深圳生产氧化石墨

光学材料的某些非线性性质是实现高性能集成光子器件的关键。光子芯片的许多重要功能，如全光开关，信号再生，超快通信都离不开它。找寻一种具有超高三阶非线性，并且易于加工各种功能性微纳结构的材料是众多的光学科研工作者的梦想，也是成功研制超高性能全光芯片的必由之路。超快泵浦探针光谱表明，重度功能化的具有较大SP3区域的GO材料在高激发强度下可以出现饱和吸收、双光子吸收和多光子吸收[6][50][51][52]，这种效应归因于在SP3结构域的光子中存在较大的带隙。相反，在具有较小带隙的SP2域中的*出现单光子吸收。石墨烯在飞秒脉冲激发下具有饱和吸收[52]，而氧化石墨烯在低能量下为饱和吸收，高能量下则具有反饱和吸收[51]。因此，通过控制GO氧化/还原的程度，实现SP2域到SP3域的比例调控，可以调整GO的非线性光学性质，这对于高次谐波的产生与应用是非常重要的。氧化石墨能够应用在交通运输、建筑材料、能量存储与转化等领域。深圳生产氧化石墨

多层氧化石墨烯（GO）膜在不同pH水平下去除水中有机物质的系统性能评价和机理研究。该研究采用逐层组装法制备了PAH/GO双层膜，对典型单价离子（Na+，Cl-）和多价离子（SO42-，Mg2+）以及有机染料（亚甲蓝MB，罗丹明R-WT）和药物和个人护理品（三氯生TCS，三氯二苯脲TCC）在反渗透膜系统中通过GO膜的行为进行研究。结果发现，在pH=7时，无论其电荷、尺寸或疏水性质如何，GO膜能够高效去除多价阳离子/阴离子和有机物，但对于单价离子的去除率较低。传统的纳滤膜通常带负电，且只能去除带有负电荷的多价离子和有机物。随着pH的变化，GO膜的关键性质（例如电荷，层间距）发生***变化，导致不同的pH依赖性界面现象和分离机制，一些有机物（例如三氯二苯脲）的分子形状由于这种有机物与GO膜的碳表面的迁移性和π-π相互作用而极大地影响了它们的去除。氧化石墨类型碳基填料可以提高聚合物的热导率，但无法像提高导电性那么明显，甚至低于有效介质理论。

氧化石墨烯表面含有-OH和-COOH等丰富的官能团，在水中可发生去质子化等反应带有负电荷，由于静电作用将金属阳离子吸附至表面；相反的，如果水中pH等环境因素发生变化，氧化石墨烯表面也可携带正电荷，则与金属离子产生静电斥力，二者之间的吸附作用**减弱。而静电作用的强弱与氧化石墨烯表面官能团产生的负电荷相关，其受环境pH值的影响较明显。Wang44等人的研究证明，在pH＞pHpzc时（pHpzc=3.8），GO表面的官能团可发生去质子化反应而带负电，可有效吸附铀离子U(VI)，其吸附量可达到1330mg/g。

石墨烯可与多种传统半导体材料形成异质结，如硅[64][65][66]，锗[67]，氧化锌[68]，硫化镉[69]、二硫化钼[70]等。其中，石墨烯/硅异质结器件是目前研究**为***、光电转换效率比较高（AM1.5）的一类光电器件。基于硅-石墨烯异质结光电探测器（SGPD），获得了极高的光伏响应[71]。相比于光电流响应，它不会因产生焦耳热而产生损耗。基于化学气象沉积法（CVD）生长的石墨烯光电探测器有很多其独特的优点。首先有极高的光伏响应，其次有极小的等效噪声功率可以探测极微弱的信号，常见的硅-石墨烯异质结光电探测器结构如图9.8所示。GO制备简单、自身具有受还原程度调控的带隙，可以实现超宽谱（从可见至太赫兹波段）探测。

氧化石墨烯（GO）与石墨烯的另一个区别是在吸收紫外/可见光后会发出荧光。通常可以在可见光波段观测到两个峰值，一个在蓝光段（400-500nm），另一个在红光段（600-700nm）。关于氧化石墨烯发射荧光的机理，学界仍有争论。此外，氧化石墨烯的荧光发射会随着还原的进行逐渐变化，在轻度化学还原过程中观察到GO光致发光光谱发生红移，这一发现与其他人观察到的发生蓝移的现象相矛盾。这从另一个方面说明了氧化石墨烯结构的复杂性和性质的多样性。关于GO与水泥基复合材料的作用机制，研究者也有不同的观点，目前仍没有定论。哪些氧化石墨改性

静电作用的强弱与氧化石墨烯表面官能团产生的负电荷相关。深圳生产氧化石墨

氧化石墨烯（GO）的光学性质与石墨烯有着很大差别。石墨烯是零带隙半导体，在可见光范围内的光吸收系数近乎常数（～2.3%）；相比之下，氧化石墨烯的光吸收系数要小一个数量级（～0.3%）[9][10]。而且，氧化石墨烯的光吸收系数是波长的函数，其吸收曲线峰值在可见光与紫外光交界附近，随着波长向近红外一端移动，吸收系数逐渐下降。对紫外光的吸收（200-320nm）会表现出明显的π-π*和n-π*跃迁，而且其强度会随着含氧基团的出现而增加[11]。氧化石墨烯（GO）的光响应对其含氧基团的数量十分敏感[12]。随着含氧基团的去除，氧化石墨烯（GO）在可见光波段的的光吸收率迅速上升，**终达到2.3%这一石墨烯吸收率的上限。深圳生产氧化石墨