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第二阶段的仿真是在***次仿真的基础上，加入了高频变压器以及负载部分。第二阶段仿真时针对整个电路的仿真，主要目的是对控制方案给以理论研究。闭环反馈控制中采用典型的PID控制模式，仿真过程通过对PID参数的调试加深对控制方案的理解，以便在后续主电路调试过程中能更有目的性的调试参数。主要针对输出滤波电路的参数、PID闭环参数的设置以及移相控制电路的设计进行研究。仿真电路中输出电压设定值为60V，采样值和设定值作差，偏差量经过PID环节反馈至移相控制电路。移相电路基于DQ触发器，同一桥臂上PWM驱动脉波设置了死区时间，两个DQ触发器输出四路PWM波分别驱动桥臂上四个开关管。该传感器的输入为电压，而输出为开关、模拟电压信号、电流信号或可听信号。上海电压传感器厂家现货

移相全桥变换器在工作时，通过与开关管并联的谐振电容和原边谐振电感谐振，来实现开关管的软开关。主电路拓扑结构如图2-4所示。图中T1和T2为超前臂开关管，T3和T4为滞后臂开关管；C1和C2分别为T1和T2的并联谐振电容，且C1=C2=Clead；C3和C4分别为T3和T4的并联谐振电容，且C3=C4=Clag；D1~D4分别为T1~T4的反并联二极管；Lr为原边谐振电感；TM为高频变压器；DR1~DR4为输出整流二极管；Lf、L、Ca和Cb分别为输出滤波电感和滤波电容；Z为输出负载。天津磁通门电压传感器联系方式假设我们拿着传感器，然后把它的前列放在带电导体附近。

在实际的系统中，考虑到变压器有原边漏感的存在，实际选用的谐振电感值比计算的谐振电感值要小，工程调试中可以以计算得到的谐振电感值为基准，将谐振电感设计为可调电感，根据电路的实际情况调动谐振电感值来配合谐振电容完成零开通。本电路的仿真分为两个阶段，第一阶段仿真不纳入全桥变换器变压器的副边，末端的负载用一个等效至原边的电阻代替。此阶段仿真主要是为了实现超前桥臂和滞后桥臂的所有开关管的软开关，并且通过仿真的手段观察开关管实现软开关与电路中哪些参数关系**紧密，以及探讨实现软开关的临界条件。通过观测各个开关管承受电压、流通电流和驱动信号之间的关系，加强对移相全桥电路的理解，为后续的参数设置和电路调试提供理论基础。

由移相全桥电路的拓扑结构图可以看到，四个桥臂上每个开关管都并联有谐振电容，谐振电容的存在可以实现开关管的零电压关断。所以我们只需要关心开关管的零电压开通，要实现开关管的零电压开通，必须在开关管触发开通前，有足够的能量中和掉谐振电容上的电荷，并且要完成该开关管同一桥臂上另一开关管谐振电容的充电，同时还要有能量去抽走变压器原边寄生电容中储存的能量。超前桥臂上两个开关管工作状态是相同的，**是开通关断时间的存在先后， 可以选取其中的T2 管分析。 T2 管触发开通的前一个状态，满足零电压 开通则须在触发开通时与T2 并联的续流二极管D2 已处于导通状态，这就要求此时谐 振电容C2 已经放电完成。它可以测量交流电平和/或直流电压电平。

对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。有两种方法可以将敏感元件的电阻转换为电压。广州化成分容电压传感器询问报价

目前的滤波装置级数低，滤波效果较差，输出端 可以采用LCCL三阶滤波器。上海电压传感器厂家现货

微分时间常数一般先取值为0，当系统的控制效果不够好的时候，可以跟设定比例积分常数和积分时间常数的方法一样，***选定最大值的0.3倍左右。PID环节的参数设定完成后，将参数代入程序内部，根据实际实验的数据进行联调。如图4-10所示为PID子程序执行流程的框图，将系统设定的信号和采集到的信号作差得到偏差值，利用得到的偏差值根据上述比例、积分和微分三个环节的计算得到移相角，输出给驱动模块控制开关管。然后将本次计算得到的偏差值作为下一次PID计算的偏差值的初值，等待中断然后循环进行PID的计算，实时调节输出电压。上海电压传感器厂家现货