还原氧化石墨烯(RGO)在边缘处和面内缺陷处具有丰富的分子结合位点,使其成为一种很有希望的电化学传感器材料。结合原位还原技术,有很多研究使用诸如喷涂、旋涂等基于溶液的技术手段,利用氧化石墨烯(GO)在不同基底上制造出具备石墨烯相关性质的器件,以期在一些场合替代CVD制备的石墨烯。结构决定性质。氧化石墨烯(GO)的能级结构由sp3杂化和sp2杂化的相对比例决定[6],调节含氧基团相对含量可以实现氧化石墨烯(GO)从绝缘体到半导体再到半金属性质的转换GO的生物毒性除了有浓度依赖性,还会因GO原料的不同而呈现出毒性数据的多样性。单层氧化石墨改性
光电器件是在微电子技术基础上发展起来的一种实现光与电之间相互转换的器件,其**是各种光电材料,即能够实现光电信息的接收、传输、转换、监测、存储、调制、处理和显示等功能的材料。光电传感器件指的是能够对某种特征量进行感知或探测的光电器件,狭义上*指可将特征光信号转换为电信号进行探测的器件,广义而言,任何可将被测对象的特征转换为相应光信号的变化、并将光信号转换为电信号进行检测、探测的器件都可称之为光电传感器。新型氧化石墨图片松散的氧化石墨分散在碱性溶液中形成类似石墨烯结构的单原子厚度的片段。
石墨烯可与多种传统半导体材料形成异质结,如硅[64][65][66],锗[67],氧化锌[68],硫化镉[69]、二硫化钼[70]等。其中,石墨烯/硅异质结器件是目前研究**为***、光电转换效率比较高(AM1.5)的一类光电器件。基于硅-石墨烯异质结光电探测器(SGPD),获得了极高的光伏响应[71]。相比于光电流响应,它不会因产生焦耳热而产生损耗。基于化学气象沉积法(CVD)生长的石墨烯光电探测器有很多其独特的优点。首先有极高的光伏响应,其次有极小的等效噪声功率可以探测极微弱的信号,常见的硅-石墨烯异质结光电探测器结构如图9.8所示。
氧化石墨烯表面含有-OH和-COOH等丰富的官能团,在水中可发生去质子化等反应带有负电荷,由于静电作用将金属阳离子吸附至表面;相反的,如果水中pH等环境因素发生变化,氧化石墨烯表面也可携带正电荷,则与金属离子产生静电斥力,二者之间的吸附作用**减弱。而静电作用的强弱与氧化石墨烯表面官能团产生的负电荷相关,其受环境pH值的影响较明显。Wang44等人的研究证明,在pH>pHpzc时(pHpzc=3.8),GO表面的官能团可发生去质子化反应而带负电,可有效吸附铀离子U(VI),其吸附量可达到1330mg/g。氧化石墨片层的厚度约为1.1 ± 0.2 nm。
氧化石墨烯(GO)的光学性质与石墨烯有着很大差别。石墨烯是零带隙半导体,在可见光范围内的光吸收系数近乎常数(~2.3%);相比之下,氧化石墨烯的光吸收系数要小一个数量级(~0.3%)[9][10]。而且,氧化石墨烯的光吸收系数是波长的函数,其吸收曲线峰值在可见光与紫外光交界附近,随着波长向近红外一端移动,吸收系数逐渐下降。对紫外光的吸收(200-320nm)会表现出明显的π-π*和n-π*跃迁,而且其强度会随着含氧基团的出现而增加[11]。氧化石墨烯(GO)的光响应对其含氧基团的数量十分敏感[12]。随着含氧基团的去除,氧化石墨烯(GO)在可见光波段的的光吸收率迅速上升,**终达到2.3%这一石墨烯吸收率的上限。碳基填料可以提高聚合物的热导率,但无法像提高导电性那么明显,甚至低于有效介质理论。新型氧化石墨图片
氧化石墨片层的边缘包括羰基或羧基。单层氧化石墨改性
氧化石墨烯因独特的结构和性质受到了人们的***关注,其生物相容性的研究已经积累了一定的研究基础,但氧化石墨烯在实际应用中仍然面临很多困难和挑战。首先,氧化石墨烯制备方法的多样性和生物系统的复杂性,会***影响其在体内外的生物相容性,导致研究结果的不一致,因此氧化石墨烯的生物相容性问题不能简单归纳得出结论,需要综合多方面的因素进行深入研究。其次,氧化石墨烯的***活性又取决于时间和本身的浓度,其***机理需要进一步的研究。***,氧化石墨烯对机体的长期毒性以及氧化石墨烯进入细胞的机制、与细胞之间相互作用的机理、细胞/体内代谢途径等尚不清晰。这些问题关乎氧化石墨烯在生物医学领域应用中的安全问题和环境风险评价,需要研究者们不断地研究和探索。单层氧化石墨改性