截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡红外热像仪可以提供实时温度场分布，及时寻找可疑高温区域，可以报警同时联动喷淋消防水炮系统。人体测温红外热像仪量大从优
红外热像仪的电池寿命因设备型号、使用条件和电池容量等因素而异。一般来说，红外热像仪的电池寿命可以在几个小时到几十个小时之间。红外热像仪通常使用可充电电池，如锂离子电池或镍氢电池。电池寿命取决于多个因素，包括红外热像仪的功耗、工作模式、环境温度和使用频率等。在高功耗模式下，红外热像仪的电池寿命可能较短，而在低功耗模式下，电池寿命可能更长。此外，低温环境也可能影响电池的性能和寿命。为了延长红外热像仪的电池寿命，可以采取以下措施：在不使用时，关闭红外热像仪以节省电池能量。根据需要选择合适的工作模式，避免不必要的功耗消耗。在低温环境下使用红外热像仪时，保持电池温暖，可以使用保温套或加热装置。定期检查电池的状态和健康状况，及时更换老化或损坏的电池。德国testo红外热像仪市场价说到红外热像仪，可能大多数人的印象还停留在手持式热像仪的阶段。
(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡
晶格失配度比较低时，红外热像仪InGaAs探测器的截止波长约为1.7μm，此时探测器所能达到的探测率是比较高的，接近于理论极限。由于在NIR波段表现出的优异性能，InGaAs探测器受到了来自包括美、法、德、日等多个国家的众多制造商的瞩目与重视，其中以美国TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**为突出。InGaAs探测器的响应波段刚好覆盖了夜空辉光的光谱带，有利于夜间观测目标物体的发射，因此在高空侦察方面有重要的应用价值，如美国U-2侦察机就装备了以InGaAs FPA探测器为**技术的SYERS Ⅱ照相机。红外热成像领域多年，对钢铁行业红外测温应用富有经验，在钢铁冶金业方面的部分实际应用与解决方案。
红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡红外热像仪在*****上的重要应用热像仪之前做过多篇介绍，这期重点讲讲民品应用。双光路红外热像仪使用方法
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