企业商机
低本底Alpha谱仪基本参数
  • 品牌
  • 泰瑞迅
  • 型号
  • RLA200
  • 适用范围
  • 适用于各种环境样品以及环境介质中人工放射性α核素的监测。
  • 加工定制
  • 外形尺寸
  • 361*470*180
  • 工作电压
  • 220
  • 测量范围
  • 0-10Mev
  • 电源
  • 220V
  • 重量
  • 15KG
  • 产地
  • 苏州
  • 厂家
  • 苏州泰瑞迅科技有限公司
低本底Alpha谱仪企业商机

PIPS探测器α谱仪校准标准源选择与操作规范‌一、能量线性校正**源:²⁴¹Am(5.485MeV)‌²⁴¹Am作为α谱仪校准的优先标准源,其单能峰(5.485MeV±0.2%)适用于能量刻度系统的线性验证‌13。校准流程需通过多道分析器(≥4096道)采集能谱数据,采用二次多项式拟合能量-道址关系,确保全量程(0~10MeV)非线性误差≤0.05%‌。该源还可用于验证探测效率曲线的基准点,结合PIPS探测器有效面积(如450mm²)与探-源距(1~41mm)参数,计算几何因子修正值‌。‌预留第三方接口,适配行业内大部分设备。文成PIPS探测器低本底Alpha谱仪定制

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RLA 200系列α谱仪采用模块化设计,**硬件由真空测量腔室、PIPS探测单元、数字信号处理单元及控制单元构成。其真空腔室通过0-26.7kPa可调真空度设计,有效减少空气对α粒子的散射干扰,配合PIPS探测器(有效面积可选300-1200mm²)实现高灵敏度测量‌。数字化多道系统支持256-8192道可选,通过自动稳谱和死时间校正功能保障长期稳定性‌。该仪器还集成程控偏压调节(0-200V,步进0.5V)和漏电流监测模块(0-5000nA),可实时跟踪探测器工作状态‌。永嘉实验室低本底Alpha谱仪价格数字多道积分非线性 ≤±0.05%。

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多参数符合测量与数据融合针对α粒子-γ符合测量需求,系统提供4通道同步采集能力,时间符合窗口可调(10ns-10μs),在²²⁴Ra衰变链研究中,通过α-γ(0.24MeV)符合测量将本底计数降低2个数量级‌。内置数字恒比定时(CFD)算法,在1V-5V动态范围内实现时间抖动<350ps RMS,确保α衰变寿命测量精度达±0.1ns‌。数据融合模块支持能谱-时间关联分析,可同步生成α粒子能谱、衰变链分支比及时间关联矩阵,在钚同位素丰度分析中实现²³⁹Pu/²⁴⁰Pu分辨率>98%‌。

二、极端环境下的性能验证‌在-20~50℃宽温域测试中,该系统表现出稳定的增益控制能力:‌增益漂移‌:<±0.02%(对应5MeV α粒子能量偏差≤1keV),优于传统Si探测器(±0.1%~0.3%)‌;‌分辨率保持率‌:FWHM≤12keV(5.157MeV峰),温漂引起的展宽量<0.5keV‌;‌真空兼容性‌:真空腔内部温度梯度≤2℃(外部温差15℃时),确保α粒子能量损失修正误差<0.3%‌。‌三、实际应用场景的可靠性验证‌该机制已通过‌碳化硅衬底生产线‌(ΔT>10℃/日)与‌核应急监测车‌(-20℃极寒环境)的长期运行验证:‌连续工作稳定性‌:72小时无人工干预状态下,²⁴¹Am峰位漂移量≤0.015%(RMS),满足JJF 1851-2020对α谱仪长期稳定性的比较高要求‌;‌抗干扰能力‌:在85%RH高湿环境中,温控算法可将探头内部湿度波动引起的等效温度误差抑制在±0.5℃以内‌。‌数字多道转换增益(道数):4K、8K可设置。

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PIPS探测器α谱仪配套质控措施‌‌期间核查‌:每周执行零点校正(无源本底测试)与单点能量验证(²⁴¹Am峰位偏差≤0.1%)‌;‌环境监控‌:实时记录探测器工作温度(-20~50℃)与真空度变化曲线,触发阈值报警时暂停使用‌;‌数据追溯‌:建立校准数据库,采用Mann-Kendall趋势分析法评估设备性能衰减速率‌。该方案综合设备使用强度、环境应力及历史数据,实现校准资源的科学配置,符合JJF 1851-2020与ISO 18589-7的合规性要求‌。能量分辨率 ≤20keV(探-源距等于探测器直径,@300mm2探测器,241Am)。乐清仪器低本底Alpha谱仪定制

针对多样品测量需求提供了多路任务模式,用户只需放置好样品,设定好参数。文成PIPS探测器低本底Alpha谱仪定制

PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析‌二、能量分辨率与噪声控制‌PIPS探测器对5MeVα粒子的能量分辨率可达0.25%(FWHM,对应12.5keV),较传统Si探测器(典型值0.4%~0.6%)提升40%以上‌。这一优势源于离子注入形成的均匀耗尽层(厚度300±30μm)与低漏电流设计(反向偏压下漏电流≤1nA),结合SiO₂钝化层抑制表面漏电,使噪声水平降低至传统探测器的1/8~1/100‌。而传统Si探测器因界面态密度高,在同等偏压下漏电流可达数十nA,需依赖低温(如液氮冷却)抑制热噪声,限制其便携性‌。‌


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