比K为7.44，在这里可以取值为7.5。电压传感器相对于传统测量技术的优势。粒子加速器电压传感器出厂价

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图3-3所示一次为开关管1（**超前桥臂）的驱动波形和电压波形，图中横纵坐标分别为时间和电压值。开通过程：由图可见当开关驱动波形由低电平变为高低前，开关管两端的电压已经为0，故而开关管的开通是零电压开通。关断过程：由于开关并联有谐振电容，在关断开关管时，开关管端电压不会突变，而是随着谐振电容缓慢上升，故而开关管的关断是软关断。图3-4所示为开关管4（**滞后桥臂）的驱动波形和电压波形，图中横纵坐标分别为时间和电压值。同超前桥臂上开关管一样，滞后桥臂上开关管实现了零开通和软关断。在参数调试过程中，滞后桥臂的软开关对参数更加敏感。谐振电容值过大或者谐振电感值过小可能就无法满足滞后桥臂上开关管的零开通。珠海大量程电压传感器价钱