企业商机
低本底Alpha谱仪基本参数
  • 品牌
  • 泰瑞迅
  • 型号
  • RLA200
  • 适用范围
  • 适用于各种环境样品以及环境介质中人工放射性α核素的监测。
  • 加工定制
  • 外形尺寸
  • 361*470*180
  • 工作电压
  • 220
  • 测量范围
  • 0-10Mev
  • 电源
  • 220V
  • 重量
  • 15KG
  • 产地
  • 苏州
  • 厂家
  • 苏州泰瑞迅科技有限公司
低本底Alpha谱仪企业商机

PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析‌二、能量分辨率与噪声控制‌PIPS探测器对5MeVα粒子的能量分辨率可达0.25%(FWHM,对应12.5keV),较传统Si探测器(典型值0.4%~0.6%)提升40%以上‌。这一优势源于离子注入形成的均匀耗尽层(厚度300±30μm)与低漏电流设计(反向偏压下漏电流≤1nA),结合SiO₂钝化层抑制表面漏电,使噪声水平降低至传统探测器的1/8~1/100‌。而传统Si探测器因界面态密度高,在同等偏压下漏电流可达数十nA,需依赖低温(如液氮冷却)抑制热噪声,限制其便携性‌。‌


数字多道数字滤波:1us。泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器

泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪

‌样品兼容性与前处理优化‌该仪器支持最大直径51mm的样品测量,覆盖标准圆片、电沉积膜片及气溶胶滤膜等多种形态‌。样品制备需结合电沉积仪(如铂盘电极系统)进行纯化处理,确保样品厚度≤5mg/cm²以降低自吸收效应‌。对于含悬浮颗粒的水体或生物样本,需通过研磨、干燥等前处理手段控制粒度(如45-55目),以避免探测器表面污染或能量分辨率劣化‌。系统配套的真空腔室可适配不同厚度的样品托盘,确保样品与探测器间距的精确调节‌。泰顺泰瑞迅低本底Alpha谱仪维修安装适用于哪些具体场景(如环境氡监测、核事故应急、地质勘探)?

泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪

RLA 200系列α谱仪采用模块化设计,**硬件由真空测量腔室、PIPS探测单元、数字信号处理单元及控制单元构成。其真空腔室通过0-26.7kPa可调真空度设计,有效减少空气对α粒子的散射干扰,配合PIPS探测器(有效面积可选300-1200mm²)实现高灵敏度测量‌。数字化多道系统支持256-8192道可选,通过自动稳谱和死时间校正功能保障长期稳定性‌。该仪器还集成程控偏压调节(0-200V,步进0.5V)和漏电流监测模块(0-5000nA),可实时跟踪探测器工作状态‌。

PIPS探测器α谱仪真空系统维护**要点 三、腔体清洁与防污染措施‌内部污染控制‌每6个月拆解真空腔体,使用无绒布蘸取无水乙醇-**(1:1)混合液擦拭内壁,重点***α源沉积物。离子泵阴极钛板需单独超声清洗(40kHz,30分钟)以去除氧化层‌。**环境适应性维护‌温湿度管理‌:维持实验室温度20-25℃(波动±1℃)、湿度<40%,防止冷凝结露导致真空放电‌68‌防尘处理‌:在粗抽管道加装分子筛吸附阱(孔径0.3nm),拦截油蒸气与颗粒物,延长分子泵寿命‌。为不同试验室量身定做,可满足多批次大批量样品测量需求。

泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪

三、真空兼容性与应用适配性‌PIPS探测器采用全密封真空腔室兼容设计(真空度≤10⁻⁴Pa),可减少α粒子与残余气体的碰撞能量损失,尤其适合气溶胶滤膜、电沉积样品等低活度(<0.1Bq)场景的高精度测量‌。其入射窗支持擦拭清洁(如乙醇棉球)与高温烘烤(≤100℃),可重复使用且避免污染积累‌。传统Si探测器因环氧封边剂易受真空环境热膨胀影响,长期使用后可能发生漏气或结构开裂,需频繁维护‌。‌四、环境耐受性与长期稳定性‌PIPS探测器在-20℃~50℃范围内能量漂移≤0.05%/℃,且湿度适应性达85%RH(无冷凝),无需额外温控系统即可满足野外核应急监测需求‌36。其长期稳定性(24小时峰位漂移<0.2%)优于传统Si探测器(>0.5%),主要得益于离子注入工艺形成的稳定PN结与低缺陷密度‌28。而传统Si探测器对辐照损伤敏感,累积剂量>10⁹α粒子/cm²后会出现分辨率***下降,需定期更换‌7。综上,PIPS探测器在能量分辨率、死层厚度及环境适应性方面***优于传统Si半导体探测器,尤其适用于核素识别、低活度样品检测及恶劣环境下的长期监测。但对于低成本、非高精度要求的常规放射性筛查,传统Si探测器仍具备性价比优势。通过探测放射性样品所产生的α射线能量和强度,从而获取样品的放射性成分和含量。苍南数字多道低本底Alpha谱仪生产厂家

数字多道增益细调:0.25~1。泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器

PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析‌一、工艺结构与材料特性‌PIPS探测器采用钝化离子注入平面硅工艺,通过光刻技术定义几何形状,所有结构边缘埋置于内部,无需环氧封边剂,***提升机械稳定性与抗环境干扰能力‌。其死层厚度≤50nm(传统Si探测器为100~300nm),通过离子注入形成超薄入射窗(≤50nm),有效减少α粒子在死层的能量损失‌。相较之下,传统Si半导体探测器(如金硅面垒型或扩散结型)依赖表面金属沉积或高温扩散工艺,死层厚度较大且边缘需环氧保护,易因湿度或温度变化引发性能劣化‌。‌泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器

低本底Alpha谱仪产品展示
  • 泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪
  • 泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪
  • 泰顺数字多道低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪
与低本底Alpha谱仪相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责