红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***、技术成熟、性能优异的QWIP。对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR、LWIR甚至VLWIR波段。GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展。一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP。工业中红外热像技术的另一用途是精确检测运行中机器,使机器保持持安全运转状态。德国进口红外热像仪价格优惠

热电堆又叫温差电堆,它利用热电偶串联实现探测功能,是较为古老的一种IR探测器。以前,热电堆都是基于金属材料制备的,具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势,不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展,半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高,而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度,降低其热容量,因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入,让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。PYROLINE HS320N compact+ 红外热像仪性价比红外热像仪是否可以用于建筑和房屋检测?

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受限于俄歇复合的存在,红外热像仪HgCdTe探测器的在室温下的性能较差,如何降低HgCdTe材料内俄歇复合的几率是HgCdTe探测器发展道路上亟需攻克的一大难题。HgCdTe FPA探测器在气象和海洋监视、***侦察、导弹预警以及天文观测等许多方面都有无可替代的重要地位。我国***的风云气象卫星系列都装备了HgCdTe FPA探测器用于获取全球气象资料,为数值天气预报业务的实施和各种灾害性天气的预警预报提供了强有力的数据支持,为我国在全球范围内实现高时效性的高精度成像观测能力、高精度的大气温湿度垂直分布探测能力奠定了坚实的基础。红外热像仪的测量精度如何?

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nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物,它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器,其响应截止波长可达到3μm以上,响应范围完全覆盖NIR波段,是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下,其他化合物性能如下图所示:与其它的常用IR探测器相比,InGaAs探测器的兴起较晚,在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来,得益于NIR成像的强势崛起,InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中,一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上,红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。德国进口红外热像仪价格优惠