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在产生移相脉波时，计时器的计时都有一个固定的时基，计时器以时基为参考点开始计数，当比较寄存器中的值和设定值相等就会产生一个比较中断。由此机理，移相角的改变有两种方法：1）不断改变时基；2）不断更新比较值。DSP比较寄存器处于增减计数模式，一般时基是固定的。由于增减计数模式中每一个周期都会产生一个周期中断和下溢中断，于是我们可以利用这两个中断将设定值重置来实现另外一对PWM波的移相。超前桥臂上一对互补PWM波由比较单元1产生，对应的比较寄存器为T1CMPR，即为比较寄存器1的设定值，计数寄存器为T1CNT。滞后桥臂上一对互补的PWM波由比较单元2产生，对应的比较寄存器为T2CMPR，即为比较寄存器2的设定值，为了保证参考坐标的一致性，比较单元2和比较单元1共用同一个计数寄存器。霍尔电压传感器体积小、线性度好、响应时间短，但测试带宽窄，测量精度不高。天津化成分容电压传感器联系方式

驱动电路是连接逆变桥开关管和控制电路的桥梁，控制板输出的驱动信号是功率很小的PWM波，不足以驱动开关管使之正常的开通关断。并且在工程中，为了保证开关管（IGBT）迅速关断，需要在关断器件给开关管提供负的驱动电压，而这些都需要驱动电路来满足。除此外，驱动电路还负责控制电路和主电路的隔离，即弱电模块和强电部分的电气隔离[26]。驱动电路也是整个补偿电源设计的关键，驱动电路设计的好坏会影响到整个电路工作的安全以及开关管的开关速度。具体对驱动的电路有如下要求：1）提供适当的正反向电压，是IGBT能够可靠的开通关断；2）驱动电路工作频率要能够满足工程需要。3）驱动电路的功率足够，保证IGBT工作在过载工况下不会出现饱和而损坏。4）有较强的电气隔离和抗干扰能力。惠州粒子加速器电压传感器出厂价方向相反，从而在磁芯中保持磁通为零。

磁现象是物理界中**为基本的现象之一，人们发现，在磁场中，原子、分子的电子态能量和磁矩都发生了变化，于是在科学研究中，很多的实验都将磁场环境作为实验的研究背景，磁场也成为了许多科学研究的基本工具。在以强磁场为实验环境的研究领域，人们已经取得了众多重大的科研成果，强磁场在现代科学研究中占有越来越重要的位置。作为一种极端的科学研究条件，强磁场在高温超导体、材料学、原子分子研究、化学以及生命科学等领域的研究都提供了极端的研究环境。除了科学研究领域，强磁场在工业工程领域也发挥着重要作用。因此对强磁场的研究无论是对于我们探索自然奥秘，还是促进人类文明进步都有极其重要的意义。

除了滤波电容的容量要选择适当，我们还需要考虑滤波电容的耐压值，电容耐压值不够会发生危险。为了降低成本，一般电容耐压值比输出电压高一些即可，比如可以选择1.2倍的裕度。并且考虑到一般的电解电容有等效电阻，因此选用电解电容时可以选择实际值比理论计算值大的电容，并且可以是多个并联使用。为了减小开关管的电流，减小输出端整流桥上的电压，从而降低损耗，高频变压的原副边变比应尽可能大一些。为了满足输出电压值的要求，则需要根据实际输入的电压值和输出电压值要求来考虑。以输入电压最小值为基准来进行计算，变压器变比：K=。其中vin(min)是输入电压最小值，vo是输出电压，vd是整流二极管导通压降，Dsec是副边占空比，在此取值0.8。将各个参数代入计算可得变比K为7.44，在这里可以取值为7.5。有两种方法可以将敏感元件的电阻转换为电压。

移相全桥变换器在工作时，通过与开关管并联的谐振电容和原边谐振电感谐振，来实现开关管的软开关。主电路拓扑结构如图2-4所示。图中T1和T2为超前臂开关管，T3和T4为滞后臂开关管；C1和C2分别为T1和T2的并联谐振电容，且C1=C2=Clead；C3和C4分别为T3和T4的并联谐振电容，且C3=C4=Clag；D1~D4分别为T1~T4的反并联二极管；Lr为原边谐振电感；TM为高频变压器；DR1~DR4为输出整流二极管；Lf、L、Ca和Cb分别为输出滤波电感和滤波电容；Z为输出负载。将电流限值在毫安级，此电流经过多匝绕组之后。化成分容电压传感器服务电话

那种非导体材料被称为介电材料。天津化成分容电压传感器联系方式

谐振电感参数确定后即是实物的设计，同上一小节中高频变压器的设计类似，谐振电感的设计也是首先选择磁芯，然后根据气隙的大小计算绕组匝数，根据流通的电流有效值确定线径，***核算窗口的面积。如果上述验证无误即可进行绕制。为了实现移相全桥变换器的超前桥臂和滞后桥臂上开关管的软开关，必须根据直流变换器的开关管死区时间和开关频率来确定全桥变换器的超前桥臂和滞后桥臂上的谐振电容。前面已经讲过，超前桥臂和滞后桥臂上的开关管的零电压开通条件是不同的，所以必须分开计算。天津化成分容电压传感器联系方式