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4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。点思DS5136移动电源和无线充供电共用一路升降压节约成本。XB6008H3k

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。3wAxYXC3098(磷酸铁锂充电芯片）。

DS5136B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC，集成了同步开关升压变换器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。

5号（AA）7号（AAA）电池也就是我们常用的电池，以南孚，金霸王，555等品牌被大家熟知。市场上主要以碱性电池为主，输入的电压是1.5V。其主要特点就是方便快捷以及价格低廉。其缺点也是非常明显：碱性电池是一次性电池，因其化学特性使用后易被丢弃后对土壤的污染是非常严重；另外长时间放置容易因受潮或者氧化原因造成化学原料漏液造成对电子产品的化学损坏，轻则氧化电池触点无法使用（可简单修复），重则直接损坏电子产品致报废或者短路引起起火都有可能。XS5502 XS5301 XS5306 XS5802单串升压型移动电源 SOC。

DS2730 集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。结合外置的 NMOS 功率管，实现 2 路分离的 DC-DC 降压变换功能，支持 100%占空比输出和直通模式，并根据设备的插入/移除状态，控制放电通路的自动导通或关闭。在放电过程中，实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。当有异常发生时，启动执行相应的保护机制。 内置的同步降压变换器，允许 5V~30V 的输入电压和 3.3V~20V 的输出电压，上限输出效率可达 98%（VIN=20V，VBUS=20V@5A）。按进入小电流模式，双击关闭输出。3n1EAG

赛芯一级代理经销批发赛芯XySemi锂电池保护 XySemi的代理商。XB6008H3k

电源管理芯片有多种类型，以满足不同的应用需求。其中，线性稳压器是常见的一种，它通过调节电阻来稳定输出电压，具有结构简单、噪声低的优点，但效率相对较低。开关稳压器则通过快速开关晶体管来实现电压转换，效率高但设计复杂，包括降压型（Buck）、升压型（Boost）和升降压型（Buck-Boost）等。电池管理芯片用于监测和控制电池的充电、放电过程，以延长电池寿命和提高安全性。此外，还有电源监控芯片，用于实时监测电源的电压、电流和温度等参数，一旦出现异常及时发出警报。XB6008H3k