这样可以减小瓶壁的吸附作用。如果需要浓度更低的气体,在大瓶子中配气后,可用抽真空法再进行稀释。例如,将大瓶子中的气体压力抽至原有压力的一半,然后再充进干净空气至原来的压力,即可得到原来浓度一半的标准气体。2.注射器配气法对于需气量较小的工作,用注射器配气是很方便的。取两个大小不等的注射器,大注射器一般用100毫升的,小注射器根据配气情况而定。配气时,在大注射器中放一小金属片,将活塞推入,再用小注射器取一定量的原料气,将两注射器按图2连接,把小注射器的气体推入大注射器,去掉小注射器和橡皮帽,抽动大注射器活塞,用干净空气将气体稀释到100毫升,摇动注射器中的金属片,使气体混合均匀,即得到较低浓度的标准气体。稀释后的浓度可根据稀释前后气体体积计算出来。如果一次稀释达不到要求,还可进行第二次、第三次稀释…。进行再次稀释时,只要将大注射器中配好的气体推出一部分,然后吸入干净空气进行稀释,即可得到更低浓度的标准气体。740)">3.塑料袋配气法用100毫升注射器或通过湿式流量计将一部分空气注入塑料袋内,然后按图3连接一个事先装入原料气的气体定量管。继续通气将定量管中的原料气压入塑料袋中,稀释至一定体积。用手揉捏塑料袋,使气体混合均匀。四川工业气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。重庆丙烷标准气体厂家现货
容器选择盛装标准气体的容器应由耐腐蚀、抗压、吸附少、不生锈、化学特性稳定、机械强度高的材料制成,通常使用的高压容器是铝合金瓶,而碳钢瓶因其内壁不光滑、吸附大而被逐步淘汰。预处理盛装标准气体的钢瓶使用前应进行表面清洁、涂漆处理,然后,将钢瓶加温至100℃左右,同时抽真空处理约4h。钢瓶处理完毕后,必须分析其H2O、O2等杂质含量,合格后方可使用。气体要求配制10%的CH4/Ar四瓶,进行为期一年的稳定性考察,见表1,实验结果表明,由于铝合金钢瓶内壁比较光滑,因此在盛装一般长久气体时性质稳定,变化不大,钢瓶不用特殊处理,即可满足此类标准气体稳定性的要求。在配制COS、H2S、SO2等气体时,必须对钢瓶进行KG或CM处理,即为了防止容器内壁因吸附或解吸等带来的影响。先对容器内壁进行镜面研磨,涂上防氧化漆,然后把高浓度气体充入容器内并放置10d左右,从而提高标准气体的稳定性。用未经KG或CM处理的钢瓶配制mg/m3,COS/N2一瓶,实验结果见图1。用经KG处理的钢瓶配制mg/m3COS/N2一瓶,实验结果见图2。以上实验结果表明。配制易吸附标准气体时,钢瓶必须经KG或CM处理,才能保证其稳定性可靠,否则,组分气的含量变化很大,不宜作为标准气体来使用。重庆一氧化碳标准气体现货经营福建乙烯标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
标准气体有哪些规格？标准气体是一个衡量标准，它具有良好的稳定性和量值准确的测定标准，在物理，化学，生物与工程测量领域中用于校准测量仪器和测量。国家将标准气体的标准分为一级标准物质和二级标准物质，目前大部分气体厂家生产的都是二级标准物质。标准气体的规格我们可以按照以下几种情况分类：按产品组分分：基本可分为两组分、三组分和多组分标准气体。按产品用途分：大致分为环境监测类标准气体、仪器仪表类标准气体、医疗卫生类标准气体、气体报警类标准气体、电力能源类标准气体、石油化工类标准气体等。需要注意的是，虽然使用同一种仪器但是由于使用地点和操作方法等因素不同，同一种仪器所使用的标准气体的参数也会略有不同。采购标准气体时请务必提供准确的使用参数！常见的产品包装规格：4L/8L/40L，有些会因为气体使用场地的限制，对气瓶的高度和直径有特定要求，需要特殊的包装规格，我们一般称为异形包装，这种包装通常需要定制，因此需要提前核实货期哦~侨源可根据您的需要定制标准气体，想了解标准气体价格请拨打：24小时贴心服务：如果您对以上纽瑞德气体感兴趣或有疑问。
配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases)：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases)：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。丙烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。成都一氧化氮标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。成都乙炔标准气体直销
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